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基于構建Si/SiC/石墨三層異質結結構在石墨上的錨定

鴻之微 ? 來源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-08-30 10:31 ? 次閱讀

傳統石墨負極的容量和倍率性能正逐漸不能滿足人們的需求。硅作為地殼中最豐富的的元素之一,同時還擁有極高的理論容量(4200 mA h g-1),目前已開始逐漸商業化應用。但是,Si循環過程中極大地體積膨脹和較差的導電性還沒有完全解決,導致商用負極中Si的比例還較低,遠沒有發揮Si基電極的全部潛力。

近日,南京工業大學的劉祥教授及其團隊提出構建Si/SiC/石墨三層異質結結構,實現了納米級Si在石墨上的錨定,減緩了Si的團聚,大大提高了電極的電化學性能,為后續Si電極的研發提供了一條行之有效的設計思路。

目前LIBs電池中已經開始逐步應用Si基負極。但是由于Si在充放電過程中的體積膨脹過大,容易引起電極材料的粉化、SEI膜的反復形成,最終導致電機容量的快速衰減,所以商業應用的Si基負極中Si的比例還極低,遠沒有完全發揮Si的高容量特性。針對這一問題,目前主流的思路是將Si縮減至納米尺度。但這又會引起另一問題,便是首效僅有約65–85%,遠低于石墨負極(90-95%)。Si/石墨復合材料可以同時具有Si和石墨的特性,同時實現高循環壽命和高首效。然而由于在基平面上sp2雜化的炭原子與沉積顆粒相互作用力很小,Si顆粒很難均勻的附著在石墨上。

本文作者針對這一問題,僅在650℃的鎂熱還原反應下,生成了SiC界面,原位的在石墨基平面上錨定了Si納米顆粒。通過調節SiO2和石墨的比例,可以輕松的實現界面反應。當SiO2和石墨摩爾比為0.33-0.5時,Si可以在較低溫度下便形成3C-SiC界面。結構表征揭示了片狀Si粒子與3C-SiC界面在基面分布良好。第一性原理顯示在Si(111)/3C-SiC(111)和3CSiC(111)/GNs(001)兩個界面有較強的結合力。第一性原理計算還顯示Si與石墨的界面之間結合力極差,這也證實了Si在石墨上極容易發生剝落,導致比容量衰減。電化學測試也表明,通過三相異質結結構,初始容量可以高達97.8%。并且在0.1 A g-1的電流密度下容量保持率高達82.9%。

總的來說,本文作者利用鎂熱反應自身放熱,在較低溫度便實現了SiC界面的產生,并利用Si/SiC/石墨三相界面,將Si顆粒均勻的錨定在石墨上。通過第一性原理等對其界面結合力進行了詳細的分析,為后續Si/石墨電極的研發提供了大量參考指導。

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圖1 Si/GNs復合異質結結構制備與結構示意圖。

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圖2 不同Si/石墨比例樣品的XRD、拉曼、SEM圖。

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圖3 Si/GNs-0.33的透射電鏡分析。

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圖4 (a) Si在石墨(001)面上的弛豫結構示意圖;(b) Si在SiC(111)面上的弛豫結構示意圖;(c) SiC在石墨(001)面上的弛豫結構示意圖。

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圖5 半電池電化學測試結果。

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圖6 全電池電化學測試結果。

審核編輯:彭靜
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原文標題:文章轉載|南京工大《ESM》:把納米級Si錨定在石墨上!大大提高電極性能

文章出處:【微信號:hzwtech,微信公眾號:鴻之微】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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