數(shù)據(jù)及其相關(guān)存儲對于所有計算應(yīng)用程序都至關(guān)重要，無論是筆記本電腦、便攜式電腦還是尖端服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心。所有領(lǐng)導(dǎo)智慧城市發(fā)展的現(xiàn)代技術(shù)，例如5G、物聯(lián)網(wǎng)、工廠自動化以及無人駕駛汽車等，均依賴于數(shù)據(jù)存儲及數(shù)據(jù)處理。

在數(shù)據(jù)管理方面，內(nèi)存模塊無疑發(fā)揮著無可替代的作用。這些集成電路內(nèi)存芯片可安裝在小型電路板上，并采用預(yù)定義的設(shè)計規(guī)格和功能。工程師們可以根據(jù)這些預(yù)定義的規(guī)格和功能，將內(nèi)存芯片用于各類應(yīng)用場景。在標(biāo)準(zhǔn)定義的范圍內(nèi)，內(nèi)存模塊一直在不斷更新迭代。

與此同時，內(nèi)存模塊也廣泛用于各種數(shù)據(jù)設(shè)備和通信設(shè)備，例如個人電腦、筆記本電腦、平板電腦，以及數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)連接儲存（Network-Attached Storage，NAS）設(shè)備和工業(yè)計算機(jī)等。

DDR4與DDR5主要區(qū)別

DDR5采用當(dāng)今前沿和先進(jìn)的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，可滿足AI、機(jī)器學(xué)習(xí)以及頂級數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境對高性能計算不斷增長的需求。我們的DDR5連接器主要針對高密度和高速連接場景，嚴(yán)格符合JEDEC SO-024和JEDEC MO-337規(guī)范。

DDR5連接器

DDR4內(nèi)存模塊旨在支持在各類現(xiàn)代應(yīng)用場景中輕松擴(kuò)展內(nèi)存，包括服務(wù)器、工作站和臺式計算機(jī)，以及通信和工業(yè)設(shè)備中的嵌入式應(yīng)用。JEDEC稱DDR4在速度及性能規(guī)格方面均屬歷來之最，直到其下一代DDR5橫空出世。

DDR4內(nèi)存模塊

除此之外，DDR4和DDR5在間距尺寸、接觸位置及插槽尺寸方面相差不大。

DDR5最新規(guī)格的鍵槽寬度為3.875毫米，同DDR4相比（5.575毫米）略有差別。就插槽尺寸而言，DDR5的長寬均發(fā)生了明顯變化，分別為133.75+0.30/-0.10毫米和1.45+0.05/-0.07毫米，而DDR4的長寬分別為133.75+/-0.10毫米和1.58+0.05/-0.07毫米。

圖1和表1：DDR5內(nèi)存模塊和DDR4內(nèi)存模塊之間的對比

安費諾垂直0.85毫米間距DDR5 DIMM插槽提供288個觸點，專用于插接符合JEDEC MO-329標(biāo)準(zhǔn)的DDR5內(nèi)存模塊。安費諾DDR5產(chǎn)品還包括標(biāo)準(zhǔn)版和窄插銷版。由于DIMM插槽需要并排放置，因此窄插銷版產(chǎn)品有助于增加空氣流通。

安費諾DDR5 SO-DIMM連接器具有262個觸點，工作電壓為1.1伏，傳輸速度為6.4Gb每秒，而DDR4 SO-DIMM連接器具有260個觸點，工作電壓為1.2伏，傳輸速度為3.2Gb每秒，相比之下得到了明顯提升。

表2：DDR5 SODIMM內(nèi)存模塊和DDR4 SODIMM內(nèi)存模塊的對比

此外，DDR5 SODIMM連接器對座深和鍵槽寬度也做了改進(jìn)，分別為3.95毫米和1.25毫米，而DDR4分別為3.90毫米和3.50毫米。

DDR4和DDR5均具有低功耗性能，并能有效地改善熱管理。不同的鍵控位置有助于確保準(zhǔn)確配接連接器，從而防止發(fā)生錯配。

總而言之，這兩款不同規(guī)格的連接器之間最大的區(qū)別無疑是數(shù)據(jù)傳輸速度得到了大幅提升。在單端插針排布模式下，DDR5支持高達(dá)6.4Gb/s的數(shù)據(jù)速率，是DDR4數(shù)據(jù)速率（3.2Gb/s）的兩倍。

安費諾DDR4內(nèi)存模塊符合JEDEC MO-309標(biāo)準(zhǔn)，此外還符合新的JEDEC POD12接口標(biāo)準(zhǔn)。這些連接器具有更小間距和更低工作電壓，因此有助于降低功耗。DDR4連接器對產(chǎn)品寬度及各類插針尾端長度均進(jìn)行了縮減，因此適用于各種應(yīng)用設(shè)計，可支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM規(guī)格等多種變體形式的內(nèi)存模塊，并能節(jié)省板上空間。DDR4連接器還提供超薄型（Ultra Low Profile，ULP）版本，該版本具有1.1毫米的超低模塊座深，以及13.1毫米的超低連接器高度。

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審核編輯：湯梓紅