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多層片狀陶介電容器不良現(xiàn)象和原因分析

現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝技術(shù)交流平臺 ? 來源:現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝技術(shù)交 ? 作者:現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝 ? 2022-11-16 09:21 ? 次閱讀

多層片狀陶介電容器由陶瓷介質(zhì)、端電極、金屬電極三種材料構(gòu)成,失效形式為金屬電極和陶介之間層錯,電氣表現(xiàn)為受外力(如輕輕彎曲板子或用烙鐵頭碰一下)和溫度沖擊(如烙鐵焊接、烘干快速升溫)時電容時好時壞。

多層片狀陶介電容器具體不良可分為:

1、熱擊失效

2、扭曲破裂失效

3、原材失效三個大類

熱擊失效模式:

熱擊失效的原理是:在制造多層陶瓷電容時,使用各種兼容材料會導(dǎo)致內(nèi)部出現(xiàn)張力的不同熱膨脹系數(shù)及導(dǎo)熱率。

當(dāng)溫度轉(zhuǎn)變率過大時就容易出現(xiàn)因熱擊而破裂的現(xiàn)象,這種破裂往往從結(jié)構(gòu)最弱及機械結(jié)構(gòu)最集中時發(fā)生, 一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面處、產(chǎn)生最大機械張力的地方(一般在晶體最堅硬的四角),而熱擊則可能造成多種現(xiàn)象:

第一種是顯而易見的形如指甲狀或 U-形的裂縫,如圖 1

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第二種裂縫也會由裸露在外的中央部份,或陶瓷/端接界面的下部開始,并隨溫度的轉(zhuǎn)變, 或于組裝進行時,順著扭曲而蔓延開來,(見圖 2)

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第三種裂縫也會由裸露在外的中央部份,或陶瓷/端接界面的下部開始,并隨溫度的轉(zhuǎn)變, 或于組裝進行時,順著扭曲而蔓延開來(見圖 3)

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第一種形如指甲狀或 U-形的裂縫和第二種隱藏在內(nèi)的微小裂縫,兩者的區(qū)別只是后者所受的張力較小,而引致的裂縫也較輕微。第一種引起的破裂明顯,一般可以在金相中測出,第二種只有在發(fā)展到一定程度后金相才可測。

扭曲破裂失效

此種不良的可能性很多:按大類及表現(xiàn)可以分為兩種:

第一種:SMT 階段導(dǎo)致的破裂失效

當(dāng)進行零件的取放尤其是 SMT 階段零件取放時,取放的定中爪因為磨損、對位不準(zhǔn)確, 傾斜等造成的。由定中爪集中起來的壓力,會造成很大的壓力或切斷率,繼而形成破裂 點。這些破裂現(xiàn)象一般為可見的表面裂縫,或 2 至 3 個電極間的內(nèi)部破裂;表面破裂一般會沿著最強的壓力線及陶瓷位移的方向。(見圖 4)

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真空檢拾頭導(dǎo)致的損壞或破裂﹐一般會在芯片的 表面形成一個圓形或半月形的壓痕面積﹐并帶有 不圓滑的邊緣。此外﹐這個半月形或圓形的裂縫直經(jīng)也和吸頭相吻合

另一個由吸頭所造成的損環(huán)﹐因拉力而造成的破 裂﹐裂縫會由組件中央的一邊伸展到另一邊﹐這 些裂縫可能會蔓延至組件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能會令電容器的底部破損。

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第二種:SMT 之后生產(chǎn)階段導(dǎo)致的破裂失效

電路板切割﹑測試﹑背面組件和連接器安裝﹑及最后 組裝時,若焊錫組件受到扭曲或在焊錫過程后把電路板 拉直,都有可能造成‘扭曲破裂’這類的損壞。

在機械力作用下板材彎曲變形時,陶瓷的活動范圍受端 位及焊點限制,破裂就會在陶瓷的端接界面處形成,這 種破裂會從形成的位置開始,從 45°角向端接蔓延開來。

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原材失效

多層陶瓷電容器通常具有 2 大類類足以損害產(chǎn)品可靠性的基本可見內(nèi)部缺陷:電極間失效及結(jié)合線破裂,燃燒破裂。這些缺陷都會造成電流過量,因而損害到組件的可靠性,詳細(xì)說明如下:

1、電極間失效及結(jié)合線破裂主要由陶瓷的高空隙,或電介質(zhì)層與相對電極間存在的空隙 引起,使電極間是電介質(zhì)層裂開,成為潛伏性的漏電危機

2、燃燒破裂的特性與電極垂直,且一般源自電極邊緣或終端。假如顯示出破裂是垂直的 話,則它們應(yīng)是由燃燒所引起。

結(jié)論:

由熱擊所造成的破裂會由表面蔓延至組件內(nèi)部,而過大的機械性張力所引起的損害,則可由組件表面或內(nèi)部形成,這些破損均會以近乎 45°角的方向蔓延,至于原材失效,則會帶來與內(nèi)部電極垂直或平行的破裂。另外:熱擊破裂一般由一個端接蔓延至另一個端接﹐由取放機造成的破裂﹐則在端接下面出現(xiàn)多個破裂點﹐而因電路板扭曲而造成的損壞﹐通常則只有一個破裂點。

審核編輯:郭婷

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原文標(biāo)題:陶瓷電容失效分析講解

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