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分享下關(guān)于噪聲的學(xué)習(xí)過程

電磁兼容EMC ? 來源:一邊學(xué)術(shù)一邊藝術(shù) ? 作者:沙威 ? 2022-11-11 09:34 ? 次閱讀

最近很多關(guān)于噪聲的討論,于是我找到之前的筆記,分享下我的學(xué)習(xí)過程。

噪聲盡管是工程中最常見的現(xiàn)象和問題,但其物理本質(zhì)卻是極其精深的。拿最簡單的一個電阻來說,不要接任何外加電源,噪聲始終是存在的。也就是電阻通過電流的均值是0,但是其方差或者漲落不是0,數(shù)學(xué)上=0, ≠0。

最早由Kubo等人,包括Nyquist 等一批物理學(xué)家建立了漲落耗散理論,才對噪聲、布朗運動等很多現(xiàn)象作出了精彩的解釋。后來結(jié)合量子理論,對自發(fā)輻射、卡西米爾力、近場熱傳導(dǎo)等量子現(xiàn)象做出解釋。

漲落耗散定理的實質(zhì),是熱平衡條件下,任何物體都會吸收電磁波譜(叢零頻到X-ray甚至更高),同時也必須輻射出電磁波,這兩個物理過程是平衡的。上述物理過程聯(lián)系到黑體輻射理論和細(xì)致平衡理論。

所以噪聲、暗電流本質(zhì)上就是吸收了電磁波的能量。噪聲對一個通訊系統(tǒng)的重要性,暗電流對一個光電子器件的重要性,是眾所周知的。

而電磁波的儲能能量一定正比于場強(qiáng)的平方,所以必然不是0。物體的耗散,釋放出電磁波,造成了電磁波在真空中一般的漲落;這個一般漲落的能量又被物體吸收,周而復(fù)始。

且這個漲落即使在絕對0度時,都依然存在。這就是著名的漲落耗散定理。

但是推導(dǎo)電磁場的漲落遠(yuǎn)遠(yuǎn)比電流的漲落難度大很多。一般對一個電路,漲落耗散定理可以寫成,1/2R=kB*T/(2*pi) df,右側(cè)kB*T是有限溫度下平均光子能量,2*pi 項是Fourier變換的原因,df代表單位頻率。

所以寬帶噪聲估計公式kB*T*B,B是帶寬。嚴(yán)格的量子表達(dá)式1/2 hbar omega+hbar omega/[exp(hbar omega/(kB*T))-1],可以看出當(dāng)hbar趨近于0,上式的經(jīng)典表達(dá)式就是kB*T。

而如果T=0,就是1/2 hbar omega。1/2 hbar omega是著名的零點能量,對應(yīng)真空漲落。其他T不等于0,叫做熱漲落。

根據(jù)電流漲落表達(dá)式,我們可以求出單位體積單位頻率,電流密度的漲落表達(dá)式 1/2=sigma*kB*T/(2*pi)。這里,我們假設(shè)不同空間點電流密度是不相關(guān)的,=0,當(dāng)r不等于r’。

而怎么得到電磁場的漲落表達(dá)式,要依賴格林函數(shù)理論。因為電場可以用電流和格林函數(shù)卷積得到,但是這時的格林函數(shù)不是自由空間的,而是任意非均勻空間的格林函數(shù)。

經(jīng)過一番化簡和努力,我們可得到 的表達(dá)式。這個表達(dá)式很有趣,正比于非均勻空間并矢格林函數(shù)的需部Im (G),因此是regular的。

所以不同頻率,不同空間點的電磁場漲落是不同的,正比于對應(yīng)頻率、對應(yīng)空間點,在非均勻電磁系統(tǒng)放入一個點源后,得到的在這個點處電場的實部。

漲落耗散定理是我加入weng cho chew教授組第一個系統(tǒng)學(xué)習(xí)的理論。最大的收獲是發(fā)現(xiàn)原來看似很簡單的噪聲,其實背后是極其復(fù)雜、精深的理論,需要深入思考。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:關(guān)于噪聲的討論[20221111]

文章出處:【微信號:EMC_EMI,微信公眾號:電磁兼容EMC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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