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單原子Bi-N4能誘導(dǎo)高密度Zn核有助于在低溫條件下的沉積行為

清新電源 ? 來源:清新電源 ? 作者:景 ? 2022-11-14 15:56 ? 次閱讀

研究背景

由于鋅金屬儲(chǔ)量豐富、成本低廉,且具有高比容量(820 mAh g-1)和低氧化還原電位(-0.752 Vvs.SHE)的良好電化學(xué)特性,使得水系鋅離子電池(ZIBs)在大規(guī)模儲(chǔ)能應(yīng)用中具有巨大前景。然而在電化學(xué)循環(huán)過程中,不受控制的鋅枝晶會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的容量下降,甚至引起電池失效。Zn枝晶的形成主要源于隨機(jī)的Zn形核,在低溫下由于形核勢壘顯著增加,Zn形核會(huì)嚴(yán)重聚集,加劇Zn枝晶的生長。這將嚴(yán)重阻礙鋅電池在冬季或高緯度地區(qū)的寒冷環(huán)境中的規(guī)模應(yīng)用。

成果簡介

鑒于此,南開大學(xué)王歡(通訊作者)等利用Bi?N4基團(tuán)的高活性和單原子最大暴露性,制備了Bi?N4基團(tuán)作為Zn成核位點(diǎn),提高了高倍率和低溫條件下Zn金屬電池的Zn成核動(dòng)力學(xué)。相關(guān)成果以“Enabling Low-Temperature and High-Rate ZnMetal Batteries by Activating Zn Nucleationwith Single-Atomic Sites”為題發(fā)表在ACS Energy Letters上。

研究亮點(diǎn)

1、單原子Bi-N4能誘導(dǎo)具有較低成核勢壘的高密度Zn核,有助于在低溫條件下的沉積行為;

2、Bi-N4/C@Zn||KVOH全電池?30°C在1 A g-1下循環(huán)2000次后,具有88.3%的容量保持率,平均庫侖效率為100%。

圖文介紹

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方案1.Zn在N/C(上)和Bi?N4/C(下)襯底上成核過程和沉積形貌比較。

作者采用聚合輔助法制備了原子級(jí)分散的Bi-N4物種,用于研究零度以下Zn的成核行為。獨(dú)特的結(jié)構(gòu)使高倍率和低溫鋅金屬負(fù)極具有以下特點(diǎn)(方案1):

(i)Bi-N4位點(diǎn)可以作為形核種子,引導(dǎo)Zn沿面內(nèi)方向形核和沉積;

(ii)最大暴露的Bi-N4單原子可以顯著增加Zn的形核數(shù)量;

(iii)不飽和配位的Bi中心可以促進(jìn)快速電子/電荷轉(zhuǎn)移。

以上因素共同促進(jìn)了鋅金屬在低溫下的成核動(dòng)力學(xué),有助于鋅均勻沉積和穩(wěn)定循環(huán)。

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1.Bi-N4/C材料的合成與表征。(a)Bi-N4/C合成原理圖。(b)TEM圖像。(c)HAADF-STEM形象。(d)XRD圖譜。(e)XPS N 1s光譜(上)和Bi 4f光譜(下)。(f)Bi L3邊XANES和(g) EXAFS光譜。(h)Bi?N4/C的EXAFS擬合。

作者通過熱解與Bi3+配位的共價(jià)三嗪框架(CTF),合成了原子級(jí)分散的Bi單原子(圖1a)。通過透射電子顯微鏡(TEM)分析了制備樣品的形貌,顯示出由二維納米片組成的三維分層花狀納米結(jié)構(gòu)(圖1b)。在經(jīng)過像差校正的高角度環(huán)形暗場掃描TEM(HAADF-STEM)圖像中,可以分辨出對(duì)應(yīng)于單原子Bi的孤立亮點(diǎn)(圖1c)。在XRD圖譜(圖1d)可看出歸屬于石墨碳的(002)和(001)晶面。

采用XPS揭示了其元素組成和化學(xué)狀態(tài)。高分辨率的N 1s光譜可以分為吡啶氮和石墨氮(圖1e)。同時(shí),Bi 4f光譜中存在位于Bi0和Bi3+之間的兩個(gè)峰,證實(shí)了N和Bi原子之間的相互作用。采用X射線吸收近紅外光譜(XANES)和擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)確定了單原子位點(diǎn)的電子結(jié)構(gòu)和局部配位結(jié)構(gòu)。

圖1f中的Bi L3邊譜顯示,Bi-Nx中的Bi物種的氧化狀態(tài)在Bi箔和Bi2O3之間,這與XPS分析一致。Bi-Nx的R空間的EXAFS光譜在1.49埃處表現(xiàn)出一個(gè)主峰為Bi-N鍵(圖1g),表明不存在Bi團(tuán)簇和納米顆粒。EXAFS擬合結(jié)果確認(rèn)了Bi主要與四個(gè)N原子配位(圖1h)。

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圖2.(a)計(jì)算不同位點(diǎn)Zn的結(jié)合能。(b)Zn吸附在Bi?N4位點(diǎn)上的電荷密度差(淺藍(lán)色和黃色區(qū)域分別表示負(fù)電荷和正電荷差)。(c)?30°C成核過電位。(d)?30°C時(shí)的電流密度與電位曲線。?30°C下不同電位下(e)Zn沉積和(f)Zn成核的計(jì)算瞬態(tài)電流與實(shí)驗(yàn)瞬態(tài)電流的比較。

采用密度函數(shù)理論(DFT)計(jì)算了Zn原子和Bi-N4物種之間的相互作用。如圖2a所示,Zn原子在不同位點(diǎn)上的結(jié)合能大小為:Bi-N4>吡啶N(Pn-N)>未摻雜C(Gr)>石墨N(Gr-N)。Zn吸附后,Zn和Bi-N4之間的局部電荷密度增加(圖2b),表明Bi-N4位點(diǎn)與Zn原子結(jié)合力較強(qiáng),并能引導(dǎo)Zn成核

將Bi-N4/C涂覆在不銹鋼(SS)上,并以相同方式涂覆N/C層作為對(duì)照組。在-30℃下,在2 M Zn(OTF)2水系電解液中研究了鋅的成核行為。在電流密度為0.5至2 mA cm-2時(shí),Bi-N4/C表現(xiàn)出比N/C更低的過電位(圖2c),表明Bi-N4可以促進(jìn)Zn成核。

通過擬合過電位與電流密度的線性關(guān)系(圖2d),與N/C(2.6 mA cm-2)相比,Bi-N4/C基質(zhì)在-30℃時(shí)表現(xiàn)出更高的交換電流密度4.9 mA cm-2,證明了Zn在Bi-N4位點(diǎn)上的快速沉積動(dòng)力學(xué)。電流瞬時(shí)增加到最大電流密度(jmax)的時(shí)間(tmax),對(duì)應(yīng)于Zn核的形成和增長(圖2e),這意味著Zn成核遵循瞬態(tài)成核模式。發(fā)現(xiàn)Bi-N4/C可以在更短的時(shí)間內(nèi)提供更高的成核密度(圖2f),表明Bi-N4位點(diǎn)可以提高Zn成核密度,提高Zn成核率。

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圖3.(a,d)Zn成核尺寸。插圖:對(duì)應(yīng)的TEM圖像。(b,c)Bi?N4/C和(e,f)N/C襯底上Zn核的HR-TEM圖像。(g)Bi-N4/C,(h)N/C和(i)裸SS上沉積Zn的SEM圖像。

采用原位TEM和SEM表征探究了Zn在-30℃下的沉積情況。在Bi-N4/C基底上,均勻地沉積了尺寸約為10-15 nm的致密鋅核(圖3a),形成的鋅核顯示主要的晶面為(002)(圖3b,c)。相比之下,在N/C基底上形成了不均勻和零星的(101)晶面的鋅核(圖3d-f)。

當(dāng)電沉積容量為5 mAh cm-2時(shí),Bi-N4/C表現(xiàn)出光滑的表面,沒有形成Zn枝晶(圖3g)。而在N/C基材上出現(xiàn)了明顯的鋅枝晶(圖3h)。在裸露的SS箔上,枝晶的生長更為嚴(yán)重(圖3i)。這些結(jié)果驗(yàn)證了Bi-N4位點(diǎn)可以誘導(dǎo)Zn成核并增加成核密度,引起均勻的沉積形態(tài)。

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圖4.?30℃時(shí)鋅金屬負(fù)極的電化學(xué)性能。(a)鍍鋅/脫鋅的庫侖效率。(b)Bi?N4/C電極的低溫性能比較。(c)不同電流密度下的庫侖效率。(d)倍率性能。(e)放大電壓曲線。(f)對(duì)稱電池的長期穩(wěn)定性。

Bi-N4/C在1600次循環(huán)中表現(xiàn)出較高的平均庫侖效率~99.4%(圖4a)。與那些電解質(zhì)工程改性的鋅金屬負(fù)極相比,Bi-N4/C電極在零度以下顯示出更高的倍率能力,且循環(huán)壽命更長(圖4b)。此外,Bi-N4/C在1、2和3 mA cm-2的不同電流密度下可以在600 h內(nèi)保持較高的平均庫侖效率(圖4c),表明其在惡劣環(huán)境下具有出色的可逆性。

采用對(duì)稱電池在-30℃下以不同的電流密度進(jìn)行循環(huán)測試。裸鋅對(duì)稱電池存在較高的電壓滯后,而不能在2 mA cm-2下工作(圖4d)。而N/C@Zn對(duì)稱電池的情況稍好,但在接下來的循環(huán)中會(huì)出現(xiàn)開路。相對(duì)而言,Bi-N4/C@Zn對(duì)稱電池在10 mA cm-2的循環(huán)后,在0.5 mA cm-2時(shí)仍能保持300小時(shí)的穩(wěn)定電壓曲線(圖4d,e)。

Bi-N4/C@Zn對(duì)稱電池在5 mA cm-2下可循環(huán)240小時(shí),表現(xiàn)出卓越的循環(huán)穩(wěn)定性,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過N/C@Zn和裸Zn對(duì)稱電池(圖4f)。這些對(duì)比有力地驗(yàn)證了改進(jìn)的鋅核動(dòng)力學(xué)是實(shí)現(xiàn)無鋅枝晶的均勻鋅沉積的關(guān)鍵,它可以保證在零度以下的溫度下有優(yōu)異的倍率能力和良好的穩(wěn)定性。

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圖5.?30°C時(shí)全電池的電化學(xué)性能。(a)充電?放電測試。(b)Nyquist圖。插圖: 等效電路。(c)倍率性能。(d)0.5 A g?1和(e)1 A g?1時(shí)的長循環(huán)性能。(f)Bi?N4/C@Zn,(g)N/C@Zn,(h)裸鋅負(fù)極2000循環(huán)后的SEM圖像。

為了證明Bi-N4/C@Zn負(fù)極(預(yù)沉積容量:5 mAh cm-2)的實(shí)用性,在-30℃下,以KVOH作為正極,對(duì)全電池進(jìn)行了性能測試。Bi-N4/C@Zn||KVOH全電池的充放電電壓曲線顯示了最低的電壓極化,在0.5 A g-1時(shí),具有最高的放電容量為181 mAh g-1(圖5a)。

電化學(xué)阻抗譜(EIS)顯示,Bi-N4/C@Zn||KVOH電池具有最低的電荷轉(zhuǎn)移電阻,這表明Bi-N4位點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了快速充電動(dòng)力學(xué)(圖5b)。與N/C@Zn和裸Zn電池相比,Bi-N4/C@Zn||KVOH全電池在-30°C時(shí),在0.5至5A g-1的倍率下表現(xiàn)出最高的可逆容量(圖5c),進(jìn)一步證明了動(dòng)力學(xué)的增強(qiáng)。

-30 °C時(shí)在0.5 A g-1條件下,Bi-N4/C@Zn||KVOH全電池提供了186 mAh g-1的初始放電容量,1400次循環(huán)后,容量保持率幾乎為100%(圖5d)。并且在1 A g-1下循環(huán)2000次后,具有88.3%的容量保持率,平均庫侖效率為100%(圖5e),這遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于N/C@Zn||KVOH和Zn||KVOH電池的穩(wěn)定性。

循環(huán)后電極分析表明,Bi-N4/C@Zn負(fù)極在2000次循環(huán)后保持了相對(duì)平整的表面(圖5f)。而明顯的鋅枝晶覆蓋了整個(gè)N/C@Zn和裸Zn負(fù)極(5g,h)。

總結(jié)與展望

本文制備了原子分散的Bi-N4位點(diǎn),以促進(jìn)Zn在零度以下的沉積動(dòng)力學(xué),用于高倍率和無枝晶的鋅金屬電池。單原子的Bi-N4物種可以誘導(dǎo)出高密度的Zn核,并具有較低的成核能壘,有助于在零度以下的平面沉積行為。這些特點(diǎn)使其在5 mA cm-2的條件下,在1600次循環(huán)中具有99.4%的高庫侖效率,并且在-30 °C時(shí)的全電池中,在0.5 A g-1時(shí)具有近100%的容量保持率。這項(xiàng)工作為調(diào)節(jié)無枝晶金屬電沉積的成核動(dòng)力學(xué)提供了深刻的見解。

文獻(xiàn)鏈接

Enabling Low-Temperature and High-Rate Zn Metal Batteries by Activating Zn Nucleation with Single-Atomic Sites.(ACS Energy Letters, 2022.DOI:10.1021/acsenergylett.2c02042.)

原文鏈接:

https://doi.org/10.1021/acsenergylett.2c02042.







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:南開大學(xué)王歡:單原子位點(diǎn)激活鋅成核

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