對于先進的電子器件來說，大規模二維(2D)材料集成到半導體晶圓上是非常需要的，但諸如轉移相關的裂紋、污染、皺折和摻雜等挑戰仍然存在。

在此，來自國防科技大學和北京大學等單位研究者，采用原子分辨掃描透射電子顯微鏡結合密度泛函理論計算，展示了Ca和Si等價摻雜共偏析引起α-Al2O3中的GB結構轉變。相關論文以題為“Integrated wafer-scale ultra-flat graphene by gradient surfaceenergy modulation”發表在Nature Communications上。

論文鏈接：

https://www.nature.com/articles/s41467-022-33135-w

將二維(2D)材料集成到當前的硅技術中，可以將高遷移率、懸空無帶接口、原子尺度通道尺寸嵌入實際的電子和光電器件中。注意，一個必要的前提是將二維材料從其生長基板轉移到工業晶圓上。然而，在二維材料的晶圓級單晶生長方面，傳質方法還存在著很大的差距，這阻礙了近年來在二維材料晶圓級單晶生長方面的進展。通常，濕轉移方法通常使用聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)薄膜作為轉移介質，以支持二維材料從生長基板分離，并從液體表面舀到目標基板。對于石墨烯，由于石墨烯表面的水吸附而引入的裂紋、皺紋、聚合物污染和水摻雜，濕轉移方法可能會顯著降低其性能。這些因素作為額外的散射中心，限制了載波遷移率，降低了設備性能。

為了克服這些問題，以往的嘗試表明，優化PMMA和用小分子或其他聚合物替換PMMA將促進清潔的石墨烯轉移，與目標基板的共形接觸可以減少裂紋和皺紋的形成，而發展干轉移方法可以通過防止目標基板浸入液體中來減少水摻雜。然而，到目前為止，還沒有任何方法能完全解決這些問題，而且大多數方法都不能與晶圓級的高容量半導體技術兼容。

在此，根據薄膜黏附理論，薄膜從一層到另一層的轉移主要取決于每層表面能的差異，研究者設計了一種具有梯度表面能分布的多功能三層轉移介質。在這種情況下，目標基板的表面能越高，由于在界面處有更好的潤濕性和更大的粘附強度，它作為薄膜“受體”的作用就越好。因此，轉移介質和目標基板的表面能應經過設計，以確?？煽康恼掣胶歪尫?，這是確保晶圓尺度二維材料集成的關鍵特征。因此，梯度表面能(GSE)調制方法有助于將4英寸單晶超平石墨烯集成到硅晶片上。轉移后的石墨烯晶圓保持其平整度，表面完整、干凈，水摻雜微乎其微。因此，得到的晶圓級石墨烯在4英寸的面積上具有均勻的薄片電阻，誤差只有約6%。石墨烯在SiO2/Si上的轉移表現出優異的電學性能，室溫下狄拉克點更小，載流子遷移率更高。在室溫下，在SiO2/Si上轉移的石墨烯中也觀察到量子霍爾效應(QHE)，在1.7 K時，被h-BN封裝的轉移石墨烯中記錄到分數量子霍爾效應(FQHE)，其高遷移率可達約280,000 cm2 V?1 s?1。此外，在4英寸石墨烯/硅晶圓上制備的集成熱發射器陣列在近紅外區顯示出顯著的廣譜發射。

圖1 梯度表面能調制的晶圓級石墨烯集成。

圖2 轉移石墨烯的均勻性。

圖3 轉移石墨烯的電學性質。

圖4 晶圓級石墨烯熱發射器的集成與輻射特性。

綜上所述，研究者成功地開發了一種與當前半導體技術兼容的硅片尺度石墨烯集成的通用方法。物理粘附模型和數據揭示了梯度表面能，在晶圓級石墨烯轉移中的重要性，使轉移過程中可靠的粘附和釋放。因此，獲得了具有保留固有特性的4英寸無損傷石墨烯，有助于在4英寸面積上形成均勻的電阻，誤差約為6%。

與傳統的PMMA轉移石墨烯相比，轉移的石墨烯由于可以忽略的摻雜水平和更少的散射中心而提高了電性能。用石墨烯在SiO2/Si上制備的霍爾桿器件具有小的狄拉克點和高的載流子遷移率(高達~ 10000 cm2 V?1 s?1)，可以在室溫下觀察到量子霍爾效應(QHE)?？傊?，所提出的方法，可作為其他固有二維材料集成的通用方法，如h-BN和2D MoS2在晶圓水平上的集成，為集成高性能電子和光電子的發展鋪平道路。

審核編輯 ：李倩