Wolfspeed SiC TOLL MOSFET榮獲 2022 年全球電子成就獎 由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團 AspenCore 主辦的 2022 全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）頒獎典禮于近日盛大召開。

Wolfspeed新款 650V 碳化硅（SiC） TOLL 封裝 MOSFETC3M0060065L榮獲2022 年全球電子成就獎 - 創(chuàng)新產(chǎn)品獎（年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器類別）。 Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 針對高性能電力電子應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計，適合企業(yè) / 服務(wù)器 / 通信電源、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、光伏逆變器和電機驅(qū)動等。Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 比之硅基 MOSFET，導(dǎo)通電阻溫度依賴性顯著更低，從而帶來更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通損耗，這對于實現(xiàn)下一代電源在高功率條件下實現(xiàn)更效率至關(guān)重要。

Wolfspeed 新款 650V 碳化硅 MOSFET C3M0060065L，通過工業(yè)認(rèn)證，導(dǎo)通電阻為 60 m?，額定電流為 36 A。它采用 TOLL 封裝，封裝尺寸比之標(biāo)準(zhǔn) TO-263-7L 封裝所小 25%。它背面金屬焊盤更大，可降低器件溫度，從而進一步降低系統(tǒng)級散熱需求。與此同時，它的低引線電感還意味著，在將系統(tǒng)向碳化硅轉(zhuǎn)型時，除了可預(yù)期的系統(tǒng)效率優(yōu)勢之外，還將實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。TOLL 封裝的緊湊尺寸、更低損耗、高功率耗散能力將助力實現(xiàn)高功率設(shè)計。

全球電子成就獎旨在評選并表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者，對獲獎公司以及個人來說，全球電子成就獎的獲得是一項崇高的榮譽，各類獎項獲得提名的企業(yè)、管理者及產(chǎn)品均為行業(yè)領(lǐng)先者，充分體現(xiàn)了其在業(yè)界的領(lǐng)先地位與不凡表現(xiàn)。由 AspenCore 全球資深產(chǎn)業(yè)分析師組成的評審委員會以及來自亞洲、美洲、歐洲的網(wǎng)站用戶群共同評選出得獎?wù)摺?/p>

審核編輯 ：李倩