Vishay TrenchFET Gen V MOSFET

節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63%

有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計

Vishay推出兩款新型 30 V 對稱雙通道 n 溝道功率 MOSFET，將高邊和低邊 TrenchFET Gen V MOSFET 組合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS 單體封裝中。Vishay SiliconixSiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時占位面積比 PowerPAIR 6x5F 封裝雙片 MOSFET 減小 63%。MOSFET 為 USB-C 電源筆記本電腦、服務器、直流冷卻風扇和通信設(shè)備同步降壓轉(zhuǎn)換器、負載點（POL）轉(zhuǎn)換電路和 DC/DC 模塊設(shè)計人員提供節(jié)省空間解決方案。這些應用中，SiZF5302DT高低邊 MOSFET 提供了 50% 占空比和出色能效的優(yōu)質(zhì)效果，特別是在 1 A 到 4 A 電流條件下。而SiZF5300DT則是 12 A 到 15 A 重載的理想解決方案。

SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 利用 Vishay 的 30 V Gen V 技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V 和 4.5 V 下典型導通電阻分別為 2.02 mΩ 和 2.93 mΩ， SiZF5302DT 相同條件下導通電阻分別為 2.7 mΩ 和 4.4 mΩ。兩款 MOSFET 4.5 V 條件下典型柵極電荷分別為 9.5 nC 和 6.7 nC。超低導通電阻與柵極電荷乘積，即 MOSFET 功率轉(zhuǎn)換應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM），比相似導通電阻的前代解決方案低 35 %。高頻開關(guān)應用效率提高 2%，100 W 能效達到 98%。

與前代解決方案對比

器件采用倒裝芯片技術(shù)增強散熱能力，獨特的引腳配置有助于簡化 PCB 布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 經(jīng)過 100% Rg 和 UIS 測試，符合 RoHS 標準，無鹵素。

器件規(guī)格表

SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 現(xiàn)可提供樣品并已量產(chǎn)。