精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOS管柵源下拉電阻的作用 MOS管被擊穿的原因及解決方法

凡億PCB ? 來源:8號線攻城獅 ? 作者:8號線攻城獅 ? 2022-10-12 09:21 ? 次閱讀

一、MOS管柵源下拉電阻的作用

MOS是電壓驅(qū)動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電,這個微小的電荷可以儲存很長時間。 在試驗中G懸空很危險,很多就因為這樣爆管,G接個下拉電阻對地,旁路干擾信號就不會直通了,一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻。

作用1:為場效應(yīng)管提供偏置電壓;

作用2:起到瀉放電阻的作用(保護(hù)柵極G~源極S);

第一個作用好理解,這里解釋一下第二個作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S,場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動作,甚至有可能擊穿其G-S極。這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護(hù)場效應(yīng)管的作用。

二、MOS管被擊穿的原因及解決方法

第一:MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C),將管子損壞。

雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施,但仍需小心對待,在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時,工具、儀表、工作臺等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時,使用的設(shè)備必須良好接地。

第二:MOS電路輸入端的保護(hù)二極管,其導(dǎo)通時電流容限一般為1mA,在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時,應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時可選擇一個內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)。還有,由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件的輸入端,一般使用時,可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9581

    瀏覽量

    165956
  • 下拉電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    147

    瀏覽量

    20499
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    108

    文章

    2397

    瀏覽量

    66626

原文標(biāo)題:MOS柵源(G-S)極下拉電阻有什么作用?

文章出處:【微信號:FANYPCB,微信公眾號:凡億PCB】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    MOS輸入電阻很高,為什么一遇到靜電就不行了?

    或者是極開路。 二、MOS擊穿原因及解決方案? 第一、
    發(fā)表于 06-21 13:40

    淺談mos擊穿原因

    本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 編輯 MOS擊穿原因及解決方案如下:  第一、
    發(fā)表于 07-14 15:34

    MOS為什么會被靜電擊穿

    焊性變差。MOS擊穿原因及解決方案第一、MOS
    發(fā)表于 06-01 15:59

    挖掘MOS擊穿原因及解決方案

    `<p> 挖掘mos擊穿原因及解決方案  一、MOS
    發(fā)表于 11-05 14:26

    MOS電路邏輯及MOS參數(shù)

    ,可以使MOS的VT值降到2~3V。  2.直流輸入電阻RGS  即在極之間加的電壓與柵極電流之比,這一特性有時以流過柵極的
    發(fā)表于 11-20 14:06

    MOS電路邏輯及MOS參數(shù)

    ~3V。  2.直流輸入電阻RGS  即在極之間加的電壓與柵極電流之比,這一特性有時以流過柵極的流表示,MOS
    發(fā)表于 11-20 14:10

    淺析看不到的靜電,是如何把MOS擊穿的?

    很高的輸入電阻,只是MOS的輸入電阻更高。  MOS的質(zhì)量不好才會被靜電
    發(fā)表于 02-15 11:33

    MOS擊穿燒壞的判斷

    三極,不可的話考慮MOS  MOS擊穿原因
    發(fā)表于 05-30 00:34

    靜電為什么能擊穿MOS?如何應(yīng)對?

      其實MOS一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而-極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的
    發(fā)表于 05-14 10:22

    MOS靜電擊穿原因分析

    MOS一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而-極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場合難于
    發(fā)表于 06-02 11:01 ?3168次閱讀

    MOS擊穿原因及解決方案

    MOS為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS
    的頭像 發(fā)表于 05-20 17:21 ?3.5w次閱讀

    MOS引起靜電擊穿原因解決方法

    其實MOS一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而-極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場合
    的頭像 發(fā)表于 05-16 15:05 ?6305次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>引起靜電<b class='flag-5'>擊穿</b>的<b class='flag-5'>原因</b>及<b class='flag-5'>解決方法</b>

    MOS下拉電阻作用

    第一個作用好理解,這里解釋一下第二個作用的原理。保護(hù)柵極G~極S,場效應(yīng)的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-
    的頭像 發(fā)表于 11-17 15:56 ?1813次閱讀

    MOS擊穿原因

    問題。 一、MOS擊穿原因 1. 高輸入電阻與小電容
    的頭像 發(fā)表于 10-04 16:44 ?819次閱讀

    MOS擊穿原理分析、原因解決方法

    MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng))是一種常用的電子元件,在電路中起著開關(guān)、放大等重要作用。然而,在某些情況下,MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-09 11:54 ?2958次閱讀