R4電阻，D1二極管，C6電容是尖峰吸收電路，因為是電阻電容二極管組成的電路，簡稱RCD吸收回路。那么為什么要加尖峰吸收回路呢，是因為要保護(hù)MOS管過壓擊穿，把峰值電壓限制在MOS管耐壓之內(nèi)。這樣MOS管就可以安全地工作了，那么它是如何工作的呢。

由于變壓器制作會有一定的漏感，什么是漏感呢，是變壓器的匝比和繞制線圈產(chǎn)生的，在變壓器工作時初級能量不能完全轉(zhuǎn)移到次級，那么由于電感斷電會產(chǎn)生反電動勢的原因，產(chǎn)生反向電壓與電源電壓的疊加產(chǎn)生電壓尖峰，此電壓就會超過MOS的耐壓值，擊穿MOS管。

所以就需要加入尖峰吸收回路，在變壓器初級線圈中，為了可以吸收線圈產(chǎn)生的反向電動勢，加入了RCD吸收回路，RCD工作過程，當(dāng)MOS管導(dǎo)通，電壓流過變壓器初級線圈，對線圈充電，當(dāng)MOS管關(guān)閉后，電感產(chǎn)生反電動勢，變壓器次級通過二極管輸出電壓，由于初級線圈有漏感，不能全部轉(zhuǎn)移到次級，多余的能量就會和電源電壓疊加，產(chǎn)生尖峰電壓，尖峰電壓通過二極管D1對電容C6充電，在MOS再次導(dǎo)通時，電容C6上的電壓通過電阻R4放電，把多余的能量通過電阻消耗掉，RCD的一個工作周期完成，繼續(xù)循環(huán)下一個周期。

此處二極管選擇快恢復(fù)的二極管，電阻和電容根據(jù)電路調(diào)試后確定參數(shù)，電阻取值大小，吸收能量越大，會影響效率，它們的目的是消耗電路中產(chǎn)生多余的能量，不能消耗電路本身的能量，這樣影響到初級的電動勢，轉(zhuǎn)移到次級的電動勢就少了，減少了轉(zhuǎn)換效率。電阻取值太大，在放電時，放電速度慢，尖峰電壓會下降得慢，尖峰電壓會超過MOS管的耐壓，造成MOS管擊穿。所以電阻的取值是在電路調(diào)試中選擇的，調(diào)試時要用示波器看MOS管D極的波形，可以明顯看到尖峰電壓，改變電阻就可以改變尖峰電壓了，電容也可以改變尖峰電壓的大小，和電阻配合使用，最終目的是，吸收尖峰電壓，多余的能量，不能消耗電路能量。

吸收電路有三種，一種是RCD，一種是TVS瞬態(tài)抑制二極管加快恢復(fù)二極管組成，還有一種是穩(wěn)壓二極管和快恢復(fù)二極管，它們其中各有有優(yōu)缺點(diǎn)，RCD電路用的比較多，后兩種也經(jīng)常見到。

審核編輯：湯梓紅