本應用筆記介紹如何正確測試包含DS2786開路電壓電池監測器的電路板。提供了分步測試程序，可以遵循該程序以確保電路板已正確組裝.此外，本筆記還指導讀者在DS2786組裝到電路板上后如何正確編程EEPROM。

介紹

基于開路電壓（OCV）的DS2786電量計出廠時，默認的OCV曲線和默認配置加載到EEPROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應特定應用，可能需要對DS2786的EEPROM進行重新編程。本應用筆記介紹如何對EEPROM進行編程和測試組裝好的電路板。

執行板級測試

以下是在最終組裝到電池組之前如何對基于DS2786的OCV板進行生產測試的示例。圖1所示為利用DS2786所有功能的電路板原理圖示例。所有關鍵測試點（有7個）在圖中用圓圈數字表示。測試流程假設電路的所有分立元件都已經過測試，因此，目標是通過驗證連接來驗證電路板是否已正確組裝。

圖1.必須驗證的電路板節點。

測試 1：測試初始化。該測試的目的是確定電路板上是否有任何直接短路并驗證通信。在此步驟中成功與設備通信以讀取電壓寄存器可驗證SDA和SCL連接（節點1）以及Pack+到VDD引腳（節點 2）和 V 形封裝黨衛軍引腳（節點 3）連接。此外，通過讀取此步驟中的電壓寄存器并確認它是有效的測量值，連接到 V在可以驗證引腳（節點 4）。

測試 2：驗證 SNS（節點 5）。與SNS引腳的連接可以通過有效的電流測量進行驗證。

測試 3：驗證輔助輸入 AIN0 和 AIN1（節點 6）。與 AIN0 和 AIN1 引腳的正確連接可以通過有效的電阻測量進行驗證。此測試是可選的。

測試 4：驗證 VPROG 并對 EEPROM（節點 8）進行編程。為了對DS2786的EEPROM進行編程，需要一個測試點將編程電壓連接到VPROG引腳。通過編寫和復制 EEPROM 并驗證 EEPROM 是否已更新來驗證此連接。電流偏移偏置寄存器（COBR）包含在EEPROM中，因此在對EEPROM進行編程之前校準COBR可能是有益的。

*請勿將 0xFFh 寫入內存地址 7Dh，否則從地址將更改，設備將停止響應當前從地址。

校準電流偏移偏置寄存器

電流失調偏置寄存器允許DS2786的電流測量值以25μV步長調整至+3.175mV至-3.2mV之間的任意值。COBR 的出廠默認值為 0x00h。下面列出了校準電路中DS2786電流失調的步驟：

為DS2786供電，確保檢測電阻上沒有電流流過。

將 0x00h 寫入 COBR（內存地址 0x60h）。

等待 880 毫秒進行下一個轉換周期。

讀取當前寄存器。

盡可能多次重復步驟3和4以獲得平均電流讀數。

將平均電流讀數的相反值寫入COBR。

將值復制到 EEPROM（此步驟應與將所有值復制到 EEPROM 結合使用）。

總結

正確驗證組裝好的基于OCV的DS2786電量計需要測試電路中的每個焊接點。測試 1、2 和 3 可以合并為一個步驟，以減少測試時間，尤其是轉換時間的延遲。

此外，在測試期間對EEPROM進行編程可以提供更有效的測試流程，并提供方便的時間施加將參數保存到EEPROM所需的編程電壓，包括電流偏移偏置。

審核編輯：郭婷