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同步升壓轉(zhuǎn)換器即使在低輸入電壓下也能為高電流LED供電

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:Kyle Lawrence ? 2022-12-22 14:54 ? 次閱讀

高功率LED在現(xiàn)代照明系統(tǒng)中繼續(xù)激增,涵蓋汽車前燈、工業(yè)/商業(yè)標牌、建筑照明和各種消費電子應(yīng)用。行業(yè)向LED技術(shù)的過渡是由固態(tài)照明相對于傳統(tǒng)光源提供的明顯優(yōu)勢推動的:將電能轉(zhuǎn)換為光輸出的高效率,以及較長的使用壽命。

隨著LED照明被納入越來越多的應(yīng)用中,對更高LED電流以增加光輸出的需求也在增長。為大電流LED串供電的最大挑戰(zhàn)之一是在負責提供良好調(diào)節(jié)LED電流的功率轉(zhuǎn)換器級保持高效率。功率轉(zhuǎn)換器的效率低下表現(xiàn)為不必要的熱量,其來源于電流調(diào)節(jié)器電路的開關(guān)元件。

LT?3762 是一款同步升壓型 LED 控制器,專為減少高功率升壓型 LED 驅(qū)動器系統(tǒng)中常見的效率損耗源而設(shè)計。該器件的同步工作特性可最大限度地降低異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管正向壓降通常產(chǎn)生的損耗。這種更高的效率使得 LT3762 能夠提供比類似的異步升壓型 LED 驅(qū)動器高得多的輸出電流,尤其是在低輸入電壓下。為了改善低輸入電壓操作,板載DC-DC穩(wěn)壓器為柵極驅(qū)動電路提供7.5 V電壓,即使輸入降至7.5 V以下也是如此。在低輸入電壓下具有強柵極驅(qū)動電壓源的結(jié)果是,隨著輸入電壓的降低,MOSFET產(chǎn)生的熱量更少,從而將工作輸入范圍的低端擴展到3 V。

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圖1.LT3762演示電路(DC2342A)在寬輸入電壓范圍內(nèi)以2 A電流為高達32 V的LED供電。該演示電路可通過額外的MOSFET和電容輕松修改,以增加輸出功率。

該升壓型 LED 控制器可配置為在 100 kHz 和 1 MHz 固定開關(guān)頻率范圍內(nèi)工作,可選 ?30% × f西 南部擴頻頻率調(diào)制,可降低與開關(guān)相關(guān)的EMI能量峰值。LT3762 可在升壓、降壓或升壓 / 降壓拓撲中運行,以便為 LED 供電。高邊 PMOS 斷開開關(guān)有助于 PWM 調(diào)光,并在 LED 處于開路/短路狀態(tài)時保護器件免受潛在損壞。

LT3762 具有一個內(nèi)部 PWM 發(fā)生器,該發(fā)生器使用單個電容器和一個直流電壓來設(shè)定頻率和脈沖寬度以實現(xiàn)高達 250:1 的 PWM 調(diào)光比,并且還可以使用一個外部 PWM 信號來實現(xiàn)高達 3000:1 的調(diào)光比。圖2中的原理圖顯示了使用LT3762的演示電路應(yīng)用(DC2342A),LT3762配置為在4 V至28 V輸入電壓范圍內(nèi)以2 A電流為高達32 V的LED供電。LT3762 同步升壓 LED 控制器采用 4 mm × 5 mm QFN 封裝以及 28 引腳 TSSOP 封裝。

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圖2.32 V、2 A LT3762升壓LED驅(qū)動器。

同步切換

在異步DC-DC轉(zhuǎn)換器拓撲中,肖特基箝位二極管用作無源開關(guān),以簡化轉(zhuǎn)換器對單個MOSFET進行脈寬調(diào)制的控制方案。雖然從控制角度來看,這確實簡化了事情,但它限制了可以輸送到輸出的電流量。肖特基二極管與PN結(jié)器件一樣,在任何電流通過器件之前都會經(jīng)歷正向壓降。由于肖特基二極管中的功耗是其正向壓降和電流的乘積,因此與傳導相關(guān)的功耗在過高的輸出電流水平下會導致幾瓦的損耗,從而導致肖特基二極管升溫,從而導致轉(zhuǎn)換器效率低下。

LT?3762 同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器不會遇到與異步轉(zhuǎn)換器相同的輸出電流限制。這是因為同步轉(zhuǎn)換器用第二個MOSFET取代肖特基二極管。與肖特基二極管不同,MOSFET沒有正向壓降。相反,MOSFET具有一個小電阻,當器件完全增強時,該電阻從漏極到源極形成。MOSFET在高電流下產(chǎn)生的傳導損耗遠低于肖特基二極管,因為功率損耗與通過器件的電流平方和漏源電阻的乘積成正比。即使在7 V的最低全功率輸入電壓下,MOSFET也僅承受約30°C的溫升,如圖3所示。

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圖3.在相同的測試條件下,使用類似的元件選擇,同步LT3762(左)為32 V的LED串供電,電流為2 A,溫升遠低于異步LT3755-2電路(右)中觀察到的溫升。熱性能的提高歸因于用同步MOSFET取代肖特基箝位二極管,從而消除了二極管正向壓降引起的損耗。

低輸入電壓操作

高功率升壓LED控制器的另一個挑戰(zhàn)區(qū)域發(fā)生在低輸入電壓操作期間。大多數(shù)升壓DC-DC穩(wěn)壓器IC使用由器件輸入供電的內(nèi)部LDO穩(wěn)壓器,為IC內(nèi)的模擬和數(shù)字控制電路提供較低電壓的電源。在從內(nèi)部LDO穩(wěn)壓器獲取功率的電路中,柵極驅(qū)動器消耗的功率最多,其性能受LDO穩(wěn)壓器輸出波動的影響。當輸入電壓降至LDO輸出電壓以下時,LDO輸出開始崩潰,這限制了柵極驅(qū)動器適當增強MOSFET的能力。當MOSFET未完全增強時,它們在更高的電阻狀態(tài)下工作,導致它們在電流通過器件時以熱量的形式耗散功率。

升壓轉(zhuǎn)換器拓撲中的低輸入電壓操作會導致較高的輸入電流,當必須通過電阻性更強的MOSFET器件時,會加劇傳導損耗。根據(jù)穩(wěn)壓器IC的柵極驅(qū)動電壓,這會嚴重限制器件在不過熱的情況下成功實現(xiàn)的低輸入電壓范圍。

LT3762采用集成降壓-升壓DC-DC穩(wěn)壓器,而不是LDO穩(wěn)壓器,即使在輸入電壓較低時也能提供7.5 V電壓為內(nèi)部電路供電。該降壓-升壓型穩(wěn)壓器僅消耗 LT3762 IC 的三個引腳,并且只需要兩個額外的組件。與最小輸入電壓為4.5 V和6 V的內(nèi)部LDO控制器器件相比,LT3762能夠?qū)⑵漭斎牍ぷ鞣秶鷶U展至3 V。 降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的7.5 V輸出為柵極驅(qū)動器供電,允許使用6 V/7 V柵極驅(qū)動MOSFET。較高的柵極驅(qū)動電壓MOSFET往往具有較低的漏源電阻,并且(開關(guān)損耗除外)比較低的柵極驅(qū)動電壓同行更有效地工作。

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圖4.32 V、2 A LT3762 LED驅(qū)動器可在寬輸入范圍內(nèi)保持高效率。低電壓在折返有助于避免開關(guān)/電感器電流過大。異步開關(guān)從 24 V 輸入開始。

靈活的拓撲結(jié)構(gòu)

ADI公司的大多數(shù)其他升壓LED驅(qū)動器一樣,LT3762 可以重新配置為以升壓配置為 LED 供電,也可以重新配置為降壓 (降壓模式) 和升壓 / 降壓 (降壓-升壓模式和升壓-降壓模式)。在這些升壓轉(zhuǎn)換器拓撲變體中,ADI公司獲得專利的升壓-降壓模式配置能夠用作升壓/降壓轉(zhuǎn)換器,并具有低EMI工作的額外優(yōu)勢。這種拓撲利用兩個電感器,一個面向輸入,另一個面向輸出,以幫助濾除開關(guān)產(chǎn)生的噪聲。這些電感器有助于抑制耦合到輸入電源和可能連接的其他器件以及 LED 負載的 EMI。

可以在升壓-降壓模式拓撲中添加額外的電路,以提供LED的短路保護–節(jié)點到GND。圖 5 中的原理圖示出了在添加此保護電路的情況下,LT3762 處于升壓-降壓模式配置。如果 LED 指示燈–短路至GND,M4被迫關(guān)斷,阻斷通過電感器到達輸入的傳導路徑,防止電流過大。當 M4 被迫關(guān)斷時,D3 將 EN/UVLO 引腳拉低以阻止轉(zhuǎn)換器開關(guān),直到短路消除。此保護電路與 LT3762 的內(nèi)置開路 / 短路檢測功能結(jié)合使用,使得該解決方案能夠在惡劣環(huán)境中經(jīng)受各種故障條件的考驗。

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圖5.LT3762的25 V、1.5 A升壓-降壓配置,內(nèi)置LED–接地短路保護。

結(jié)論

異步升壓轉(zhuǎn)換器通常難以提供高輸出電流,而不會在正常工作時遇到顯著的功率損耗和續(xù)流二極管發(fā)熱。除了肖特基二極管產(chǎn)生的損耗外,當輸入電壓降低時,此類轉(zhuǎn)換器難以保持最大功率輸出能力,這限制了整個輸入范圍內(nèi)的功率傳輸。異步DC-DC轉(zhuǎn)換器根本不適合更高的功率水平,必須采用同步開關(guān)方案以滿足應(yīng)用規(guī)范。LT?3762 升壓型 LED 控制器通過其同步開關(guān)解決了提供高輸出電流的問題,由于其內(nèi)置 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠在低得多的輸入電壓下工作,并且具有用于多種電路拓撲的靈活性。

審核編輯:郭婷

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