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基于構(gòu)建缺失連接體的雙功能MIL-125(Ti)-Zn

鋰電聯(lián)盟會(huì)長(zhǎng) ? 來(lái)源:鋰電聯(lián)盟會(huì)長(zhǎng) ? 作者:鋰電聯(lián)盟會(huì)長(zhǎng) ? 2022-09-23 15:20 ? 次閱讀

由于其固有的安全性、高容量和成本效益,可充電的鋅基水系電池已經(jīng)引起了越來(lái)越多的關(guān)注。然而,鋅枝晶、競(jìng)爭(zhēng)性析氫反應(yīng)等問(wèn)題導(dǎo)致了鋅金屬的不均勻電鍍/剝離過(guò)程,大大降低了鋅負(fù)極的循環(huán)性能和庫(kù)倫效率。

針對(duì)上述問(wèn)題,研究人員進(jìn)行了廣泛的研究,并提出了三維導(dǎo)電集流體、高濃度電解液、引入電解液添加劑和鋅負(fù)極表面的人造SEI層等策略。在人造SEI層領(lǐng)域,金屬有機(jī)骨架(MOF)因其良好的離子傳導(dǎo)、物理化學(xué)穩(wěn)定性和開(kāi)放的均勻孔結(jié)構(gòu),有利于均勻金屬離子通量而受到廣泛關(guān)注。

文 章 簡(jiǎn) 介

基于此,來(lái)自哈爾濱工業(yè)大學(xué)張乃慶教授等在國(guó)際能源領(lǐng)域頂級(jí)期刊Energy Storage Materials上發(fā)表題為“Missing-Linker Bifunctional MIL-125(Ti)-Zn Interface Modulation Layer to Simultaneously Suppress Hydrogen Evolution Reaction and Dendrites for Zn Metal Anodes”的觀點(diǎn)文章。

該文章基于缺陷工程策略構(gòu)建了一種缺失連接體雙功能鋅負(fù)極人工SEI膜MIL-125(Ti)-Zn。MIL-125(Ti)-Zn通過(guò)缺失連接體增加氧的電子密度,構(gòu)建出富電子氧位點(diǎn),同時(shí)降低了Zn2+在MIL-125(Ti)-Zn上的吸附能(Ead)以及Zn2+擴(kuò)散能壘,有效調(diào)節(jié)Zn2+的擴(kuò)散行為,加速Zn2+的擴(kuò)散動(dòng)力學(xué),保證了Zn2+的均勻成核和高效沉積。

此外,H*在氧位點(diǎn)上的強(qiáng)吸附抑制了氫氣的析出,從而抑制了鋅金屬負(fù)極的析氫副反應(yīng)。基于上述協(xié)同效應(yīng), MIL-125(Ti)-Zn@Zn負(fù)極組裝的對(duì)稱電池在1 mA cm?2電流密度下表現(xiàn)出超過(guò)2100小時(shí)的良好循環(huán)穩(wěn)定性,庫(kù)倫效率達(dá)到99%以上。

本 文 要 點(diǎn)

要點(diǎn)一:構(gòu)建缺失連接體的雙功能MIL-125(Ti)-Zn

MIL-125(Ti)-Zn是通過(guò)原位摻入Zn替代Ti,在MIL-125(Ti)的晶體結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生缺陷,即缺失連接體(圖1c)。差分電荷密度計(jì)算表明,在MIL-125(Ti)-Zn中可以清楚地觀察到不平衡的電荷分布,Zn和O原子之間的缺失連接體明顯地誘導(dǎo)了電荷轉(zhuǎn)移,提高O的電子密度,促進(jìn)H*在O原子上的強(qiáng)烈吸附和快速的Zn2+(圖1d)。掃描電子顯微鏡(SEM)圖像顯示,MIL-125(Ti)-Zn(圖1e)完全保持了MIL-125(Ti)的形態(tài)。相應(yīng)的能量色散光譜(EDS) 元素圖譜 圖像證實(shí),MIL-125(Ti)-Zn主要在表層觀察到明顯的Zn和Ti的存在(圖1f-1i)。

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圖1. (a) 裸鋅金屬負(fù)極 (b) MIL-125(Ti)-Zn@Zn 金屬負(fù)極的鋅沉積過(guò)程示意圖。(c)缺失連接體的 MIL-125(Ti)-Zn 的示意圖。棕色、紅色、白色、黃色、藍(lán)色和灰色球分別代表 C、O、H、缺失連接體 H、Ti 和 Zn 原子。(d) MIL-125(Ti)-Zn 的微分電荷密度分布。(e) MIL-125(Ti)-Zn的 SEM 和 (f-i) EDS 元素映射圖像,其中Ti 元素(藍(lán)色)、Zn 元素(黃色)、C 元素(紅色)和 O 元素(綠色)。

XRD分析的結(jié)果推斷,所有的復(fù)合材料都具有良好的結(jié)晶性,并與MIL-125(Ti)相匹配。當(dāng)摻入Zn后,初始和摻入的復(fù)合材料的晶格參數(shù)表現(xiàn)出一些差異,晶胞V輕度增加。晶格常數(shù)的變化可能是由于Ti位點(diǎn)被Zn取代造成的,意味著Zn的摻雜元素已經(jīng)成功引入到原始相中(圖2a)。XPS分析初始MIL-125(Ti)和MIL-125(Ti)-Zn的化學(xué)狀態(tài)和表面化學(xué)成分。相應(yīng)的結(jié)果和元素分布數(shù)據(jù)顯示在圖2b-d。MIL-125(Ti)-Zn中的Ti 2p3/2(459.0eV)和Ti 2p1/2 (464.8eV)的峰值與MIL-125(Ti)中的峰值相比都正移了≈0.2eV。這些偏移表明電子從Ti轉(zhuǎn)移到缺失連接體MIL-125(Ti)-Zn中的O,增加了O的電子密度。由此得出,富含電子的氧位點(diǎn)被成功構(gòu)建。

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圖2. (a) MIL-125(Ti)-Zn 的 XRD 曲線的 Rietveld 精修,觀察到的強(qiáng)度(×號(hào)),計(jì)算的強(qiáng)度(紅線),所有可能的反射峰的位置(豎線)以及計(jì)算和觀察之間的差異強(qiáng)度(底部實(shí)線)。MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 的 XPS 測(cè)量光譜:(b) O 1s、(c) Ti 2p 和 (d) Zn 2p。

要點(diǎn)二:改性鋅沉積的表征

SEM揭示了電鍍和剝離之后,裸Zn金屬負(fù)極和MIL-125(Ti)-Zn@Zn金屬負(fù)極形貌和結(jié)構(gòu)特征進(jìn)行了表征(圖3a)。以1mA cm-2對(duì)裸Zn負(fù)極和MIL-125(Ti)-Zn@Zn負(fù)極進(jìn)行電鍍后,在裸Zn表面形成了明顯的枝晶(圖3b),剝離后殘留的枝晶也成為潛在的安全隱患(圖3c)。然而,在MIL-125(Ti)-Zn@Zn負(fù)極的表面上,電鍍Zn金屬后,MIL-125(Ti)-Zn層的厚度保持不變,Zn層均勻地沉積在MIL-125(Ti)-Zn層下面(圖3e)。剝離后,MIL-125(Ti)-Zn層保持完整,而底部的Zn則完全沒(méi)有變化(圖3f)。鋅沉積過(guò)程后電極的EDS圖譜(圖3g-i)進(jìn)一步證實(shí)了鋅的均勻沉積。

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圖3. SEM 照片:(a)裸鋅和(d)MIL-125(Ti)-Zn@Zn負(fù)極,(b)裸鋅和 (e)MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極在1mA cm-2下鍍覆Zn的側(cè)視圖,在(c) 裸鋅和 (f)MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極在1mA cm-2下剝離 Zn的側(cè)視圖。(g-i) MIL-125(Ti)-Zn @Zn 負(fù)極的 EDS 元素映射圖像。(j) 循環(huán)后裸鋅負(fù)極和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極的 XRD 光譜。(k) 裸鋅負(fù)極和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極的拉曼光譜。

要點(diǎn)三:電化學(xué)性能研究

為了探究MIL-125(Ti)-Zn層保護(hù)鋅負(fù)極的可行性,研究人員進(jìn)行了一系列MIL-125(Ti)-Zn@Zn的電化學(xué)測(cè)試。與裸鋅相比,MIL-125(Ti)-Zn@Zn對(duì)稱電池的電壓分布顯示出較小的電壓波動(dòng),這表明MIL-125(Ti)-Zn層的存在使鋅的電鍍/剝離過(guò)程更加可逆,在2100h內(nèi)具有約80 mV的低滯后電壓(圖4a)。

相比之下,MIL-125(Ti)@Zn對(duì)稱電池的電壓滯后在180h后增加,而裸鋅電池產(chǎn)生的枝晶引起的內(nèi)部短路導(dǎo)致了電池的失效,電壓在45h后急劇下降。在5mA cm-2的電流密度下, MIL-125(Ti)-Zn@Zn對(duì)稱電池仍能穩(wěn)定循環(huán)長(zhǎng)達(dá)近700小時(shí)(圖4b)。MIL-125(Ti)-Zn@Zn對(duì)稱電池的倍率性能也顯示出穩(wěn)定的電壓曲線和較低的滯后電壓(圖4c)。組裝MIL-125(Ti)@Zn-Cu電池,庫(kù)倫效率達(dá)到99%以上(圖4d),揭示了鋅電鍍/剝離的良好可逆性(圖4d-g)。

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圖4. (a) 基于裸鋅箔和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極的對(duì)稱電池在 1mA cm-2下的電壓曲線,容量為 1mAh cm-2。(b) 基于裸鋅箔和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極的對(duì)稱電池在 5mA cm-2下的電壓曲線,容量為 5mAh cm-2。(c) Zn 和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極在電流密度從 1 mA cm-2增加到 10 mA cm-2連續(xù)循環(huán)期間的倍率性能。(d) 裸鋅、MIL-125(Ti)-Zn 和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極在 1mA cm-2和容量為1mAh cm-2上的 Zn 電鍍/剝離的庫(kù)倫效率。在不同循環(huán)下(e)裸鋅負(fù)極、(f) MIL-125(Ti)-Zn 負(fù)極、(g) MIL-125(Ti)-Zn@Zn負(fù)極的鋅電鍍/剝離的相應(yīng)電壓-容量曲線。

要點(diǎn)四:鋅離子傳輸擴(kuò)散機(jī)制

通過(guò)DFT計(jì)算Zn2+在負(fù)極表面的擴(kuò)散能壘,揭示了Zn2+的擴(kuò)散機(jī)制。從初始狀態(tài)到過(guò)渡狀態(tài),Zn2+在整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中與O原子結(jié)合,在最終狀態(tài)下通過(guò)MIL-125(Ti)和MIL-125(Ti)-Zn的孔隙(圖5a,5b)。由于缺失連接體的形成,Zn的擴(kuò)散屏障急劇下降,從而加速了擴(kuò)散的動(dòng)態(tài)過(guò)程(圖5c)。

計(jì)時(shí)電流(CA)曲線表明MIL-125(Ti)-Zn@Zn電極僅在30s的平面擴(kuò)散后就進(jìn)入了穩(wěn)定的三維(3D)擴(kuò)散過(guò)程,表明MIL-125(Ti)-Zn在提高擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)方面優(yōu)于MIL-125(Ti)和裸Zn(圖5d)。Zn2+和材料之間的吸附能Ead 被認(rèn)為是對(duì)負(fù)極親鋅性的定量描述。裸鋅的Zn(001)和Zn(101)晶面的鋅吸附能都大于富電子氧上的Zn2+的吸附能,證明MIL-125(Ti)-Zn親鋅性更弱。因此,Zn2+未能在MIL-125(Ti)-Zn上成核,而是通過(guò)MIL-125(Ti)-Zn層擴(kuò)散,最后沉積在Zn金屬表面(圖5e)。

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圖5. Zn2+在 (a) MIL-125(Ti) 和 (b)MIL-125(Ti)-Zn 上的擴(kuò)散路徑示意圖。(Ti、Zn、C、O 和 H 原子分別以藍(lán)色、灰色、棕色、紅色和白色顯示, 插入的 Zn 原子以紫色顯示。(c)Zn (001)、MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 上Zn2+的擴(kuò)散能壘圖。(d) -150 mV 下 100 s內(nèi)裸 Zn、MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 上 Zn 成核的計(jì)時(shí)電流曲線。(e)Zn (001)、Zn (101)、MIL-125(Ti) 表面和 MIL-125(Ti)-Zn 表面吸附的Zn2+的吸附能 Ead。

要點(diǎn)五:析氫副反應(yīng)的抑制

由于Zn2+的還原電位與HER的電位相近,因此比較由含Zn2+的鹽類組成的電解質(zhì)的線性掃描伏安法(LSV)曲線來(lái)分析人造SEI層對(duì)HER的抑制能力不夠準(zhǔn)確。為了避免Zn2+還原的干擾,保證電解液的導(dǎo)電性,我們采用了低還原電位的Na2SO4電解液進(jìn)行LSV測(cè)試。在-1.3至-2.3 V的寬電壓范圍內(nèi)與標(biāo)準(zhǔn)氫電極(SHE)相比,在三個(gè)負(fù)極中MIL-125(Ti)-Zn@Zn表現(xiàn)出最低的電流密度(圖6a)。對(duì)于裸Zn,MIL-125(Ti)-Zn層的腐蝕電位從-0.964V增加到-0.884V(圖6b)闡明了MIL-125(Ti)-Zn@Zn電極的腐蝕反應(yīng)傾向最小,腐蝕程度最低。

為了進(jìn)一步闡明MIL-125(Ti)@Zn抑制HER反應(yīng)的機(jī)制,計(jì)算了HER中間物的吸附吉布斯自由能。根據(jù)薩巴蒂爾原理,計(jì)算出吸附H原子形成H2的吉布斯自由能ΔGH* ,是預(yù)測(cè)和評(píng)估HER表面活性的一個(gè)關(guān)鍵描述符。具體來(lái)說(shuō),吸附步驟限制了整體動(dòng)力學(xué),并決定了弱結(jié)合強(qiáng)度(ΔGH* > 0)下的電化學(xué)過(guò)電位,而解吸步驟的過(guò)電位在較低的結(jié)合能(ΔGH* < 0)下占優(yōu)勢(shì)。越接近ΔGH* = 0 eV,HER活性越強(qiáng),越有利于氫氣的析出。

相反,ΔGH* 的絕對(duì)值越大,HER活性越弱,越難析出氫氣。MIL-125(Ti)上的O的ΔGH* 值為+0.82eV(圖6c),這意味著MIL-125(Ti)與H*結(jié)合得太弱,不能穩(wěn)定中間狀態(tài),從而抑制后續(xù)的氫氣析出反應(yīng)的發(fā)生。由于不同的電子特性,H*的吸附行為表明MIL-125(Ti)-Zn上的O位點(diǎn)對(duì)H*的吸附最強(qiáng)(圖6d,6e),抑制了H*的解吸和H2的釋放。從而抑制后續(xù)的氫氣析出反應(yīng)的發(fā)生

同時(shí)計(jì)算了MOF的電子態(tài)密度(DOS)并研究了MOF電子結(jié)構(gòu)的變化。,隨著MOF中缺失連接劑的形成,MIL-125(Ti)-Zn的電子結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化(圖6f,6g)Ti的d帶變寬,電子離域并轉(zhuǎn)移到O上,增強(qiáng)了對(duì)HER中間H*的吸附。從以上結(jié)果可以看出,MIL-125(Ti)中摻入Zn的缺失連接體結(jié)構(gòu)的可以調(diào)節(jié)Ti和O的電子狀態(tài),提高O的電子密度,增強(qiáng)對(duì)H*的吸附,獲得較高ΔGH* ,從而抑制HER副反應(yīng)的發(fā)生。

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圖6. (a) 不同樣品在 2M Na2SO4水性電解質(zhì)中的 LSV 曲線。對(duì)電極是 Pt,參比電極是 Ag/AgCl。(b) Zn、MIL-125(Ti)@Zn 和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負(fù)極的Tafel曲線。(c) 計(jì)算得到的 Zn (001)、MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 上 HER 的氫吉布斯自由能圖。(d) MIL-125(Ti)、(e) MIL-125(Ti)-Zn 通過(guò)計(jì)算得到的 O 位點(diǎn)的氫吸附圖像。計(jì)算得到的 MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 中 (f) Ti 和 (g)O 的部分態(tài)密度 (PDOS)。

研究結(jié)果證明了缺失連接體的雙功能 MIL-125(Ti)-Zn 是一種非常有吸引力的鋅負(fù)極層,它顯示出高庫(kù)侖效率,同時(shí)能夠抑制析氫反應(yīng)和鋅枝晶的特性。研究者發(fā)現(xiàn) MIL-125(Ti)-Zn 的優(yōu)異性能是由于 MOF 骨架中缺少連接體能夠構(gòu)建富電子的氧位點(diǎn),從而大大降低 Zn2+的擴(kuò)散勢(shì)壘,加速Zn2+擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)并且有效均勻 Zn2+的通量分布。

此外,富電子氧位點(diǎn)增強(qiáng)了H*的吸附,獲得較高ΔGH*,減少了HER副反應(yīng)的危害,從而提高了鋅負(fù)極的循環(huán)壽命。MIL-125(Ti)-Zn@Zn 電極組裝的對(duì)稱電池在 2100 小時(shí)內(nèi)表現(xiàn)出出色的循環(huán)穩(wěn)定性,在 1 mA cm-2時(shí)電壓滯后約為 80 mV,這些結(jié)果為開(kāi)發(fā)高性能的鋅金屬負(fù)極開(kāi)辟了一條新途徑,對(duì)于多功能人工保護(hù)層的開(kāi)發(fā)有著重要的借鑒作用。

審核編輯:彭靜
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原文標(biāo)題:基于缺陷工程設(shè)計(jì)人造SEI膜抑制Zn金屬負(fù)極枝晶和析氫反應(yīng)

文章出處:【微信號(hào):Recycle-Li-Battery,微信公眾號(hào):鋰電聯(lián)盟會(huì)長(zhǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    CD40192B-<b class='flag-5'>MIL</b> CMOS 可預(yù)置 BCD 加/減計(jì)數(shù)器(具有重置<b class='flag-5'>功能</b>的<b class='flag-5'>雙</b>時(shí)鐘)

    CD4027B-MIL CMOS 路 J-K 主/從觸發(fā)器

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    發(fā)表于 11-02 19:15
    CD4027B-<b class='flag-5'>MIL</b> CMOS <b class='flag-5'>雙</b>路 J-K 主/從觸發(fā)器

    CD4007UB-MIL CMOS 路輔助對(duì)反向器

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    發(fā)表于 12-07 16:14

    LMH6624-MIL 單/超低噪聲寬帶運(yùn)算放大器

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    發(fā)表于 04-18 20:38

    LM1458-MIL 運(yùn)算放大器

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    發(fā)表于 04-18 20:31

    MIL-DTL-38999圓形連接器的功能性超乎想象

      多功能性已融入 38999 連接器的 DNA。MIL-DTL-38999 標(biāo)準(zhǔn)(最初為 MIL-C-38999)旨在定義一種堅(jiān)固、幾乎萬(wàn)無(wú)一失的 I/O 圓形壓接
    的頭像 發(fā)表于 11-02 11:10 ?2880次閱讀

    MIL-DTL-38999圓形連接器的多功能性擴(kuò)展

      多功能性已融入 38999 連接器的 DNA。MIL-DTL-38999 標(biāo)準(zhǔn)(最初為 MIL-C-38999)旨在定義一種堅(jiān)固、幾乎萬(wàn)無(wú)一失的 I/O 圓形壓接
    的頭像 發(fā)表于 11-15 17:32 ?1451次閱讀

    天璣9400旗艦芯助力連接體驗(yàn)再起飛

    MediaTek 天璣通過(guò)在通信領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,為用戶帶來(lái)可靠的網(wǎng)絡(luò)連接體驗(yàn)。在天璣 5G 高效率 AI 模型的加持下,天璣 9400 旗艦芯整合了海量的天線阻抗大數(shù)據(jù),能夠在 5G 網(wǎng)絡(luò)場(chǎng)景下實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 11-04 13:47 ?222次閱讀