網(wǎng)上看到這個(gè)電路，據(jù)說刷掉一大部分面試者，一起來分析一下吧。

電路圖

有兩個(gè)晶體管(transistor)，一個(gè)NPN和一個(gè)PNP，連接方式下圖所示。假設(shè)此晶體管是硅(Si)，并顯示0.6伏特(V)基極至發(fā)射極電壓，且兩個(gè)晶體管的?值非常高，使得基極電流幾乎為零。求電壓V？？

分析的第一步

對(duì)于NPN基本上為零的基極電流，R1和R2的電壓在NPV的基礎(chǔ)上將+12V導(dǎo)通電壓分壓為+4V。當(dāng)Vbe為0.6V時(shí)，NPN發(fā)射極為+3.4V，在R3中流過的電流為3.4mA。

分析的第二步

接下來的問題是，NPN發(fā)射器和R5如何共享3.4mA電流？

PNP的Vbe為0.6V，如此使得R4中的電流為0.06mA或60μA。在PNP基極電流幾乎為零的情況下，由于NPN的?值非常高，60μA成為NPN的集電極(collector)電流，也變成NPN的發(fā)射極電流。 流過R5的電流必須是R3的3.4mA電流和NPN發(fā)射極的0.06 mA電流之間的差值。該值為3.4-0.06=3.34mA。

分析的第三步

R5上的電壓降為3.34V，當(dāng)加到R3頂端的3.4V時(shí)，將R5和PNP集電極的頂端放在+ 6.74V。