本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。

獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。

然而，普通的單溝槽結(jié)構(gòu)由于柵極溝槽底部電場集中而存在長期可靠性相關(guān)的課題。針對這類課題，ROHM開發(fā)的雙溝槽結(jié)構(gòu)通過在源極部分也設(shè)置溝槽結(jié)構(gòu)，緩和了柵極溝槽底部的電場集中問題，確保了長期可靠性，從而成功投入量產(chǎn)。

這款采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，與正在量產(chǎn)中的第2代平面型（DMOS結(jié)構(gòu)）SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。

實際的SiC-MOSFET產(chǎn)品

下面是可供應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。

一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET。

審核編輯黃宇