Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論（NEGF - DFT）的第一性原理計算軟件，主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過程，是目前國內(nèi)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件。可預(yù)測材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運(yùn)性質(zhì)。

迄今為止，Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計等重要研究課題中，并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究的領(lǐng)域。

本期將給大家介紹Nanodcal石墨烯和其它1D/2D材料4.2.2-4.2.2.3的內(nèi)容。

4.2.2. 計算門壓下的雙層石墨烯的能帶

4.2.1.3 計算10Volt門壓下的能帶

(1)準(zhǔn)備輸入文件：scf10volt.input及基組文件C_LDA-DZP.nad

(2)自洽計算，見2.1.2自洽計算及能帶計算。

(3)能帶計算，見2.1.2自洽計算及能帶計算。

4.2.1.3 計算20Volt門壓下的能帶

(1)準(zhǔn)備輸入文件：Scf20volt.input及基組文件C_LDA-DZP.nad

(2)自洽計算，見2.1.2自洽計算及能帶計算。

(3)能帶計算，見2.1.2自洽計算及能帶計算。

4.2.2.3 可視化分析

在DeviceStudio的rojectExplorer區(qū)域選中計算結(jié)果文件BandStructure.fig→右擊→ShowView，經(jīng)過數(shù)據(jù)處理后，如下圖：

圖 4-6: 10Volt門壓下的雙層石墨烯的能帶:

圖 4-7：20Volt無門壓下的雙層石墨烯的能帶圖:

分析：可視化帶結(jié)構(gòu)并在K點(diǎn)附近放大，在K點(diǎn)處，帶隙隨著電場強(qiáng)度的增加而打開。