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如何使用MAX20446設(shè)計(jì)LED背光驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

星星科技指導(dǎo)員 ? 來(lái)源:ADI ? 作者:ADI ? 2022-12-22 11:38 ? 次閱讀

本應(yīng)用筆記詳細(xì)介紹了MAX20446 6通道背光高亮度LED驅(qū)動(dòng)器的分步設(shè)計(jì)過程,并重點(diǎn)介紹了加快關(guān)鍵元件選擇所需的計(jì)算。還討論了組件選擇的權(quán)衡。本應(yīng)用筆記重點(diǎn)介紹升壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),相同的設(shè)計(jì)工藝可以擴(kuò)展到其他LED驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品

介紹

MAX20446為峰值電流模式控制的LED驅(qū)動(dòng)器,能夠以幾種不同的配置驅(qū)動(dòng)多達(dá)6個(gè)LED串:升壓、降壓-升壓、SEPIC和反激式拓?fù)洹1緫?yīng)用筆記重點(diǎn)介紹LED串正向電壓始終高于輸入電源電壓范圍的升壓拓?fù)洹?/p>

MAX20446具有以下特性:

6 個(gè)集成電流輸出,每個(gè)輸出可吸收高達(dá) 120mA 的 LED 電流

集成擴(kuò)頻和相移

我2C 控制脈寬調(diào)制 (PWM) 調(diào)光和混合調(diào)光

編程開關(guān)頻率介于 400kHz 和 2.2MHz 之間。

在此 LED 背光驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)示例中,6 個(gè) 7 LED 燈串以每串 100mA 的恒定電流驅(qū)動(dòng)。假設(shè)每個(gè) LED 的最大預(yù)期正向壓降為 3.3V,最小預(yù)期正向壓降為 2.7V。還假設(shè)LED驅(qū)動(dòng)電路由汽車電池直接供電,其典型V型在12V,但可在5V至16V范圍內(nèi)變化。

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圖1.MAX20446典型工作電路

電感器選擇

要選擇合適的電感值,請(qǐng)計(jì)算所需的總輸出電流(I發(fā)光二極管) 使用以下公式驅(qū)動(dòng) LED:

pYYBAGOj0SKAe_25AAAKYPWD5k4017.png?imgver=1

(公式1)

我在哪里字符串是每個(gè)字符串的電流,并且 N字符串是使用的字符串?dāng)?shù)。

最大電壓(VLED_MAX) 驅(qū)動(dòng) LED 串由以下公式給出:

poYBAGOj0SKACmmdAAAMg3VVMY4545.png?imgver=1

(公式2)

其中 VOUT_MAX最大OUT_調(diào)節(jié)電壓(MAX20446數(shù)據(jù)資料電氣特性為1.1V),VF_MAX是每個(gè) LED 上的最大預(yù)期前向壓降,N發(fā)光二極管是構(gòu)成每個(gè)串的 LED 的數(shù)量。

最大占空比 (DMAX) 由以下公式給出:

pYYBAGOj0SKAHJj_AAARELwZV4I259.png?imgver=1

(公式3)

其中 VLED_MAX是 LED 串的正向電壓,單位為 V,VD是整流二極管的正向壓降(約0.6V),VIN_MIN是以伏特為單位的最小輸入電源電壓,V.CS是峰值電流檢測(cè)電壓,單位為伏特(應(yīng)考慮可用限值的 90%),V場(chǎng)效應(yīng)管是開關(guān) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的平均漏源電壓,以伏特為單位(最初假設(shè)為 0.1V)。

最大占空比和LED電流決定了平均電感電流(IL平均),由以下等式表示:

poYBAGOj0SKAdWf4AAAKwKJf7Z0131.png?imgver=1

(公式4)

知道平均電感電流,峰值電感電流(ILP) 表示如下:

pYYBAGOj0SOAUZLeAAAImW2qw5U029.png?imgver=1

(公式5)

哪里?我L是以安培為單位的峰峰值電感電流紋波。較低的紋波電流需要更大(通常更昂貴)的電感。較高的紋波電流不僅會(huì)導(dǎo)致更高的開關(guān)損耗,而且還需要更多的斜率補(bǔ)償和更大的輸入電容。如果建議的最大峰峰值紋波是平均電感電流的±30%,則?我L由以下等式給出:

pYYBAGOj0SOAe8J6AAAI5xfyozs404.png?imgver=1

(公式6)

由公式4可知,平均電感電流與輸出電流成正比,并且由于電感紋波電流,?我L,與輸出負(fù)載電流無(wú)關(guān),電感電流的最小值和最大值精確地跟蹤電感器電流的平均值。 基于此,公式5可以改寫如下:

poYBAGOj0SSAKgm4AAANjAjEibE937.png?imgver=1

(公式7)

最后,最小電感值(L最低) 在亨利斯中由以下等式表示:

pYYBAGOj0SSAUFFOAAASt4F2O_Y887.png?imgver=1

(公式8)

其中 f西 南部是所需的開關(guān)頻率,以赫茲和 L 為單位托爾是應(yīng)用于電感標(biāo)稱值的容差參數(shù)。

例如,如果 f西 南部= 2.2兆赫,升托爾= 30% 和 V.CS= 0.378V,數(shù)值計(jì)算如下:

poYBAGOj0SSAIFutAAAKBW9JzUo783.png?imgver=1

(公式9)

pYYBAGOj0SSAGLhzAAAMcyYpGws251.png?imgver=1

(公式10)

pYYBAGOj0SWAO1JoAAAUWqbXAiQ346.png?imgver=1

(公式11)

poYBAGOj0SWAMMzUAAANp2KxO3M053.png?imgver=1

(公式12)

pYYBAGOj0SWATqoXAAAK_7XYAGU161.png?imgver=1

(公式13)

poYBAGOj0SWACPPgAAANFkxyfKQ653.png?imgver=1

(公式14)

pYYBAGOj0SaAdIwSAAAYSPpPnfw324.png?imgver=1

(公式15)

確定最小電感值時(shí),必須選擇盡可能接近L的實(shí)際電感值最低沒有下去。使用所選電感值重新計(jì)算峰值電感電流和紋波。這些數(shù)字對(duì)于以后的其他計(jì)算是必需的。

poYBAGOj0SaAVdktAAAIroCAYmM502.png?imgver=1

(公式16)

pYYBAGOj0SaAM0XLAAAYBTOiQls059.png?imgver=1

(公式17)

poYBAGOj0SeARw7pAAAMUxTM9Go103.png?imgver=1

(公式18)

確保所選電感的額定電流高于ILP.通常,電感峰值電流使用20%裕量。

輸入電容選擇

在升壓轉(zhuǎn)換器中,輸入電流是連續(xù)的,因此輸入電容的RMS紋波電流很低。大容量電容和ESR都會(huì)影響輸入紋波。假設(shè)大容量電容和ESR的紋波貢獻(xiàn)相等,如果鋁電解電容和陶瓷電容并聯(lián)使用。如果僅使用陶瓷電容器,則大部分輸入紋波來(lái)自大容量電容(因?yàn)樘沾呻娙萜骶哂蟹浅5偷腅SR)。使用公式19和公式20計(jì)算最小輸入大容量電容和最大ESR。

pYYBAGOj0SeABMb5AAAO9BqOfnY800.png?imgver=1

(公式19)

poYBAGOj0SeAee_RAAAMfARFlrI466.png?imgver=1

(公式20)

哪里?VQ_IN和?VESR_IN分別是電容放電和ESR引起的輸入電壓紋波貢獻(xiàn)。

假設(shè)可以容忍50mV的最大輸入紋波(V的1%)IN_MIN),其中95%的輸入紋波來(lái)自大容量電容,并按如下方式計(jì)算輸入電容:

pYYBAGOj0SiAXgSjAAAXr1TQ2Ds037.png?imgver=1

(公式21)

poYBAGOj0SiAPhUXAAAQ3om2Ql4575.png?imgver=1

(公式22)

考慮到電容標(biāo)稱值的容差為20%,使用4.7μF電容可實(shí)現(xiàn)0.98μF的最小大容量電容。確保所選電容器在工作直流電壓下滿足最小大容量電容要求(電容會(huì)隨著陶瓷電容器電壓的變化而大幅降低)。

介電材料應(yīng)為X7R或更好。否則,電容器可能會(huì)因直流偏置或溫度而損失大部分電容。如果輸入電壓有噪聲或滿足電磁干擾(EMI)要求,也可以增加總電容值。

輸出電容器選擇

在升壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲校敵鲭娙菰陂_關(guān) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)提供負(fù)載電流。輸出電容的功能是將轉(zhuǎn)換器輸出紋波降低到可接受的水平。整個(gè)輸出電壓紋波出現(xiàn)在恒流灌電流輸出端,因?yàn)長(zhǎng)ED串電壓由于恒定電流而穩(wěn)定。

輸出電容的ESR、ESL和大容量電容會(huì)影響總輸出電壓紋波。在大多數(shù)應(yīng)用中,使用低ESR陶瓷電容器可以顯著降低輸出ESR和ESL效應(yīng)。為了降低ESL和ESR效應(yīng),并聯(lián)多個(gè)陶瓷電容器以實(shí)現(xiàn)所需的大容量電容。為了在PWM調(diào)光期間衰減可聞噪聲,通常將輸出端的陶瓷電容器數(shù)量降至最低。

在這種情況下,額外的電解或鋁有機(jī)聚合物電容器提供大部分大容量電容。或者,也可以使用低噪聲陶瓷電容器。

使用以下公式確定升壓輸出端的最小大容量電容:

pYYBAGOj0SiABS4iAAAPb_JH6v4669.png?imgver=1

(公式23)

哪里?VQ_OUT是電容器放電引起的輸出電壓紋波貢獻(xiàn)。

額外的輸出電壓紋波貢獻(xiàn)(?VESR_OUT) 來(lái)自輸出電容 ESR,其公式由下式給出:

poYBAGOj0SiAEvu5AAANH0asFq0358.png?imgver=1

(公式24)

將峰峰值輸出電壓紋波限制在50mV,以獲得穩(wěn)定的輸出電流。假設(shè)大容量電容占紋波貢獻(xiàn)的95%,并使用公式23和公式24計(jì)算以下值。

pYYBAGOj0SmAHOGWAAAX0kzw0UE893.png?imgver=1

(公式25)

poYBAGOj0SmAfapFAAAP6ojdi74444.png?imgver=1

(公式26)

并聯(lián)使用三個(gè) 4.7μF 陶瓷電容器以超過 4.65μF 的最小輸出電容,因?yàn)樗x電容器必須滿足工作電壓下的最小大容量電容要求。

過壓保護(hù)

如果任何 LED 串?dāng)嚅_,DC-DC 轉(zhuǎn)換器輸出電壓將增加以達(dá)到所需的 LED 電流。過壓保護(hù)門限通過連接在轉(zhuǎn)換器輸出、BSTMON 輸入和 GND 之間的分壓器網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制輸出電壓。如果 BSTMON 電壓超過 1.23V,NDRV 被強(qiáng)制為低電平,這將關(guān)閉開關(guān) MOSFET 并防止升壓輸出電壓增加。

DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出端的過壓保護(hù)門限由下式確定:

pYYBAGOj0SmAY4arAAAUBuwaWWg251.png?imgver=1

(公式27)

其中1.23V(典型值)是BSTMON的過壓門限。

VBSTMON是升壓轉(zhuǎn)換器可以產(chǎn)生的最大電壓,應(yīng)大于預(yù)期的最大 LED 燈串電壓 (VLED_MAX) 根據(jù)以下不等式:

poYBAGOj0SqAXrP7AAAJ5c-WEWY836.png?imgver=1

(公式28)

其中因子 1.1 考慮了 10% 的保證金。

最小預(yù)期 LED 燈串電壓 (VLED_MIN) 由以下等式表示:

pYYBAGOj0SqAC-ZZAAAM0Zx3Rzc553.png?imgver=1

(公式29)

其中 VOUT_MIN= 0.7V。

如果在啟動(dòng)期間發(fā)生欠壓,升壓轉(zhuǎn)換器將閉鎖。為避免升壓轉(zhuǎn)換器閉鎖,BSTMON 引腳上的電壓必須始終大于 0.6V。這導(dǎo)致 V 之間的以下關(guān)系BSTMON和 VLED_MIN:

poYBAGOj0SqAKLMuAAAS8bOURGQ640.png?imgver=1

(公式30)

公式28和公式30中的不等式可以組合起來(lái)得到以下結(jié)果:

pYYBAGOj0SqANUBqAAAOSmKbfhU685.png?imgver=1

(公式31)

選擇 R 的值BSTMON1和 RBSTMON2使輸出電壓不超過其絕對(duì)最大額定值(52V),同時(shí)遵守公式31。通過選擇 RRBSTMON1= 226k?和 RBSTMON2= 10k?,獲得 VBSTMON 的以下值:

poYBAGOj0SuASzyxAAAMJXFXrXM575.png?imgver=1

(公式32)

斜率補(bǔ)償和電流檢測(cè)電阻選擇

MAX20446為電流模式控制的LED驅(qū)動(dòng)器,這意味著電感電流信息被反饋到環(huán)路中。

在占空比大于50%且電感電流連續(xù)(即始終大于零)時(shí),負(fù)載瞬態(tài)會(huì)導(dǎo)致次諧波振蕩和環(huán)路不穩(wěn)定,而無(wú)需斜率補(bǔ)償。為了保持環(huán)路穩(wěn)定,電阻(R南卡羅來(lái)納州) 必須從 CS 添加到開關(guān) MOSFET 的源極。在MAX20446內(nèi)部,有一個(gè)電流源,通過R提供小的斜坡電流。南卡羅來(lái)納州在斜率補(bǔ)償電阻(V南卡羅來(lái)納州).該電壓與FET檢流電阻兩端的電壓R相加CS_FET,并將結(jié)果與基準(zhǔn)電壓(即 COMP 引腳上的電壓)進(jìn)行比較。

因?yàn)?RCS_FET如果開關(guān)MOSFET電流和斜率補(bǔ)償電流流過它,CS引腳上的總電壓由以下公式表示:

poYBAGOj0SuALHgRAAAH7xu19r8519.png?imgver=1

(公式33)

斜率補(bǔ)償電壓定義如下:

pYYBAGOj0SyAQkWVAAANoXruhfc433.png?imgver=1

(公式34)

為了保持穩(wěn)定性,所需的最小斜率補(bǔ)償電壓速率由以下公式表示:

poYBAGOj0SyAT3vfAAAQJLUFjpI956.png?imgver=1

(公式35)

我在哪里L(fēng)_UPSLOPE和我L_DOWNSLOPE表示如下:

pYYBAGOj0SyATzyhAAALtv-XWMY026.png?imgver=1

(公式34)

poYBAGOj0S2AA-dOAAAQtk8ToFo428.png?imgver=1

(公式36)

因此,VSC_MIN和 RSC_MIN由以下等式定義:

pYYBAGOj0S2AYJroAAAbpZxULHY426.png?imgver=1

(公式37)

poYBAGOj0S2AfuioAAAWZGYTlo0433.png?imgver=1

(公式38)

這包括 1.5 倍以提供足夠的保證金。

回顧公式33,R的最小值CS_FET電阻通過求解以下公式得到:

pYYBAGOj0S6AfC63AAAZEKoqDEA140.png?imgver=1

(公式39)

其中0.39V是峰值電流檢測(cè)門限電壓的最小值。電流檢測(cè)門限還包括斜率補(bǔ)償組件。將0.39V的最小電流檢測(cè)門限乘以0.9,以考慮容差。

RCS_FET然后用以下等式表示:

poYBAGOj0S6AdozKAAAZCKChOH4020.png?imgver=1

(公式40)

根據(jù)規(guī)定的設(shè)計(jì)規(guī)范,R 的值CS_FET和 R南卡羅來(lái)納州計(jì)算方法如下:

pYYBAGOj0S6AftqWAAAbwJF8D6I606.png?imgver=1

(公式41)

poYBAGOj0S6ACCrPAAAYZ9LJgiA186.png?imgver=1

(公式42)

RCS_FET選擇= 75mO,這是最接近的低值標(biāo)準(zhǔn)電阻。
R南卡羅來(lái)納州= 2.7k?為此應(yīng)用程序選擇。

開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管選擇

外部開關(guān)MOSFET的額定電壓應(yīng)足以承受最大輸出電壓和整流二極管正向壓降之和,如下式所示:

pYYBAGOj0S-ARg6iAAAOzwtMtNo416.png?imgver=1

(公式43)

開關(guān) MOSFET 的額定值也應(yīng)能夠處理最大 RMS 電流:

poYBAGOj0S-ALEBkAAAPFjnpNk8373.png?imgver=1

(公式44)

我在哪里數(shù)字版權(quán)管理系統(tǒng)是開關(guān) MOSFET 的漏極 RMS 電流(以安培為單位),包括系數(shù) 1.3 以考慮 30% 的裕量。

對(duì)于此示例應(yīng)用程序,所需的 VDS_FET_ABS_MAX和我數(shù)字版權(quán)管理系統(tǒng)計(jì)算方法如下:

pYYBAGOj0S-Ad0oBAAAPlZcwiYo005.png?imgver=1

(公式45)

poYBAGOj0TCAGf7QAAAOzRCVuTI927.png?imgver=1

(公式46)

MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (R德森) 與額定電流有關(guān),會(huì)影響升壓轉(zhuǎn)換器的效率,因?yàn)樗鼪Q定了器件的阻性功率損耗。它越高,轉(zhuǎn)換器的整體效率越低。使用以下公式計(jì)算阻性功率損耗:

pYYBAGOj0TCAUEflAAAOi0EzvgM039.png?imgver=1

(公式47)

給定總輸出功率(P外)和估計(jì)的整體LED驅(qū)動(dòng)器效率(?)為90%,PLOSS_TOT值可以按如下方式獲得:

poYBAGOj0TCAdyj4AAAPzL8Jvpg817.png?imgver=1

(公式48)

pYYBAGOj0TCAXOpuAAANFmDV5pY137.png?imgver=1

(公式49)

poYBAGOj0TGAOZrMAAASkWBMwO0236.png?imgver=1

(公式50)

R型DSON_MAX值,限制 PLOSS_RDSON對(duì)整體效率的影響為1%,可以使用以下公式確定:

pYYBAGOj0TGAVuozAAAPWRrdUdA209.png?imgver=1

(公式51)

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(公式52)

另一個(gè)考慮因素涉及柵極電荷,因?yàn)?a target="_blank">柵極驅(qū)動(dòng)器必須提供該電荷才能打開和關(guān)閉MOSFET。電荷越小越好,開關(guān)速度也很重要,但相似電流、導(dǎo)通電阻和額定電壓的MOSFET之間沒有顯著變化。

安森美半導(dǎo)體NVTFS5C471NL N溝道MOSFET的特性適用于此應(yīng)用。?

整流二極管選擇

整流二極管可能是導(dǎo)致整體功率損耗的主要原因。選擇具有低正向壓降的肖特基二極管,該二極管的額定值可處理平均LED電流。使用以下公式確定整流二極管所需的額定電流:

pYYBAGOj0TKAd2MLAAANJOZJeR4116.png?imgver=1

(公式53)

其中保證金包括系數(shù) 1.2。

使用先前計(jì)算的 IL 值平均= 3.158A 和 D.MAX= 0.81,整流二極管需要處理0.72A的正向電流,如公式54所示。

poYBAGOj0TKAU0tzAAAPFR7fu6E558.png?imgver=1

(公式54)

還要確保肖特基二極管的反向電壓額定值比 V 高 20%LED_MAX,二極管兩端的最大預(yù)期反向電壓。

肖特基二極管最明顯的局限性是其相對(duì)較低的反向電壓額定值和相對(duì)較高的反向漏電流。對(duì)于金屬硅肖特基二極管,反向電壓通常為50V或更低。反向漏電流隨溫度升高而增加,這會(huì)導(dǎo)致熱不穩(wěn)定問題,這通常會(huì)將有用的反向電壓限制在遠(yuǎn)低于實(shí)際額定值的水平。

根據(jù)計(jì)算結(jié)果選擇安森美半導(dǎo)體NRVBS260T3G肖特基二極管。

誤差放大器補(bǔ)償

圖2顯示了采用連續(xù)電感電流工作的電流模式升壓轉(zhuǎn)換器的通用開環(huán)配置。

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圖2.通用電流模式升壓轉(zhuǎn)換器開環(huán)配置。

在MAX20446 LED驅(qū)動(dòng)器中,RLOAD_EQ替換為

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.傳遞函數(shù) A(s) 由以下等式給出:

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(公式55)

其中人工補(bǔ)償斜坡斜率(S一個(gè))、電感斜率(SN), fZ1, fRHPZ和 f小一用以下等式表示:

poYBAGOj0TOAGIN7AAASfvmhTAU090.png?imgver=1poYBAGOj0TSAD3pdAAAj8FDl_iI525.png?imgver=1

fRHPZ是右半平面 (RHP) 零點(diǎn)所在的最壞情況頻率。RHP 零點(diǎn)不同于傳統(tǒng)的左半平面 (LHP) 零點(diǎn)。RHP零點(diǎn)不是升壓相位,而是進(jìn)一步滯后相位,從而降低相位裕量并導(dǎo)致環(huán)路不穩(wěn)定。

如果在轉(zhuǎn)換器輸出端使用ESR幾乎為零的陶瓷電容器,則fZ1可以忽略不計(jì),因?yàn)樗蚋哳l偏移,并且很可能超出轉(zhuǎn)換器的帶寬。

主導(dǎo)極點(diǎn)的 f小一由于升壓的影響,頻率是普通極點(diǎn)頻率的兩倍。 環(huán)路補(bǔ)償由所謂的II型跨導(dǎo)放大器保證,該放大器表征閉環(huán)響應(yīng)(B(s)).圖3顯示了帶有外部補(bǔ)償元件的基本II型跨導(dǎo)放大器電路。

pYYBAGOj0TSAaWbNAAAMAdGbbkA821.png?imgver=1


圖3.用于環(huán)路補(bǔ)償?shù)腎I型跨導(dǎo)放大器。

假設(shè) R0>>·比較和 C比較>> C高頻,圖3的B(s)傳遞函數(shù)可以寫成如下:

poYBAGOj0TSAPchmAAAdrOFzFK0502.png?imgver=1

(公式56)

其中 A虛擬機(jī)是中頻帶電壓增益和gM是誤差放大器的跨導(dǎo)。AVM 表示如下:

pYYBAGOj0TSAAw-iAAATvtWRbU0833.png?imgver=1

f玉蜀黍?qū)俸?f豌豆表示如下:

poYBAGOj0TWAVm7QAAAVqvHLGRQ817.png?imgver=1

LED驅(qū)動(dòng)器的閉環(huán)響應(yīng)為A×B。

環(huán)路補(bǔ)償?shù)哪繕?biāo)是確保環(huán)路增益大于0dB(以及足夠的相位裕量)的相移小于180度。誤差放大器由于C的積分效應(yīng)而增加了一個(gè)零頻極點(diǎn)比較,這允許以-20dB/十倍頻程的斜率將環(huán)路增益滾降至0dB(在主極點(diǎn)之后,遠(yuǎn)在RHP零點(diǎn)的影響之前)。

建議閉環(huán)增益交越頻率fC,限制為至少 f 的五分之一RHPZ以獲得高于 45 度的可接受相位裕量。補(bǔ)償零點(diǎn),f玉蜀黍?qū)伲瑧?yīng)放置至少目標(biāo)交越頻率的五分之一,約為 1/25 FRHPZ.

將總環(huán)路增益固定在f第 1 頁(yè)使總環(huán)路增益在 1/5 f 時(shí)越過 0dB,斜率為 -20dB/十倍頻程RHPZ,R的最佳值比較由以下表達(dá)式給出:

pYYBAGOj0TWASe9nAAAbC42LOvw174.png?imgver=1

(公式57)

C 的值比較然后可以從 f 的定義中獲得玉蜀黍?qū)?

poYBAGOj0TWAGf8OAAAQAwcSfIk375.png?imgver=1

(公式58)

環(huán)路增益在跨越0dB之前保持在零以上的頻率越高,環(huán)路響應(yīng)越快,因此,負(fù)載階躍期間的輸出電壓降越低。降低 R比較同時(shí)保持 F玉蜀黍?qū)? fC/5,在不顯著改變?cè)鲆娴那闆r下增加相位裕量,并增加輸出電壓在負(fù)載階躍后建立所需的時(shí)間。

如果總輸出電容的ESR很大,則f時(shí)的輸出零點(diǎn)效應(yīng)Z1不可忽略,可以通過放置誤差放大器的主極點(diǎn)頻率f 來(lái)平衡豌豆,在 f 處Z1.因此,可選的 C高頻電容值表示如下:

pYYBAGOj0TaAH4RqAAAPhaea77k776.png?imgver=1

(公式59)

該 f豌豆極點(diǎn)可能也是必要的,以確保增益在交越頻率之后繼續(xù)滾降。

根據(jù)此設(shè)計(jì)示例先前計(jì)算的值,f 的值RHPZ, f小一/ 1LOAD_EQ/ 1比較和 C比較計(jì)算方法如下:

poYBAGOj0TeAI3BcAAAXlwTDNuw618.png?imgver=1

(公式60)

pYYBAGOj0TiAehKZAAASYvtnPyM359.png?imgver=1

(公式61)

poYBAGOj0TmAV-wXAAAS5A6CLM0861.png?imgver=1

(公式62)

poYBAGOj0TqAL-j1AAAeH2jrqqs033.png?imgver=1

(公式63)

poYBAGOj0TyAF-gEAAAPw6kqRv0327.png?imgver=1

(公式64)

選擇 R 的標(biāo)準(zhǔn)商業(yè)價(jià)值比較= 4.7k?和 C比較= 18nF 對(duì)于此數(shù)值示例以計(jì)算 F玉蜀黍?qū)偃缦拢?/p>

pYYBAGOj0T2AZLksAAASwiFM7-Q451.png?imgver=1

(公式65)

圖4和圖5顯示了LED驅(qū)動(dòng)器閉環(huán)響應(yīng)的波特。0 dB 交叉頻率 (fC) 的 10kHz 和 70 度的相位裕量 (PM)。

pYYBAGOj0T-ALaFvAABlLh8Hxuw724.png?imgver=1


圖4.環(huán)路增益。

pYYBAGOj0UWAcqQwAABkBkLfgNI486.png?imgver=1


圖5.循環(huán)階段。

結(jié)論

圖6顯示了完整的升壓LED驅(qū)動(dòng)器原理,其中包含從設(shè)計(jì)示例中選擇的元件值。本應(yīng)用筆記中概述的分步設(shè)計(jì)過程可用作調(diào)試和測(cè)試階段的參考。

poYBAGOj0UeAQQu_AABG_JZMxJE369.png?imgver=1


圖6.MAX20446典型工作電路基于示例計(jì)算(不包括可選的P-MOS和相關(guān)偏置電阻)。

審核編輯:郭婷

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