一、什么是 D類放大器?
什么是D類音頻功率放大器?用一個通俗易懂的話來說就是:D類音頻功率放大器就是一個開關放大器。 但是如果要完全理解D類音頻功率放大器的工作原理,還需要更加深入的了解。 傳統(tǒng)放大器,例如:AB類,作為線性設備運行。將這個與開關放大器進行比較,之所以這么命名是因為功率晶體管(MOSFET)的作用類似于開關,將其狀態(tài)從關閉變?yōu)殚_啟。這允許非常高的效率,高達 80 - 95%。因此,放大器不會產(chǎn)生大量熱量,也不需要像線性 AB 類放大器那樣的大散熱器。相比之下,B 類放大器只能達到78.5%的最大效率(理論上)。 你可以在下面看到基本 PWM D 類放大器的框圖,就像我們正在構(gòu)建的那樣。
PWM D 類放大器的框圖 使用比較器將輸入信號轉(zhuǎn)換為脈寬調(diào)制的矩形信號。這基本上意味著輸入被編碼為矩形脈沖的占空比。矩形信號被放大,然后低通濾波器產(chǎn)生原始模擬信號的更高功率版本。 還有其他將信號轉(zhuǎn)換為脈沖的方法,例如 ΔΣ(delta-sigma)調(diào)制,但在這里,我們將使用 PWM。
二、使用比較器進行脈寬調(diào)制
在下圖中,你可以看到怎么將通過將正弦信號(輸入)與三角形信號進行比較,將其轉(zhuǎn)換為矩形信號。
使用比較器進行脈寬調(diào)制 在正弦波的正峰值處,矩形脈沖的占空比為 100%,而在負峰值處為 0%。三角信號的實際頻率要高得多,大約為數(shù)百 kHz,以便我們以后可以提取原始信號。 一個真正的濾波器,不是一個理想的濾波器,沒有從通帶到阻帶的完美“磚墻”過渡,所以我們希望三角形信號的頻率至少比人類聽覺上限 20KHz 高 10 倍。
三、功率級
雖然理論上這樣的,但是實踐起來不一定行得通,如果想將前面的框圖真正地應用到實踐中,就會發(fā)現(xiàn)一些問題。 兩個問題是功率級中器件的上升和下降時間,以及我們使用NMOS 晶體管作為高端驅(qū)動器。
因為 MOSFET 的開關不是瞬間完成的,而更像是上下山,晶體管的導通時間會重疊,從而在正負電源軌之間形成低阻抗連接。這會導致高電流脈沖通過我們的 MOSFET,從而導致故障。 為了防止這種情況,我們需要在驅(qū)動高端和低端 MOSFET 的信號之間插入一些死區(qū)時間。實現(xiàn)此目的的一種方法是使用 專用MOSFET 驅(qū)動器,例如 IR2110S或 IR2011S。此外,這些 IC 提供高側(cè) NMOS 所需的升壓柵極電壓。
四、低通濾波器
對于濾波階段,最好的方法之一是使用巴特沃斯濾波器。
低通濾波器 這些類型的濾波器在通帶中具有非常平坦的響應。這意味著我們想要達到的信號不會被衰減太多。 我們想要過濾高于 20 kHz 的頻率。截止頻率計算為 -3dB,因此我們希望它更高一點,以免過濾我們想聽到的聲音。最好選擇 40 到 60 kHz 之間的值。 品質(zhì)因數(shù):Q=1/√2Q 這些是用于計算電感和電容值的公式: L=RL√2/2?π?fc C=1/2√2?π?fc?RL
五、構(gòu)建 DIY 放大器
在前面已經(jīng)介紹了D類放大器的工作原理,現(xiàn)在自己來構(gòu)建一個D類放大器。 因為散熱器幾乎不會變熱,與 AB 類放大器相反,如果不主動冷卻,其散熱器會變得非常熱。 下面可以看到設計的放大器的示意圖。它基于IRAUDAMP1參考設計。主要區(qū)別在于,我的不是 ΔΣ 調(diào)制,而是使用 PWM。
構(gòu)建 DIY 放大器 下面是D 類放大器的設計選擇以及電路配合,先從左側(cè)開始。 1、輸入電路 對于輸入電路,先使用高通濾波器,然后使用低通濾波器。
三角波發(fā)生器 2、三角波發(fā)生器 對于三角波發(fā)生器,我使用了LMC555,它是著名的555 芯片的 CMOS 變體。 電容的充電和放電會產(chǎn)生一個漂亮的三角形,它并不完美(它呈指數(shù)上升和下降),但如果上升和下降時間相等,它就可以完美地工作。 電阻和電容的值設置了大約 200kHz 的頻率。高于此值,電路就可能會有問題,因為比較器和 MOSFET 驅(qū)動器不是最快的設備。
三角波發(fā)生器 3、比較器 對于比較器,你可以使用任何你想要的組件——只需要快。這里使用了可用的 LM393AP。在 300ns 的響應時間上,它不是最快的,肯定可以改進,但它確實可以完成工作。如果你想使用其他 IC,請注意檢查引腳是否匹配,不然的話,就不得不修改 PCB 設計。 理論上,運算放大器可以用作比較器,但實際上運算放大器是為其他類型的工作而設計的,因此得使用真正的比較器。 因為我們需要比較器的兩個輸出,一個用于高端驅(qū)動器,一個用于低端驅(qū)動器,所以這里使用 LM393AP。這是一個封裝中的兩個比較器,我們只需將輸入交換為第二個比較器。 另一種方法是使用具有兩個輸出的比較器,例如 LT1016。這些設備可能會提供一些改進的性能,但它們也可能更昂貴。 這個比較器由 5V 雙極電源供電,由兩個穩(wěn)壓二極管提供,用于調(diào)節(jié)來自主電源的電壓,即 ±30V。
比較器 4、MOSFET 驅(qū)動器 對于 MOSFET 驅(qū)動器,選擇使用 IR2110。另一種選擇是 IR2011,它用于參考設計。該集成電路確保添加了上面談到的死區(qū)時間。 由于 IC 的 VSS 引腳連接到負電源,我們需要對來自比較器的信號進行電平轉(zhuǎn)換。這是使用 PNP 晶體管和 1N4148 二極管完成的。 為了驅(qū)動 MOSFET,我們以 12V 參考負電源電壓為 IR2110 供電,該電壓是使用 BD241 和 12V 齊納二極管產(chǎn)生的。 高側(cè) MOSFET 需要由高于開關節(jié)點 VS 約 12V 的柵極電壓驅(qū)動,這需要高于正電源的電壓,IR2110 在我們的自舉電容 C10 的幫助下提供此驅(qū)動電壓。
MOSFET 驅(qū)動器 5、過濾器 最后是過濾器,截止頻率為 40kHz,負載電阻為 4 Ω,因為我們有一個 4 Ω的揚聲器(這里使用的值也適用于 8 Ω的揚聲器,但最好根據(jù)揚聲器調(diào)整濾波器)。 有了這些信息,我們可以計算電感和電容的值: L=4√2H/2?π?40000=22.508μH 我們可以安全地四舍五入到 22μH。 C=1F/2√2?π?40000?4=0.703μH 最接近的標準值為 680nF。
六、構(gòu)建 DIY 放大器注意事項
1、低通濾波器 對于低通濾波器,你可以使用 680nF 的電容以盡可能接近計算值,但你也可以使用 1μF 的電容,沒有任何問題(這里設計 PCB 時可以使用兩個電容并聯(lián))。 這些電容必須是聚丙烯或聚酯——一般來說,將陶瓷電容用于音頻信號并沒有很好,并且你需要確保用于過濾的電容額定為高壓,至少 100VAC(更多不會造成傷害)。設計中的其余電容也需要具有適當?shù)念~定電壓。 上面設計這款放大器的輸出功率約為 100-150W,你應該使用具有 ±30V 電壓軌的雙極電源。也可以高于此值,但對于大約 ±40V 的電壓,需要確保將電阻 R4 和 R5 的值更改為 2K2。 沒有必要,但強烈建議將BD241C使用散熱器,因為它會變得非常熱。 2、MOSFET 就功率 MOSFET 而言,建議使用IRF540N 或 IRFB41N15D。這些 MOSFET 具有低柵極電荷,可加快開關速度,低 R DS (on) 可降低功耗。你還需要確保 MOSFET 具有足夠的最大 VDS(漏源電壓)額定值。可以使用IRF640N,但 RDS (on) 明顯更高,導致放大器效率較低,這是一個比較這三個 MOSFET 的表格:
MOSFET 3、電感 現(xiàn)在是電感,可以買一個已經(jīng)做好的,但我建議你自己上一個——這畢竟是一個 DIY 項目。 購買 T106-2 環(huán)形線圈,必須是鐵粉。鐵氧體可以工作,但它需要一個間隙,否則它會飽和。使用上述環(huán)形線圈,纏繞40匝直徑為 0.8-1mm(AWG20-18)的銅漆包線。 4、電阻 最后,除非注明(R4、R5),否則所有電阻均為 1/4W。
七、測試
當設計 PCB 時,非常容易測試。輸入信號有自己的連接器,有兩個用于接地的鏟形端子:一個用于電源,一個用于揚聲器。 為了消除嗡嗡聲(50/60 Hz,來自電源頻率),使用了星地配置,這意味著將所有接地(放大器接地、信號接地和揚聲器接地)連接在同一點,最好是在整流器電路之后的電源 PCB 上。
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原文標題:手把手教你構(gòu)建D 類放大器
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