精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路小結(jié)

冬至配餃子 ? 來源:射頻工程師的日常 ? 作者:CC ? 2022-08-10 11:09 ? 次閱讀

這幾天準(zhǔn)備測(cè)試DCDC電源的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)沒有負(fù)載,想著要不買一個(gè)看看,淘寶搜了一下,看到網(wǎng)上好多都是給電池放電,測(cè)試放電曲線用的,價(jià)格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程電源大師課中有設(shè)計(jì)好的負(fù)載demo板,立即便下載下來準(zhǔn)備打樣,自己做一個(gè)動(dòng)態(tài)負(fù)載切換的PCBA。

負(fù)載切換的原理很簡(jiǎn)單,主要通過PWM控制MOS管導(dǎo)通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路,其中TP2為DCDC輸出電壓。

① Q1截止時(shí),負(fù)載為R6=25Ω;

② Q1導(dǎo)通時(shí),負(fù)載為R5//R6=25Ω//3Ω=2.68Ω。

pYYBAGLzIPyAPLk6AAC8CWFMckc870.png

由于以前沒有MOS管驅(qū)動(dòng)的經(jīng)驗(yàn),估計(jì)我自己設(shè)計(jì)的話,直接就用一個(gè)555定時(shí)器驅(qū)動(dòng)如上圖所示的Q1,結(jié)果可想而知,肯定達(dá)不到理想的狀態(tài)。

那什么地方出問題了呢?MOSFET的驅(qū)動(dòng)難道不是VGS大于開啟電壓就可以了嗎?為什么要在前級(jí)放一個(gè)專用MOS管驅(qū)動(dòng)芯片呢?

這時(shí)候就要說到MOS管的寄生電容了,下圖是CSD17303Q5 MOS管的寄生電容參數(shù)和充電的電量。由于Q=Ig*t,Q不變的情況下,如果驅(qū)動(dòng)MOS管柵極的電流小,那么時(shí)間t就會(huì)很長(zhǎng),驅(qū)動(dòng)級(jí)就變成了電容的充放電波形。。。所以像前面提到的555電路直接驅(qū)動(dòng)功率MOS,是得不到一個(gè)漂亮的方波的,很容易就會(huì)生成一個(gè)三角波,從而達(dá)不到想到的效果了。

poYBAGLzIQ6AOE9xAAD7tYaaw6E820.png



審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    108

    文章

    2397

    瀏覽量

    66626
  • 寄生電容
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    291

    瀏覽量

    19195
  • DCDC電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    94

    瀏覽量

    19591
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    功率MOSFET的選型法則

    MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地,N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:24 ?246次閱讀

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于
    的頭像 發(fā)表于 10-29 10:45 ?288次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器的功耗計(jì)算

    SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

    碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。碳化硅SiC MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 10-16 13:52 ?609次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊封裝技術(shù)及<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>設(shè)計(jì)

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗有哪些

    功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。對(duì)于MOSFET驅(qū)動(dòng)器而言,其功耗主要由三部分組成:驅(qū)動(dòng)損耗、開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些損耗的產(chǎn)生與
    的頭像 發(fā)表于 10-10 15:58 ?259次閱讀

    TPS512xx MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS512xx MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-13 09:14 ?0次下載
    TPS512xx <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計(jì)指南

    驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET性能有什么影響

    驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)性能有著顯著的影響。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中常用的開關(guān)元件,其性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)分析驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 07-24 16:27 ?460次閱讀

    MOSFET驅(qū)動(dòng)電流有多大

    MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動(dòng)電流大小并不是一個(gè)固定的值,它受到多種因素的影響,包括MOSFET的具體型號(hào)、工作條件(如開關(guān)頻率、柵極電壓VGS、漏源電壓VDS等)、以及驅(qū)
    的頭像 發(fā)表于 07-24 16:22 ?855次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電流有多大

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器的分類和應(yīng)用

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的電路設(shè)備。MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 07-24 16:21 ?594次閱讀

    MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 07-13 09:40 ?4次下載

    如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?

    IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗,SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-13 16:10 ?577次閱讀

    電橋電路驅(qū)動(dòng)器和MOSFET驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹

    電橋電路驅(qū)動(dòng)器和MOSFET驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
    的頭像 發(fā)表于 03-19 09:43 ?616次閱讀
    電橋<b class='flag-5'>電路</b>柵<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器和<b class='flag-5'>MOSFET</b>柵<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器產(chǎn)品介紹

    常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

    常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給MOSFET
    發(fā)表于 01-22 18:09 ?1453次閱讀
    常用的<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

    SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求

    SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新興的功率半導(dǎo)體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應(yīng)用于各種
    的頭像 發(fā)表于 12-21 11:15 ?920次閱讀

    關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動(dòng)

    目前想設(shè)計(jì)一個(gè)關(guān)于MOSFET的DG極驅(qū)動(dòng)方案,存在問題為MOSFET可以正常開通,但無法關(guān)斷,帶負(fù)載時(shí)GS極始終存在4V電壓無法關(guān)斷MOSFET
    發(fā)表于 12-17 11:22

    SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

    SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
    的頭像 發(fā)表于 12-07 15:52 ?621次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的柵極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>和Turn-on/Turn-off動(dòng)作