使用MKE14F512VLL16 來初始化/讀/寫 FlexNVM。FlexNVM沒有被正確的處理。
FlexNVM 操作步驟如下:
——Flash 初始化
. RunDFlashHandler() -> SetupDFlash() -> FLASH_Init()
——Flash 擦除
. RunDFlashHandler() -> if (gFlash.data.u08Mode == DFLASH_ERASE) -> SetCoreAsRunMode()/FLASH_Erase()/SetCoreAsHSRunMode()
——Flash 寫
. RunDFlashHandler() -> else if (gFlash.data.u08Mode == DFLASH_WRITE) -> SetCoreAsRunMode() / FLASH_Program() & ReadE2PDFlash() / SetCoreAsHSRunMode()
——Flash 讀
. RunDFlashHandler() -> else if (gFlash.data.u08Mode == DFLASH_READ) -> ReadE2PDFlash()

> FlexNVM 操作問題描述
- Erase -> Write(8Byte) -> Read : 讀失敗/寫入的數據不能讀出
- Erase -> Read :擦除前的數據被讀出
- Erase -> Write(8Byte) ->延遲或者復位-> Read :讀取成功

FlexNVM 直接讀取失敗，當寫入數據到 FlexNVM后，執行延遲或者復位操作，可以正確的讀取到寫入的數據。MKE14F 推測預取緩沖區相關的函數：

mscm_flash_prefetch_speculation_enable。用Bootloader將固件寫入到 Flash中，在引導加載程序中，未使用緩存。這種情況下，是否需要在引導加載程序中應用以下功能函數？

Flash_cache_clear_process與mscm_flash_prefetch_speculation_enable

解答：

檢查 LMEM_PCCLCR寄存器的LCIVB ，如果有 cache命中事件，則 LCIVB應該是 "1", 如果 cache沒有命中，則 LCIVB 是 "0"。

程序 Flash和 數據Flash的空間分別是 0x0000-0x7FFFF(512k, bank0) 和0x10000000-0x10010000 (64k flexNVM, bank1) 。程序Flash 可以用來存儲代碼和數據，FlexNVM是非易失性的存儲器，可以執行程序代碼，保存數據或者備份的 EEPROM數據。

> 解決方案：
- 替代 Flash 驅動，從v2.1.0 更換到 v2.3.1，如下是 v2.3.1的 Flash驅動。

- 應用強制寫模式
LMEM->PCCCR |= LMEM_PCCCR_INVW1_MASK | LMEM_PCCCR_INVW0_MASK | LMEM_PCCCR_PCCR2_MASK |LMEM_PCCCR_PCCR3_MASK;

當使用以下代碼使緩存無效后讀取FlexNVM區域時，沒有出現讀取失敗現象。如下是解決方案:

> Cache Invalidate 方法

為什么應用緩存失效后讀取失敗會消失？緩存無效清除了讀取失敗現象。但這似乎不是一個解決方案。根本原因是cache 是使能的，但是 FlexNVM 在 write-through 模式下不能工作。數據不會寫入目標地址，而是寫入高速緩存，讀取的數據從高速緩存中讀取，因此讀取的數據和寫入的數據可能不同。根據修改后的SDK FlexNVM示例復制了問題，發現有兩種方法可以解決問題：

1) 在SystemInit 函數中禁止 Cache功能

void SystemInit (void) {
#if ((__FPU_PRESENT == 1) && (__FPU_USED == 1))
SCB->CPACR |= ((3UL << 10*2) | (3UL << 11*2)); /* set CP10, CP11 Full Access */
#endif /* ((__FPU_PRESENT == 1) && (__FPU_USED == 1)) */

#if (DISABLE_WDOG)
WDOG->CNT = WDOG_UPDATE_KEY;
WDOG->TOVAL = 0xFFFF;
WDOG->CS = (uint32_t) ((WDOG->CS) & ~WDOG_CS_EN_MASK) | WDOG_CS_UPDATE_MASK;
#endif /* (DISABLE_WDOG) */

/* Initialize Cache */
/* Enable Code Bus Cache */
/* set command to invalidate all ways, enable write buffer
and write GO bit to initiate command */
// LMEM->PCCCR |= LMEM_PCCCR_INVW1_MASK | LMEM_PCCCR_INVW0_MASK;
// LMEM->PCCCR |= LMEM_PCCCR_GO_MASK;
// /* Wait until the command completes */
// while (LMEM->PCCCR & LMEM_PCCCR_GO_MASK) {
// }
// /* Enable cache, enable write buffer */
// LMEM->PCCCR |= (LMEM_PCCCR_ENWRBUF_MASK | LMEM_PCCCR_ENCACHE_MASK);
__ISB();

}

2) 在 LMEM_PCCCR 寄存器中使能 PCCR3 和 PCCR2 位來為FlexNVM啟用強制寫入模式。

LMEM->PCCCR |= LMEM_PCCCR_INVW1_MASK | LMEM_PCCCR_INVW0_MASK | LMEM_PCCCR_PCCR2_MASK |LMEM_PCCCR_PCCR3_MASK;

上述兩種方法都可以解決讀失敗的問題。

審核編輯：湯梓紅