精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

過氧化氫(雙氧水)工藝資料(下)

華林科納半導體設備制造 ? 來源:華林科納半導體設備制造 ? 作者:華林科納半導體設 ? 2022-08-16 17:19 ? 次閱讀

濃品工段工藝流程及產污節點圖見圖1

poYBAGL7YRWALFK_AAB3J_sQrKQ449.jpg

二、濃品工段工藝流程簡述

(1)進料系統

27.5%的過氧化氫進入原料液預熱器與底部產品(熱量回收)換熱,溫度從30℃加熱到37℃左右后由進料泵送入降膜蒸發器。

(2)進料蒸發

料液在降膜蒸發器內進行蒸發,蒸汽經過除霧器除去蒸汽中所夾帶的全部液滴。蒸發蒸汽與過氧化氫溶液同時從蒸發器排出,液相幾乎含有全部雜質。液相通過蒸發循環泵將大部分循環液再返回到蒸發器的頂部,少部分作為技術級產品送到技術級產品冷卻器使其溫度降到36℃再送到技術級產品儲罐。汽相進入精餾塔的下部。

(3)精餾塔

精餾塔為填料塔;過氧化氫與水之間的質量傳遞即在該填料表面進行。液相(回流液為去離子水)在此處與汽相(蒸汽)充分接觸。塔底得到化學級產品,進化學品級產品罐,最終進入產品罐。精餾塔尾氣經冷凝,冷凝液進冷凝液水封罐,尾氣再經冷凝,該蒸汽冷凝液含有極微量的過氧化氫。

濃品工段工藝流程及產污節點圖見圖2

pYYBAGL7YRWAPjzSAABH8Uo7bRg167.jpg

審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 工藝
    +關注

    關注

    4

    文章

    578

    瀏覽量

    28753
  • 雙氧水
    +關注

    關注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    2824
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    去除晶圓表面顆粒的原因及方法

    本文簡單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。   在12寸(300毫米)晶圓廠中,清洗是一個至關重要的工序。晶圓廠會購買大量的高純度濕化學品如硫酸,鹽酸,雙氧水,氨水,氫氟酸等用于清洗。
    的頭像 發表于 11-11 09:40 ?245次閱讀

    氧化工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,柵氧化工藝是通過熱氧化形成高質量的柵氧化層,它的熱穩定性和界面態都非常好。
    的頭像 發表于 11-05 15:37 ?203次閱讀
    柵<b class='flag-5'>氧化</b>層<b class='flag-5'>工藝</b>的制造流程

    三菱德克薩斯州工廠將擴建半導體化學品部門

    MGC Pure Chemicals America, Inc.的德克薩斯工廠,該工廠是一家子公司,它負責生產和分銷半導體制造過程中不可或缺的高純度過氧化氫和氫氧化銨。集團利用其在國內和國際上先進的超純
    的頭像 發表于 04-28 17:16 ?392次閱讀

    揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過程

    由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質量氧化層,因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。
    發表于 03-13 09:49 ?2865次閱讀
    揭秘芯片制造<b class='flag-5'>工藝</b>——硅的<b class='flag-5'>氧化</b>過程

    人工智能AI如何實現大規模制造過氧化物太陽能電池呢?

    據報道,德國科學家展示了人工智能(AI)如何實現大規模制造過氧化物太陽能電池(Adv. Mater.,doi: 10.1002/adma.202307160)。
    的頭像 發表于 03-01 14:39 ?999次閱讀

    藍曉科技新專利榮獲國家知識產權局頒發?

    該項專利摘要中詳述,新型的雙氧水純化方法采用多通轉換閥連續吸附系統及優質雙氧水純化樹脂相結合,極大地提高了己內酰胺產業中雙氧水制造的純凈度及經濟性。
    的頭像 發表于 02-26 15:39 ?425次閱讀
    藍曉科技新專利榮獲國家知識產權局頒發?

    電偶腐蝕對先進封裝銅蝕刻工藝的影響

    共讀好書 高曉義 陳益鋼 (上海大學材料科學與工程學院 上海飛凱材料科技股份有限公司) 摘要: 在先進封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中,電鍍銅鍍層的蝕刻存在各向異性的現象。研究結果表明,在磷酸、雙氧水
    的頭像 發表于 02-21 15:05 ?636次閱讀
    電偶腐蝕對先進封裝銅蝕刻<b class='flag-5'>工藝</b>的影響

    半導體資料氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN

    蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的過氧化氫(H2O2
    的頭像 發表于 02-02 17:56 ?610次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>資料</b>丨<b class='flag-5'>氧化</b>鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN

    半導體資料丨濕法刻蝕鍺,過氧化氫點解刻蝕,Cu電鍍

    用濕法腐蝕法從塊狀鍺襯底上制備亞10 um厚的鍺薄膜 低檢測密度的鍺薄膜對于研究缺陷密度對基于鍺的光學器件(光學探測器、LED和激光器)性能極限的影響至關重要。Ge減薄對Ge基多結太陽能電池也很重要。在本工作中,從蝕刻速率、表面形貌和表面粗糙度方面研究了使用三種酸性H,O溶液(HF、HCl和H,SO)的Ge濕法蝕刻。HCI-H,O,-H,0(1:1:5)被證明可以濕蝕刻535ym厚的體Ge襯底至4.1um,相應的RMS表面粗糙度為10nm,據我們所知,這是通過濕蝕刻方法從體
    的頭像 發表于 01-16 17:32 ?684次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>資料</b>丨濕法刻蝕鍺,<b class='flag-5'>過氧化氫</b>點解刻蝕,Cu電鍍

    武漢大學李進軍團隊Appl.Catal.B:Environ. 國儀BET助力炭材料去除揮發性有機物研究

    CIQTEK精選成果簡報Appl.Catal.B:多孔石墨化炭負載FeOCl作為雙功能吸附催化劑用于含氯揮發性有機化合物的濕式過氧化氧化:介孔的影響和機理研
    的頭像 發表于 12-28 08:24 ?752次閱讀
    武漢大學李進軍團隊Appl.Catal.B:Environ. 國儀BET助力炭材料去除揮發性有機物研究

    集成聲學諧振器和電化學芯片的微流控平臺實現過氧化氫檢測

    過氧化氫(H?O?)在調節細胞代謝、增殖、分化和凋亡方面起著至關重要的作用。
    的頭像 發表于 12-22 09:47 ?725次閱讀
    集成聲學諧振器和電化學芯片的微流控平臺實現<b class='flag-5'>過氧化氫</b>檢測

    晶振引腳氧化的原因及解決辦法

    。然而,如果選擇了不易防止氧化的材料,就容易導致引腳氧化,進而影響晶振正常工作。 2. 工藝環境不當:晶振引腳的工藝環境可能包含一些有害氣體或者化學物質,如高溫、濕度環境、酸堿溶液等,
    的頭像 發表于 12-18 14:36 ?707次閱讀

    華潤微電子12英寸集成電路生產線明年投產,智能傳感器如何撬動千億級產業集群

    工業大學 文丹通過離子液體(IL)的熱解來調節具有從疏水性到親水性,甚至到超親水性的梯度表面潤濕性的功能化碳納米管(fCNTs),探索表面潤濕性對過氧化氫(H 2 O 2 )細胞分泌模型的電化學生物傳感性能的依賴性。超親水f-CNTs表現出對H 2 O 2 的增強電催化還
    的頭像 發表于 12-13 17:23 ?875次閱讀
    華潤微電子12英寸集成電路生產線明年投產,智能傳感器如何撬動千億級產業集群

    簡單認識半導體材料

    的構成元素和它們在其中具體的個數。化學家使用更精確的術語“化合物”來描述元素的不同組合。因此,H2O(水),NaCl(氯化鈉或鹽),過氧化氫(過氧化氫)和As2O3都是不同的化合物,它們都是由單個分子的集合體組成的。
    的頭像 發表于 12-03 14:07 ?487次閱讀
    簡單認識半導體材料

    [半導體前端工藝:第二篇] 半導體制程工藝概覽與氧化

    [半導體前端工藝:第二篇] 半導體制程工藝概覽與氧化
    的頭像 發表于 11-29 15:14 ?1440次閱讀
    [半導體前端<b class='flag-5'>工藝</b>:第二篇] 半導體制程<b class='flag-5'>工藝</b>概覽與<b class='flag-5'>氧化</b>