DS1213 SmartSocket產品已達到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產品進行更換。使用該替換模塊產品，客戶將安裝完整的一體式內存解決方案。

介紹

DS1213 SmartSocket產品已達到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產品進行更換。使用該替換模塊產品，客戶將安裝完整的一體式內存解決方案，保證提供至少 10 年的數據保留壽命。更換產品可輕松將基于智能插座的等效配置的使用壽命延長一倍。

更換決定

隨著任何密度的PDIP SRAM產量的減少，尋找兼容存儲芯片的采購問題可能會加速確定替代產品的決定。DS12xx系列NV SRAM模塊包括一個非常低功耗的SRAM元件，消除了過去的雙元件采購要求。這些模塊的“AB”版本允許±5%的工作電源容差，與之前配備DS1213的安裝的電氣特性相匹配。

在現有應用中，DS1213智能插座和某些版本的客戶采購SRAM提供非易失性存儲器陣列，用于在沒有外部電源的情況下存儲數據。SRAM規范將是一個很好的參考，用于確定兩個更換標準，這兩個標準將決定購買哪種速度等級的模塊：存儲器密度和基于存儲器性能的信息。

客戶應首先研究當前安裝的內存配置，然后參閱表1以獲取適當的更換組件。

從SRAM標記和/或規格中，應該有一些關于該存儲器的功能讀取訪問時間的指示。此參數通常由零件號的數字擴展名指定;它注釋了可以從組件中讀取數據的最長時間（以納秒為單位）（例如：-55、-70、-100、-120 等）。一些制造商會截斷其品牌信息上的速度等級信息，因此電氣規格將是最全面的參考文檔。

DS1213智能插座出廠時設置為5V±5%的電源容差，寫保護低于4.75V。DS12xx系列NV SRAM模塊的等效電源容差具有AB后綴，如表1所示。在一些罕見的應用中，DS1213智能插座可能經過修改，使用5V±10%容差。在這些應用中，更換的部件號與DS12xx器件號相同，后綴為“AD”。

DS1213智能插座的額定工作溫度范圍為0°C至+70°C，與DS12xx系列商用溫度產品相當。如果需要工業溫度范圍（-40°C至+85°C），則指定為“IND”的模塊產品也可用于任何NV SRAM存儲器密度。請參閱該特定模塊產品的訂購信息。

DS1213智能插座采用錫鉛（SnPb 63/37）焊料制造，用于連接內部元件。如果需要，無鉛（100% 霧錫）模塊產品（由加號 （+） 表示）也可用于任何內存密度。請參閱該特定模塊產品的訂購信息。

由于內置電池，DS1213智能插座和列出的DS12xx系列NV SRAM模塊都不能容忍對流回流焊接。建議使用波峰焊或手工焊接。

DS1213B與16kb SRAM的考慮

DS1213B SmartSocket有28個引腳，但DS1220存儲器元件只有24個引腳。需要對PCB進行修改：跳線V抄送從跡線 28 向下到跡線 26;并隔離跟蹤 26。然后，通過將新元件對齊到插座的底部（接地）端來安裝DS1220模塊。從主板上卸下智能插座后，執行必要的主板修改。然后將DS1220AB安裝到底部（接地）端，就像SRAM先前放置在插座中一樣。DS1220AB元件引腳1應與先前與SmartSocket引腳3相關的PCB走線對齊，如圖1所示。

與 SmartSocket 引腳 1、2、27 和 28 對齊的原始 PCB 走線將未使用。

除了修改電路板外，還有另一種選擇：安裝DS1225AB存儲器模塊。系統將僅使用四分之一的內存陣列，但更改不那么復雜。

圖1.在 28 引腳焊盤圖案上放置 24 引腳模塊。（未按比例繪制。

DS1213D與256kb SRAM的考慮因素

DS1213D SmartSocket有32個引腳，但DS1230存儲器元件只有28個引腳。需要對PCB進行修改：跳線V抄送從跡線 32 向下到跡線 30;并隔離跟蹤 30。然后，通過將新元件對齊到插座的底端（地）端來安裝DS1230模塊。從主板上卸下智能插座后，執行必要的主板修改。然后將DS1230AB安裝到底部（接地）端，就像SRAM先前放置在插座中一樣。DS1230AB元件引腳1應與先前與SmartSocket引腳3相關的PCB走線對齊，如圖2所示。

與 SmartSocket 引腳 1、2、31 和 32 對齊的原始 PCB 走線將未使用。

除了這種電路板修改之外，還有另一種選擇：安裝DS1245AB存儲器模塊。系統將僅使用四分之一的內存陣列，但更改不那么復雜。

圖2.在 32 引腳焊盤圖案上放置 28 引腳模塊。（未按比例繪制。

審核編輯：郭婷