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單片式驅動器和MOSFET技術如何改進電源系統設計

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:Christan Cruz, Jose ? 2022-12-13 13:48 ? 次閱讀

作者:Christan Cruz, Joseph Viernes, Kareem Atout, Gary Sapia, and Marvin Neil Solis Cabue?as

本文介紹最新驅動器MOSFET(DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統在功率密度、效率和熱性能方面得到極大改善,從而可以提高終端應用的整體性能。

介紹

通過技術的進步,由于多核架構,微處理器在水平范圍內變得更加密集和快速。因此,這些設備所需的相應功率急劇增加。微處理器的這種功率由穩壓器模塊(VRM)提供。

有兩個主要參數推動了該領域穩壓器的發展。首先是穩壓器的功率密度(單位體積功率),必須急劇增加,以滿足系統在有限空間內的高功率要求。另一個參數是功率轉換效率,可降低功率損耗并改善熱管理。

隨著發展挑戰的不斷發展,電力行業將找到滿足相應要求的方法。一種解決方案在單個單片芯片中集成了先進的開關MOSFET(穩壓器的主要構建模塊)及其相應的驅動器,從而實現緊湊高效的功率轉換。這些DrMOS功率級優化了高速功率轉換。

隨著對這些功率級(稱為智能功率級)的需求穩步增長,電源開關技術不斷進步,ADI公司推出了DrMOS智能功率模塊版本。LTC705x DrMOS 系列利用 ADI 獲得專利的靜音切換器 2 架構以及集成自舉電路,使 DrMOS 模塊能夠以超快的速度進行開關,同時降低功率損耗和開關節點電壓過沖,從而改善性能。LTC705x DrMOS 器件還提供過熱保護 (OTP)、輸入過壓保護 (V?在過壓保護)和欠壓鎖定 (UVLO) 保護。

LTC7051 靜音MOS智能功率級

LTC7051是LTC705x DrMOS系列的成員,是一款140 A單片式智能電源模塊,成功地將高速驅動器與高品質因數(FOM)頂部和底部功率MOSFET以及全面的監控和保護電路集成在一個電氣和散熱優化封裝中。與合適的PWM控制器一起,該智能功率級可為市場提供業界最高的效率、最低噪聲和最高密度的功率轉換。這種組合為高電流穩壓器模塊配備了最新的效率和瞬態響應技術。LTC7051的典型應用如圖1所示。它可用作降壓型 (降壓) 轉換器的主開關電路,并與具有準確均流功能的雙通道、多相降壓型電壓模式 DC-DC 控制器結合使用。

為了演示LTC7051的主要特性,ADI公司創建了一個評估板,以展示LTC7051與競爭產品的性能。這種演示平臺有助于以公正、準確的方式將LTC7051 DrMOS的效率、功率損耗、遙測精度、熱和電氣性能等基本參數與競爭產品的基本參數進行比較。比較的目的是消除對結果有效性的任何懷疑。所述演示平臺用于突出顯示一流的DrMOS性能指標,無論制造商如何。

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圖1.雙相POL轉換器。

DrMOS 分析評估硬件

分析演示硬件具有以下主要功能:

可在寬輸入和輸出電壓以及開關頻率范圍內工作的 PWM 控制器。在本應用中,控制器為四路輸出多相降壓型DC-DC電壓模式控制器LTC7883,如圖2所示。

LTC7051 和競爭器件的功率級設計相同。

LTpowerPlaypower系統管理環境,用于LTC7883提供全面的系統性能遙測。?

可承受符合ADI和競爭器件指定工作溫度范圍的擴展環境溫度。

電路板設計用于輕松進行熱捕獲和測量。

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圖2.分析演示板框圖。

DrMOS分析演示板如圖3所示。該板經過精心設計,包括前面提到的關鍵功能。元件對稱且系統地放置在每個電源軌上,并具有相同的PCB尺寸和面積,以限制電源軌之間的差異。布局布線和圖層堆疊也是對稱完成的。

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圖3.DrMOS評估板,頂部和底部。印刷電路板尺寸:203 毫米× 152 毫米× 1.67 毫米(長×高×寬),銅厚度為 2 盎司。

DrMOS分析測試方法和軟件

除了演示板本身,測試設置和測試方法對于無偏數據和結果同樣重要。為此,該團隊還創建了一個帶有圖形用戶界面(GUI)的補充評估軟件,如圖4所示,以提供更加用戶友好的測試和數據收集方法。用戶只需要指定輸入和輸出參數,軟件就會負責自動測試。該軟件自動控制相應的測試和測量設備,如直流電源、電子負載和多路復用數據采集設備(DAQ),直接從演示板測量溫度、電流和電壓數據,然后在GUI上繪制這些測量值。軟件還通過 PMBus/I 收集來自車載設備的重要遙測數據2C 協議。所有這些信息對于比較系統效率和功率損耗都很重要。

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圖4.DrMOS評估軟件,顯示配置和熱分析選項卡。

數據和結果

以下測試結果涵蓋穩態性能測量、功能性能波形、熱測量和輸出噪聲測量。該演示板經過以下配置測試:

輸入電壓:12 V

輸出電壓:1 V

輸出負載:0 A 至 60 A

開關頻率:500 kHz 和 1 MHz

性能數據

效率和功率損耗

圖5中的測試結果顯示,在500 kHz的開關頻率下,LTC7051與競爭對手相比具有更高的效率(高出0.70%)。隨著開關頻率從500 kHz進一步增加到1 MHz,LTC7051也提供了更好的效率(高出0.95%)。

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圖5.1 V(0 A至60 A負載)時的效率和功率損耗,開關頻率分別為500 kHz和1 MHz。

效率性能

值得注意的是,LTC7051 在高輸出負載電流和高開關頻率下的效率性能高于競爭對手。這就是ADI公司專利靜音開關技術的優勢所在,該技術可改善開關邊沿速率并縮短死區時間,從而降低總功耗。這樣可以以更小的解決方案尺寸實現更高的開關頻率操作,而不會對整體效率產生重大影響。總功率損耗越低,工作溫度越低,電流輸出越高,從而顯著提高功率密度。

熱性能

LTC7051 在效率和功率損耗方面的優勢也轉化為其更好的熱性能。LTC7051 與競爭對手產品之間的溫差約為 3°C 至 10°C,前者的溫度更低,如圖 6 所示。LTC7051 之所以能夠獲得更好的性能,是因為其精心設計的耐熱性能增強型封裝。

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圖6.1 V 輸出、60 A 負載、500 kHz 和 1.0 MHz 開關頻率下的熱性能。

隨著環境溫度從 25°C 增加到 80°C,LTC7051 與其競爭對手之間的溫差擴大到約 15°C,前者再次變得更冷。

設備交換機節點性能

從圖7可以看出,LTC7051的漏源電壓(VDS) 峰值小于競爭對手設備的峰值。此外,隨著負載增加到 60 A,VDS競爭對手的測量值處于峰值,同時可以看到長時間的振蕩。另一方面,LTC7051 設法實現了較小的尖峰并減小了振蕩,這同樣是由于 LTC705x DrMOS 系列內部的靜音開關器 2 架構和集成自舉電容器。這將轉化為開關節點上的過沖更低,這意味著EMI降低,以及輻射和傳導噪聲,以及隨著開關節點過壓應力降低而更高的可靠性。

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圖7.1 V時的開關節點波形分別在0 A和60 A負載下進行評估。

器件輸出紋波性能

另一個參數是圖8所示的輸出電壓紋波。可以看出,LTC7051表現出的噪聲比競爭對手的器件要小。降低噪聲是由于較低的V值DS開關節點上的尖峰和最小振蕩,這是靜音切換器技術的結果。如果未產生開關節點尖峰,則輸出沒有傳導噪聲。

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圖8.1 V時的輸出紋波波形分別在0 A和60 A負載下進行評估。

同樣,LTC7051和競爭器件也受到輸出噪聲擴頻測量,如圖9所示。LTC7051 的性能優于其他 DrMOS 器件,并表明開關頻率處產生的噪聲低于競爭器件。噪聲差約為1 mV rms

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圖9.1 V時的輸出噪聲頻譜響應,60 A負載以1 MHz開關頻率運行。

結論

LTC7051 DrMOS 演示平臺可用于在競爭產品之間提供公正的比較。LTC7051 在高開關頻率下運作,通過將 SilentMOS? 架構和自舉電容器集成到單個耐熱性能增強型封裝中,顯著提高了功率轉換效率和熱性能。此外,LTC7051 還可以降低振鈴和尖峰能量,這不僅顯示在開關節點上,而且還傳播到輸出。在實際應用中,輸出負載需要嚴格的容差,其中一部分是標稱直流。然而,高尖峰能量和紋波貢獻的噪聲(也顯示在輸出端)消耗了總預算。耗電數據中心將節省大量能源和成本,更不用說更少的熱管理和EMI的額外好處,這些好處將顯著降低或最終被消除,同時仍然正確觀察濾波器設計和組件放置。綜上所述,LTC7051 應該是您的首選功率級,也是滿足 VRM 設計和應用需求的必備 DrMOS 器件。

審核編輯:郭婷

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