自問世以來,氮化鎵技術開啟了電力電子領域的新紀元。GaN 技術的三個最重要的參數是更高的帶隙、臨界場和電子遷移率。當這些參數結合起來時,由于 GaN 晶體的臨界場高出 10 倍,因此與硅 MOSFET 相比,電氣端子可以更接近 10 倍。這導致 GaN 和硅之間有一個明顯的區別因素:中壓 GaN 器件可以建立在平面技術上,而這對于硅器件來說成本過高。為了具有競爭力,硅器件采用垂直技術制造,因此在同一芯片中不可能有兩個功率器件。EPC 的 GaN-on-Si 平面技術沒有這個必須垂直構建的限制,
圖 1:EPC GaN 技術可實現功率器件與柵極驅動器邏輯的集成。
GaN IC 功率級芯片組 — EPC23101 與 EPC2302 組合
從分立橫向 eGaN FET 器件開始,EPC 迅速轉向更高的集成度。2019 年,ePower Stage IC 系列產品重新定義了功率轉換,將所有必要的電源系統級芯片功能集成到單個 GaN-on-Si IC 中,具有更高的電壓和更高的頻率水平——超出了硅的范圍。最近,在 2021 年,結合 EPC2302 功率級芯片組的 EPC23101 被推向市場(圖 2)。
EPC23101 是一款額定電壓為 100V 的單片組件,集成了輸入邏輯接口、電平轉換、自舉充電和柵極驅動緩沖電路,以及一個高側 2.6mΩ 典型 R DS(on) GaN 輸出 FET。EPC23101 IC 僅需要一個外部 5V (V DRV ) 電源。內部低側和高側電源 V DD和 V BOOT由外部電源通過串聯開關和同步自舉開關產生。通過將 EN 引腳連接到 V DRV可以禁用內部電路以降低靜態功耗。
圖 2:EPC23101 結合 EPC2302 GaN IC 芯片組框圖
帶有 EPC23101 的 EPC9173 電機驅動參考設計
為了展示 EPC23101 IC 在電機驅動逆變器中的功能,EPC 發布了 EPC9173 參考設計。在此板上,三相逆變器的每個半橋都包含兩個 EPC23101 IC,它們的 PWM 信號交叉連接,允許插入源分流器來讀取電流,如圖 3 所示,部分原理圖.
通過將同一 IC 用于低側開關,可以實現平衡半橋逆變器,并且兩個開關都可以相對于電源地浮動。這使得源分流器的插入更容易,避免了輸入 PWM 信號節點上的接地反彈。EPC9173 板包括一個過流檢測電路,可用作過流或限流功能,具體取決于所需的算法和調制。
應用
PWM頻率增加和死區時間減少
GaN IC 和 FET 在電機驅動應用中具有多項優勢。最容易理解的優勢是減小了逆變器尺寸,這是由于 GaN FET 和 IC 的固有尺寸比等效 MOSFET 更小。然而,為了充分利用新技術,最好以更高的 PWM 頻率運行電機,從而減少死區時間。2
提高開關頻率有助于減少輸入濾波器并消除對電解電容器的需求。表 1 顯示了兩個逆變器之間的比較——一個運行在 20kHz、500ns 死區時間,另一個基于 GaN,運行在 100kHz、14ns 死區時間——如表 1 所示。電機效率更高,因為消除了許多浪費能源的諧波。
表 1:20-kHz、500-ns 逆變器與 100-kHz、14-ns GaN 逆變器與減少輸入濾波器的比較2
電機中具有低 L/R 時間常數的應用
所有需要高電頻率和快速動態的應用,例如無人機螺旋槳和電動自行車踏板電機,都使用非常低電感(個位數 - 微亨利范圍)的電機。隨著通過更好的材料和更高強度的永磁體實現的更有效的磁路設計的出現,可以減少電磁相上的匝數,并且仍然產生相同的反電動勢。
電流隨時間的上升與電壓與電感的比有關,隨著電感的減小,電流上升得更快,PWM 感應電流紋波也是如此。電流上升時間縮短和紋波增大會增加產生的熱量并產生額外的 EMI 噪聲,這是不可取的。通常,這些電機的時間常數τ = L / R很小,可以從 100kHz 的 PWM 頻率中受益。
輸入電流和電壓紋波
逆變器中的輸入電壓紋波 Δv in與輸出相電流成正比,與 PWM 頻率和輸入電容成反比,如下式所示:
所需的紋波Δv取決于從直流電源到逆變器的電纜產生的輻射所給出的 EMI 約束。如果 PWM 頻率在 20 kHz 范圍內,則所需的輸入電容 ( C in ) 實際上只能通過使用體積較大且可靠性不如陶瓷電容器的電解電容器來獲得。此外,電解電容器受到可以流過它們的 RMS 電流的限制。當頻率提高到 100 kHz 時,設計人員可以使用 X7R 等陶瓷電容器。EPC9173 參考設計同時提供電解電容器和陶瓷電容器,讓設計人員有機會選擇他們喜歡的開關頻率,并根據需要添加或移除電容器。
梯形調制電動工具
許多電動工具應用仍在使用梯形調制方案和相關的逆變器原理圖。對于逐周期限流方案和低電感電機,PWM 頻率越低,電流紋波越高。這反過來又會產生熱量和不必要的功耗。使用具有相同梯形方案的 GaN 逆變器可以提高 PWM 頻率,然后降低電流紋波,從而獲得更高的效率、更少的熱量和更少的振動。
結論
在處理電機應用時,如果提高 PWM 頻率,大幅減少死區時間,并將輸入電容從電解電容轉換為陶瓷電容,GaN 逆變器可以提高系統效率。使用 EPC 的新型 GaN IC,例如 EPC2152 和 EPC23101,可以提高功率密度和系統效率,同時節省大量系統設計工作。
審核編輯:湯梓紅
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