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米勒平臺形成的基本原理

硬件攻城獅 ? 來源:硬件攻城獅 ? 作者:硬件攻城獅 ? 2022-08-29 11:28 ? 次閱讀

米勒平臺形成的基本原理

MOSFET柵極驅動過程,可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之后, MOSFET就會進入開通狀態(tài);當MOSFET開通后,Vds開始下降,Id開始上升,此時MOSFET進入飽和區(qū);但由于米勒效應,Vgs會持續(xù)一段時間不再上升,此時Id已經達到最大,而Vds還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅動電壓的值,此時MOSFET進入電阻區(qū),此時Vds徹底降下來,開通結束。

由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會使損耗的時間加長。(Vgs上升,則導通電阻下降,從而Vds下降)

4a2d9616-261c-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

米勒效應在MOS驅動中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應,在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過后GS電壓又開始上升直至完全導通。為什么會有穩(wěn)定值這段呢?因為,在MOS開通前,D極電壓大于G極電壓,MOS寄生電容Cgd儲存的電量需要在其導通時注入G極與其中的電荷中和,因MOS完全導通后G極電壓大于D極電壓。米勒效應會嚴重增加MOS的開通損耗。(MOS管不能很快得進入開關狀態(tài))

所以就出現了所謂的圖騰驅動!!選擇MOS時,Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應不可能完全消失。

MOSFET中的米勒平臺實際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標志。

用用示波器測量GS電壓,可以看到在電壓上升過程中有一個平臺或凹坑,這就是米勒平臺。

米勒平臺形成的詳細過程

米勒效應指在MOS管開通過程會產生米勒平臺,原理如下。

理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。

下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。

4a3a5482-261c-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

4a497160-261c-11ed-ba43-dac502259ad0.png

刪荷系數的這張圖 在第一個轉折點處:Vds開始導通。Vds的變化通過Cgd和驅動源的內阻形成一個微分。因為Vds近似線性下降,線性的微分是個常數,從而在Vgs處產生一個平臺。

米勒平臺是由于mos 的g d 兩端的電容引起的,即mos datasheet里的Crss 。

這個過程是給Cgd充電,所以Vgs變化很小,當Cgd充到Vgs水平的時候,Vgs才開始繼續(xù)上升。

Cgd在mos剛開通的時候,通過mos快速放電,然后被驅動電壓反向充電,分擔了驅動電流,使得Cgs上的電壓上升變緩,出現平臺。

4a61fcc6-261c-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

t0~t1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet沒通.電流由寄生二極管Df.

t1~t2: Vgs from Vth to Va. Id

t2~t3: Vds下降.引起電流繼續(xù)通過Cgd. Vdd越高越需要的時間越長.

Ig 為驅動電流.

開始降的比較快.當Vdg接近為零時,Cgd增加.直到Vdg變負,Cgd增加到最大.下降變慢.

t3~t4: Mosfet 完全導通,運行在電阻區(qū).Vgs繼續(xù)上升到Vgg.

4a6fade4-261c-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

平臺后期,VGS繼續(xù)增大,IDS是變化很小,那是因為MOS飽和了。。。,但是,從樓主的圖中,這個平臺還是有一段長度的。

這個平臺期間,可以認為是MOS 正處在放大期。

前一個拐點前:MOS 截止期,此時Cgs充電,Vgs向Vth逼進。

前一個拐點處:MOS 正式進入放大期

后一個拐點處:MOS 正式退出放大期,開始進入飽和期。

當斜率為dt 的電壓V施加到電容C上時(如驅動器的輸出電壓),將會增大電容內的電流:

I=C×dV/dt (1)

因此,向MOSFET施加電壓時,將產生輸入電流Igate = I1 + I2,如下圖所示。

4a7f3160-261c-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

在右側電壓節(jié)點上利用式(1),可得到:

I1=Cgd×d(Vgs-Vds)/dt=Cgd×(dVgs/dt-dVds/dt) (2)

I2=Cgs×d(Vgs/dt) (3)

如果在MOSFET上施加柵-源電壓Vgs,其漏-源電壓Vds 就會下降(即使是呈非線性下降)。因此,可以將連接這兩個電壓的負增益定義為:

Av=- Vds/Vgs (4)

將式(4)代入式(2)中,可得:

I1=Cgd×(1+Av)dVgs/dt (5)

在轉換(導通或關斷)過程中,柵-源極的總等效電容Ceq為:

Igate=I1+I2=(Cgd×(1+Av)+Cgs)×dVgs/dt=Ceq×dVgs/dt (6)

式中(1+Av)這一項被稱作米勒效應,它描述了電子器件中輸出和輸入之間的電容反饋。當柵-漏電壓接近于零時,將會產生米勒效應。

Cds分流最厲害的階段是在放大區(qū)。為啥?因為這個階段Vd變化最劇烈。平臺恰恰是在這個階段形成。你可認為:門電流Igate完全被Cds吸走,而沒有電流流向Cgs。

4a8db0aa-261c-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

注意數據手冊中的表示方法

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

審核編輯:彭靜
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原文標題:MOS管開關時的米勒效應

文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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