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當跡線從一個層走到另一個層時,會發生一些事

加油射頻工程師 ? 來源:加油射頻工程師 ? 作者:加油射頻工程師 ? 2022-12-02 10:06 ? 次閱讀

現在PCB的疊層越來越多,布線越來越密。

雖說從EMC信號完整性的角度來講,布線最好在同一層,也就是說,不要一根信號線,從A層走到B層,所謂跳層。

不過,這種要求,在現代PCB設計中,是絕對不可能實現的。

當信號線從一層走到另一層時,對應信號的回流正在想辦法回家。信號流向很清楚,就是隨著跡線流動,但是回流呢?

由于趨膚效應和鄰近效應的存在,使得情況更加復雜。雖然L2層是一個平面,但是是一個有厚度的平面,所以,由于趨膚效應和鄰近效應,高頻回流存在于靠近信號線的一側,也就是說L1對應的回流分布在L2的平面的上表面;而L3對應的回流分布在L2的下表面。如下圖(左)所示。

所以要使回流能夠跨越L2的厚度,到達另一表面,需要在該平面上提供一個電鍍通孔。該通孔有兩個作用,如下圖(右)所示:

(1) 連接L1層和L3層,中心導體走信號

(2) 孔的外導體,走回流。

這樣,當信號從通孔過的時候,回流也能從通孔的外壁流過,保持了連續性。而回流路徑的阻抗,則受到通孔形狀的影響。

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再看下面的疊層結構,假設L1和L4是信號層,L2和L3是對應的參考層,通常L2和L3分別為電源層和地層。

先假設一個簡單的情況,即L2和L3的直流電位相同,所以,這兩個平面可以通過一個通孔2連接起來。

這樣,當信號通過通孔從L1層到達L4層時,其回流可以通過通孔2保持連續性。如下圖所示。

這種情況,和前面的case很接近。不過,因為通孔2有一定的長度,所以信號可能會有一些波動。

也許會有這樣一個疑問,前面的case是從信號通孔的外壁走的,這里怎么不走了?

其實是這樣的,你想象一下啊,前面的case,回流是走在同一層的上下兩個表面,而這兩個表面是連接在一起的;但是,現在回流是走在不同層的上下表面,這兩個表面是不連的。

d6df4b12-7172-11ed-8abf-dac502259ad0.png

但是,當L2和L3兩個平面的直流電位不再相同呢,而是一個是電源層,一個是GND層呢。這個時候,顯然不能將L2和L3層用通孔連接起來。

那怎么辦?

回流顯然還是要回去的,但是怎么回去,是個問題。

一呢,通過層間電容回去。

另外一種方法呢,就是采用旁電容,電容的一端通過通孔連接到GND層,另一端通過通孔連接到電源層。此時回流需要突破一系列阻礙,從地平面開始,需通過通孔,焊盤,去耦電容,焊盤,通孔,然后才能到達電源平面。

如下圖所示。

d7077c2c-7172-11ed-8abf-dac502259ad0.png

直觀地說,為了最大限度地減小回流路徑的環路面積,旁路電容最優的位置是防止在信號通孔的附近。也就是說,如果只能添加一個旁路電容來抑制電源層和GND層之間的電壓波動,那最優的位置則是在信號孔附近。

口說無憑,可以用下面的仿真,來證明確實是這樣。

仿真模型,如下圖所示。粗看這個圖,可能回想,這是個什么鬼?

所以,靜下心來,配合下面的說明,邊比對,邊看。

仿真模型的疊層結構如下圖所示,S1, POWER,RETURN,S2。頂層和底層是信號層,電源層和GND層是內部層。平面的大小是10cmX10cm。層間距離為30mil,層間介質的相對介電常數為4.0.

跡線a通過通孔2從S1層穿過電源層和GND層,到達S2層,改民為跡線b。

一個50mA的驅動器,用一個理想電流源Is和并聯電阻Rs來表示,一端連接跡線a,另一端通過通孔1與電源層連接。

Rterm位于S2層,一端接跡線b,另一端通過通孔3連接到GND層。

電流源的輸出波形,上升時間為300ps, 持續時間為300ps,下降時間為300ps的脈沖。

現在看明白了沒?要是沒明白的話,就回上去,再看一遍。

d72f0d0a-7172-11ed-8abf-dac502259ad0.png

現在,對以下三種情況進行仿真:

情況1:沒有旁路電容

情況2:旁路電容放置在開關電流源附近。

情況3:旁路電容放置在通孔2附近,即信號孔附近

旁路電容的容值為100nF, 串聯等效電感ESL為50pH,等效串聯電阻ESR為10mohm。電容器的兩個焊盤相距2mm。

三種情況下,空間噪聲電壓分布的仿真結果如下圖所示。

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對于情況1(未安裝旁路電容),可以清楚地看到,電磁波從通孔2向外傳播,等波到達電路板邊緣時,會反射,從而引起電源平面和地平面之間的諧振效應。

對于情況2(旁路電容安裝在開關電容附近),空間電壓分布表面,在峰值噪聲產生并傳播到電容位置之前,電容是無效的。(說實話,看了很多遍,我還是沒看懂)

對于情況3(旁路電容安裝在通孔2處),可以看到,當當平面電壓反彈到正振幅時,電容器的周圍看起來像個凹痕。電容器試圖在通孔2周圍保持一個安靜的區域,有效抑制了噪聲。(這個我也沒看出來,不過從明暗度看的話,電平小點)

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上圖是峰值噪聲電壓的概率分布圖,粗看這一幅圖,我還想,作者是不是搞錯了,明顯和描述不符啊。等我再看一遍,然后再讀一遍,再看一遍后,明白了,其縱軸是概率分布值,橫軸是電壓。

所以,可以看到:

對于情況1(未安裝旁路電容),電源/回流平面上,大部分的峰值噪聲電壓在25-45 mV范圍內。

對于情況2(旁路電容安裝在開關電容附近),表明在器件附近放置100 nF的旁路電容后,電源/回流平面上的一些區域現在表現出較低的噪聲電壓(約25 mV)。然而,一般來說,噪聲電壓的分布范圍仍然是25 mV到40 mV(但中位數被轉移到大約25 mV)。

對于情況3(旁路電容安裝在通孔2處),表面對噪聲電壓的硬著顯著提高,噪聲分布大多數在15~25mV之間。

所以,當信號線穿越層,特別是電源和回流參考平面時,應在穿越信號的孔附近放置通孔或旁路電容,以提供回流路徑。任何其他位置都可能導致電源和回流板噪聲電壓的顯著增加、PCB諧振,以及隨后的EMI和信號完整性性能下降。

需要注意的是,在實際電路中(與用于模擬的簡化電路不同),應在平面上使用多個旁路電容,而不是單個電容,以保持電源和回流平面無諧振。

審核編輯:湯梓紅

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