案例背景
PCBA元器件發(fā)生脫落現(xiàn)象,據(jù)此進(jìn)行試驗(yàn)分析,查找失效原因。
#1樣品BGA脫落;#2樣品BGA有微裂紋(未偏位);#3樣品FPC空板(未貼裝器件)。
分析過程
#1樣品
#1樣品外觀圖
剝離面分析
SEM剝離面形貌分析
#1-1:
#1-2:
說明:從表面殘留焊錫及斷面狀態(tài)分析,存在有河流花樣及解理臺階,判斷其為解理斷裂,即脆性斷裂。
EDS成分分析
說明: 對#1-1焊盤進(jìn)行EDS分析,主要檢出Sn、Ni、P、Cu元素,其中P含量高達(dá)15%左右。
PCB鍍層的分析
PCB鍍層(Pd鈀)的分析:選取邦定芯片的一個(gè)pin位置,采用化學(xué)褪金后觀察Pd表面的晶格狀態(tài)。
說明:#1樣品褪金后Pb層的晶格狀態(tài)分析:晶格致密、平整,晶粒間無空洞或縫隙,無異常。
#2樣品
#2樣品外觀圖
1.外觀分析
#整體圖示
2-1號焊點(diǎn)
2-4號焊點(diǎn)
3-1號焊點(diǎn)
說明:#2樣品上側(cè)(靠近玻璃芯片處)的焊球(①、③)與基板起翹分離。②、④焊球未見明顯異常。
2.斷面分析
金相分析
說明: #2樣品的①、②焊點(diǎn)切片斷面金相分析,焊點(diǎn)① 焊球與焊盤開裂,呈分離狀態(tài),開裂縫隙由外向內(nèi)(芯片端→PCB邊緣端)變小。
SEM分析
#焊點(diǎn)①斷裂兩側(cè)狀態(tài)分析
說明:焊盤為SMD類型,從焊點(diǎn)兩側(cè)斷裂狀態(tài)可見,存在焊錫受阻焊膜壓迫形成臺階現(xiàn)象,以及焊錫與阻焊膜之間存在應(yīng)力殘留的結(jié)構(gòu)特征。兩邊緣開裂位置基本都在富磷層。
小課堂:BGA焊盤兩種定義方式
1.阻膜定義(SMD):
焊盤的尺寸要比非阻焊掩膜大,再流焊接后,熔化的焊料球接觸阻焊掩膜。
主要問題是由SMD焊點(diǎn)產(chǎn)生的應(yīng)力集中,這是造成焊點(diǎn)失效及可靠性變?nèi)醯钠鹨颉?/p>
2.非阻焊定義(NSMD):
掩膜的開口要比銅箔焊盤大,所以在再流之后,焊料球不會接觸阻焊掩膜。
#焊點(diǎn)②焊接狀態(tài)分析:
說明:#2樣品的焊點(diǎn)②狀態(tài)良好,IMC層連續(xù)、均勻,平均厚度為1.58μm,富磷層0.17um。
EDS成分分析
說明: 對焊點(diǎn)①進(jìn)行EDS分析,主要檢出Sn、Ni、P、Cu元素,其中富磷層P含量在10.5%左右,Ni層P含量在8.5%左右。
#3樣品
Ni/Pd/Au鍍層厚度分析
#Ni/Pd/Au厚度:
注:厚度單位為μm。
說明:從上記檢測結(jié)果可見:Au平均厚度:0.0925um;Pd平均厚度:0.0875um;Ni平均厚度:6.275um。
鎳鈀金工藝鍍層Au、Pd厚度一般要求在0.08μm左右,上記結(jié)果符合要求。
分析結(jié)果
綜合以上檢測信息,針對BGA焊點(diǎn)裂紋失效解析如下:
1. 通過對#1樣品BGA剝離后的斷口分析,有明顯的脆性斷裂特征(平整、河流花樣、解理臺階),說明該斷裂是由應(yīng)力導(dǎo)致的瞬時(shí)沖擊形成(原始狀態(tài))。
2.通過對剝離面的EDS分析,P含量高達(dá)15%左右(#1樣),切片斷面的分析,富磷層的P含量在10.5%左右(#2樣),說明斷裂位置部分處于富磷層。
3.通過切片斷面的分析,斷裂界面出現(xiàn)在IMC層及富磷層,斷裂裂紋為上下契合狀,進(jìn)一步說明了焊點(diǎn)是受到應(yīng)力導(dǎo)致斷裂。同時(shí),F(xiàn)PC采用SMD焊盤結(jié)構(gòu),焊盤上覆蓋的阻焊膜使BGA焊點(diǎn)與阻焊膜接觸的位置形成了應(yīng)力集中點(diǎn)(同時(shí)也可能有焊接時(shí)的應(yīng)力殘留未釋放),在受到外部應(yīng)力作用時(shí),該位置易被突破。
分析結(jié)論:根據(jù)以上綜合分析,造成焊點(diǎn)斷裂的原因判斷為,F(xiàn)PC受到應(yīng)力作用,同時(shí)BGA焊點(diǎn)位置由于SMD焊盤設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)有應(yīng)力集中的缺陷,從而造成BGA在受到一定程度的應(yīng)力后出現(xiàn)裂紋失效。
改善方案
結(jié)合樣品的工藝流程分析,初步推斷超聲清洗工程可能存在應(yīng)力作用。BGA類產(chǎn)品,對應(yīng)力作用比較敏感。
FPC清洗時(shí),BGA所處的不同深度、不同位置受到的應(yīng)力作用可能不同。建議從超聲清洗工藝進(jìn)行驗(yàn)證排查,找到合適的清洗條件(頻率、溫度)。
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審核編輯:湯梓紅
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