IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極和發(fā)射極。為了工作MOSFET/IGBT，通常必須向柵極施加相對(duì)于器件源極/發(fā)射極的電壓。專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器用于向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論這些柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為什么需要它們，以及如何定義它們的基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。

需要柵極驅(qū)動(dòng)器

IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線性電容器。對(duì)柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通并允許電流在其漏極和源極端子之間流動(dòng)，而放電時(shí)，它會(huì)關(guān)閉器件，然后可能會(huì)在漏極和源極端子上阻塞大電壓。柵極電容充電且器件幾乎可以導(dǎo)通時(shí)的最小電壓是閾值電壓（V千).對(duì)于將 IGBT/功率 MOSFET 用作開(kāi)關(guān)，電壓要大于 V千應(yīng)應(yīng)用于柵極和源極/發(fā)射極之間。

考慮一個(gè)帶有微控制器的數(shù)字邏輯系統(tǒng)，該微控制器可以在其中一個(gè)I/O引腳上輸出0 V至5 V的PWM信號(hào)。該P(yáng)WM不足以完全打開(kāi)電源系統(tǒng)中使用的功率器件，因?yàn)槠溥^(guò)驅(qū)動(dòng)電壓通常超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)CMOS/TTL邏輯電壓。因此，在邏輯/控制電路和高功率器件之間需要一個(gè)接口。這可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)邏輯電平n溝道MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)，而邏輯電平n溝道MOSFET又可以驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，如圖1a所示。

圖1.采用反相邏輯驅(qū)動(dòng)的功率 MOSFET。

如圖 1a 所示，當(dāng) IO1發(fā)出低信號(hào)，VGSQ1< VTHQ1因此，MOSFET Q1仍然關(guān)閉。因此，在功率MOSFET Q的柵極處施加正電壓2.Q的柵極電容2（CGQ2） 通過(guò)上拉電阻 R 充電1并將柵極電壓拉至V的軌電壓DD.給定 VDD> VTHQ2/ 22打開(kāi)并可以傳導(dǎo)。當(dāng) IO1輸出高電平，Q1打開(kāi)和 CGQ2通過(guò) Q 放電1.VDSQ1~ 0 V 使得 VGSQ2< VTHQ2因此，Q2關(guān)閉。此設(shè)置的一個(gè)問(wèn)題是 R 中的功耗1在 Q 狀態(tài)期間1.為了克服這個(gè)問(wèn)題，pMOSFET Q3可用作上拉，以與Q互補(bǔ)的方式運(yùn)行1，如圖1b所示。 PMOS具有低導(dǎo)通電阻，并且在關(guān)斷狀態(tài)下具有非常高的電阻，因此大大降低了驅(qū)動(dòng)電路中的功耗。為了控制柵極轉(zhuǎn)換期間的邊沿速率，在Q漏極之間外部增加了一個(gè)小電阻1和Q之門(mén)2.使用MOSFET的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是易于在芯片上制造它，而不是制造電阻器。這種用于驅(qū)動(dòng)電源開(kāi)關(guān)柵極的獨(dú)特接口可以以單片IC的形式創(chuàng)建，該IC接受邏輯電平電壓并產(chǎn)生更高的功率輸出。該柵極驅(qū)動(dòng)器IC幾乎總是具有額外的內(nèi)部電路以實(shí)現(xiàn)更大的功能，但它主要用作功率放大器和電平轉(zhuǎn)換器。

柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)

驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度：

提供適當(dāng)柵極電壓的問(wèn)題通過(guò)使用執(zhí)行電平轉(zhuǎn)換器工作的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決。但是，柵極電容器不能瞬時(shí)改變其電壓。因此，功率FET或IGBT具有非零的有限開(kāi)關(guān)間隔。在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，器件可能處于高電流和高電壓狀態(tài)，從而導(dǎo)致熱量形式的功耗。因此，從一種狀態(tài)到另一種狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要快速，以最大限度地減少切換時(shí)間。為此，需要高瞬態(tài)電流來(lái)快速對(duì)柵極電容進(jìn)行充電和放電。

數(shù)字。2. MOSFET 導(dǎo)通過(guò)渡，無(wú)需柵極驅(qū)動(dòng)器

能夠在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)供應(yīng)/吸收更高柵極電流的驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間，從而降低其驅(qū)動(dòng)的晶體管內(nèi)的開(kāi)關(guān)功率損耗。

圖3.MOSFET 通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通過(guò)渡。

微控制器I/O引腳的拉電流和灌電流額定值通常高達(dá)數(shù)十毫安，而柵極驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的電流。在圖2中，當(dāng)功率MOSFET由微控制器I/O引腳在其最大額定源電流下驅(qū)動(dòng)時(shí)，觀察到較長(zhǎng)的開(kāi)關(guān)間隔。如圖3所示，使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4121可顯著縮短轉(zhuǎn)換時(shí)間，該驅(qū)動(dòng)器提供比微控制器I/O引腳高得多的驅(qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)相同功率的MOSFET。在許多情況下，直接使用微控制器驅(qū)動(dòng)更大功率的MOSFET/IGBT可能會(huì)過(guò)熱并損壞控制，因?yàn)?a target="_blank">數(shù)字電路中可能存在電流過(guò)敏。具有更高驅(qū)動(dòng)能力的柵極驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)，上升和下降時(shí)間為幾納秒。這降低了開(kāi)關(guān)功率損耗，使系統(tǒng)更加高效。因此，驅(qū)動(dòng)電流通常被認(rèn)為是選擇柵極驅(qū)動(dòng)器的重要指標(biāo)。

與驅(qū)動(dòng)電流額定值對(duì)應(yīng)的是漏源導(dǎo)通電阻（RDS（ON）） 的柵極驅(qū)動(dòng)器。雖然理想情況下 RDS（ON）MOSFET 在完全導(dǎo)通時(shí)的值應(yīng)為零，由于其物理結(jié)構(gòu)，它通常在幾歐姆的范圍內(nèi)。這考慮了從漏極到源極的電流路徑中的總串聯(lián)電阻。

RDS（ON）是柵極驅(qū)動(dòng)器最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度額定值的真正基礎(chǔ)，因?yàn)樗拗屏蓑?qū)動(dòng)器可以提供的柵極電流。RDS（ON）的內(nèi)部開(kāi)關(guān)決定灌電流和拉電流，但外部串聯(lián)電阻用于降低驅(qū)動(dòng)電流，從而影響邊沿速率。如圖4所示，高端導(dǎo)通電阻和外部串聯(lián)電阻R內(nèi)線在充電路徑中形成柵極電阻，低側(cè)導(dǎo)通電阻與R內(nèi)線在放電路徑中形成柵極電阻。

圖4.具有MOSFET輸出級(jí)和功率器件作為電容器的柵極驅(qū)動(dòng)器的RC電路模型。

RDS（ON）還直接影響驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的功耗。對(duì)于特定的驅(qū)動(dòng)電流，較低的值為RDS（ON）允許更高的R內(nèi)線要使用的。由于功耗分布在R之間內(nèi)線和 RDS（ON），R 的值越高 內(nèi)線意味著更多的功率耗散在驅(qū)動(dòng)器外部。因此，為了提高系統(tǒng)效率并放寬驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的任何熱調(diào)節(jié)要求，較低的R值DS（ON）對(duì)于給定的芯片面積和IC尺寸，是優(yōu)選的。

圖5.ADuM4120柵極驅(qū)動(dòng)器和時(shí)序波形

定時(shí)：

柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)序參數(shù)對(duì)于評(píng)估其性能至關(guān)重要。包括ADuM4120在內(nèi)的所有柵極驅(qū)動(dòng)器的通用時(shí)序規(guī)格（如圖5所示）是傳播延遲（tD） 的驅(qū)動(dòng)程序，定義為輸入邊沿傳播到輸出所花費(fèi)的時(shí)間。如圖5所示，傳播延遲上升（t德華）可以定義為輸入邊沿上升到輸入高閾值（VIH） 的輸出上升到其最終值的 10% 以上。類(lèi)似地，下降傳播延遲（t敦豪） 可以表示為從輸入邊沿下降到輸入低閾值 V 以下的時(shí)間伊利諾伊州到時(shí)間輸出低于其高水平的90%。對(duì)于上升沿和下降沿，輸出轉(zhuǎn)換的傳播延遲可能不同。

圖5還顯示了信號(hào)的上升和下降時(shí)間。這些邊沿速率受器件可以提供的驅(qū)動(dòng)電流的影響，但它們也取決于被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載，并且在傳播延遲計(jì)算中沒(méi)有考慮在內(nèi)。另一個(gè)時(shí)序參數(shù)是脈沖寬度失真，即同一器件的上升和下降傳播延遲之間的差異。因此，脈沖寬度失真 （PWD） = |t唰 –t敦豪|.

由于不同部分內(nèi)的晶體管不匹配，兩個(gè)部分的傳播延遲永遠(yuǎn)不會(huì)完全相同。這會(huì)導(dǎo)致傳播延遲偏差（t扭曲），定義為在相同工作條件下對(duì)同一輸入做出反應(yīng)時(shí)，兩個(gè)不同器件的輸出轉(zhuǎn)換之間的時(shí)間差。如圖5所示，傳播延遲偏差定義為器件間偏差。對(duì)于具有多個(gè)輸出通道的器件，此規(guī)格以相同的方式表示，但表示為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中考慮。

圖6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動(dòng)器的典型設(shè)置，采用半橋配置，采用功率MOSFET，適用于電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。在這樣的設(shè)置中，如果兩個(gè)Q1和 Q2同時(shí)打開(kāi)，由于電源和接地端子短路，有可能擊穿。這可能會(huì)永久損壞開(kāi)關(guān)甚至驅(qū)動(dòng)電路。為避免擊穿，必須在系統(tǒng)中插入死區(qū)時(shí)間，以便大大降低兩個(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)打開(kāi)的可能性。在死區(qū)時(shí)間間隔內(nèi)，兩個(gè)開(kāi)關(guān)的柵極信號(hào)都很低，因此，開(kāi)關(guān)理想情況下處于關(guān)斷狀態(tài)。如果傳播延遲偏差較低，則所需的死區(qū)時(shí)間較低，并且控制變得更加可預(yù)測(cè)。具有更低的偏斜和更低的死區(qū)時(shí)間，可實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)、更高效的系統(tǒng)運(yùn)行。

定時(shí)特性很重要，因?yàn)樗鼈儠?huì)影響電源開(kāi)關(guān)的運(yùn)行速度。了解這些參數(shù)有助于實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單、更精確的控制電路設(shè)計(jì)。

隔離：

它是系統(tǒng)中各種功能電路之間的電氣分離，使得它們之間沒(méi)有直接的傳導(dǎo)路徑可用。這允許單個(gè)電路具有不同的接地電位。信號(hào)和/或功率仍然可以使用電感、電容或光學(xué)方法在隔離電路之間傳遞。對(duì)于具有柵極驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng)，出于功能目的，隔離可能是必要的，也可能是一項(xiàng)安全要求。在圖 6 中，我們可以有 V總線數(shù)百伏特，數(shù)十安培電流通過(guò) Q1或 Q2在給定時(shí)間。如果該系統(tǒng)出現(xiàn)任何故障，如果損壞僅限于電子元件，則可能不需要安全隔離，但如果控制側(cè)有人為參與，則需要在高功率側(cè)和低壓控制電路之間進(jìn)行電氣隔離。它提供高壓側(cè)任何故障保護(hù)，因?yàn)楦綦x柵阻止電力到達(dá)用戶，盡管組件損壞或故障。

圖6.半橋設(shè)置中的隔離柵，采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

監(jiān)管和安全認(rèn)證機(jī)構(gòu)強(qiáng)制要求隔離，以防止電擊危險(xiǎn)。它還可以保護(hù)低壓電子設(shè)備免受高功率側(cè)故障造成的任何損壞。描述安全隔離的方法多種多樣，但從根本上說(shuō)，它們都與隔離柵擊穿的電壓有關(guān)。該電壓額定值通常在驅(qū)動(dòng)器的整個(gè)生命周期內(nèi)給出，以及特定持續(xù)時(shí)間和配置文件的電壓瞬變。這些電壓電平還對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)器IC的物理尺寸以及隔離柵兩端引腳之間的最小距離。

除了安全原因外，隔離對(duì)于系統(tǒng)的正確運(yùn)行也是必不可少的。圖6顯示了電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中常用的半橋拓?fù)洌渲薪o定時(shí)間只有一個(gè)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。在高功率側(cè)，低側(cè)晶體管Q2其源接地。Q的柵源電壓2（五GSQ2）因此直接以地為參考，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單。高邊晶體管Q不是這種情況。1，因?yàn)樗膩?lái)源是開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)，根據(jù)哪個(gè)開(kāi)關(guān)接通，該節(jié)點(diǎn)被拉到總線電壓或地。打開(kāi) Q 的步驟1，正柵極至源極電壓 （VGSQ1），應(yīng)應(yīng)用超過(guò)其閾值電壓。因此，柵極電壓Q1將高于 V總線當(dāng)它處于打開(kāi)狀態(tài)時(shí)，源連接到 V總線.如果驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有接地參考隔離，則電壓大于V總線將需要驅(qū)動(dòng) Q1.這是一個(gè)繁瑣的解決方案，對(duì)于高效的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)是不切實(shí)際的。因此，需要電平轉(zhuǎn)換并參考高端晶體管源的控制信號(hào)。這稱(chēng)為功能隔離，可以使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器（如ADuM4223）來(lái)實(shí)現(xiàn)。

抗噪性：

柵極驅(qū)動(dòng)器用于固有大量噪聲源的工業(yè)環(huán)境。噪聲會(huì)損壞數(shù)據(jù)并使系統(tǒng)不可靠，從而導(dǎo)致性能下降。因此，柵極驅(qū)動(dòng)器需要具有良好的抗噪聲能力，以確保數(shù)據(jù)完整性。抗噪性與驅(qū)動(dòng)器抑制電磁干擾（EMI）或RF噪聲以及共模瞬變的能力有關(guān)。

EMI是破壞電子設(shè)備預(yù)期操作的任何電噪聲或磁干擾。影響柵極驅(qū)動(dòng)器的EMI是高頻開(kāi)關(guān)電路的結(jié)果，主要是由于大型工業(yè)電機(jī)的磁場(chǎng)而產(chǎn)生的。EMI可以是輻射或傳導(dǎo)的，并且可以耦合到附近的其他電路中。因此，對(duì)EMI或RF抗擾度的抗擾度是指柵極驅(qū)動(dòng)器抑制電磁干擾并保持穩(wěn)健運(yùn)行而無(wú)錯(cuò)誤的能力。具有高EMI抗擾度，允許驅(qū)動(dòng)器在大型電機(jī)附近使用，而不會(huì)在數(shù)據(jù)傳輸中引入任何故障。

如圖6所示，隔離柵有望在不同電位下提供跨地的高壓隔離。但高頻開(kāi)關(guān)會(huì)導(dǎo)致副邊的電壓轉(zhuǎn)換邊沿較短。由于隔離邊界之間的寄生電容，這些快速瞬變從一側(cè)耦合到另一側(cè)，這可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞。這可能是在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)中引入抖動(dòng)或完全反轉(zhuǎn)信號(hào)的形式，導(dǎo)致效率低下，在某些情況下甚至直通。因此，柵極驅(qū)動(dòng)器的定義指標(biāo)是共模瞬變抗擾度（CMTI），它定量描述了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器抑制其輸入和輸出之間的大共模瞬變的能力。如果系統(tǒng)中的壓擺率很高，則驅(qū)動(dòng)器的抗擾度需要很高。因此，在高頻和大總線電壓下工作時(shí)，CMTI數(shù)字尤其重要。

結(jié)論

本文旨在介紹柵極驅(qū)動(dòng)器，因此，到目前為止討論的參數(shù)并未構(gòu)成有關(guān)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格的詳盡列表。還有其他驅(qū)動(dòng)器指標(biāo)，如電源電壓、允許溫度、引腳排列等，與每個(gè)電子部件一樣，這些都是常見(jiàn)的考慮因素。ADuM4135和ADuM4136等一些驅(qū)動(dòng)器還集成了保護(hù)功能或高級(jí)檢測(cè)或控制機(jī)制。市場(chǎng)上的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器種類(lèi)繁多，使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須了解所有這些規(guī)格和特性，以便就相關(guān)應(yīng)用中使用適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)器做出明智的決定。

審核編輯：郭婷