大家知道,為實(shí)現(xiàn)低相位噪聲性能,尤其是超低相位噪聲性能,必須使用低噪聲電源才能達(dá)到最佳性能。但文獻(xiàn)上沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明如何通過(guò)一種系統(tǒng)化方法來(lái)量化電源噪聲電壓電平對(duì)相位噪聲的影響。本文旨在改變這種狀況。
本文提出了電源調(diào)制比(PSMR)理論,用來(lái)衡量電源缺陷如何被調(diào)制到RF載波上。通過(guò)電源噪聲對(duì)RF放大器相位噪聲的貢獻(xiàn)來(lái)驗(yàn)證這一理論;測(cè)量結(jié)果表明,可以計(jì)算并且相當(dāng)準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)該貢獻(xiàn)。基于此結(jié)果,本文還討論了描述電源特性的系統(tǒng)化方法。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:PSMR與PSRR不同之處
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