ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”，而且共有13款型號，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。

為了延長xEV的續(xù)航距離，要求車載充電器實(shí)現(xiàn)高輸出、高效率

基于這種市場需求，ROHM一直致力于擴(kuò)充支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容。此次新增的10款型號，是采用了ROHM第三代溝槽柵結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET。第三代SiC MOSFET與第二代平面型SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。這些新產(chǎn)品的加入，使包括SiC SBD（肖特基勢壘二極管）在內(nèi)的滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的分立型產(chǎn)品目前多達(dá)34款型號，實(shí)屬業(yè)界頂級陣容。下面是滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET所有產(chǎn)品的陣容。如欲了解單個(gè)產(chǎn)品的規(guī)格，請點(diǎn)擊產(chǎn)品名稱的鏈接。

＜滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用SiC MOSFET產(chǎn)品陣容＞

通用規(guī)格：工作溫度范圍-55℃～+175℃、TO-247N封裝、支持AEC-Q101

代別 （柵極結(jié)構(gòu)）	產(chǎn)品名稱	VDS (V)	導(dǎo)通電阻(typ.) (mΩ)	ID (A)	PD (W)
第3代 （溝槽柵結(jié)構(gòu)）	SCT3017ALHR	650	17	118	427
SCT3022ALHR	22	93	339
SCT3030ALHR	30	70	262
SCT3060ALHR	60	39	165
SCT3080ALHR	80	30	134
SCT3120ALHR	120	21	103
SCT3022KLHR	1200	22	95	427
SCT3030KLHR	30	72	339
SCT3040KLHR	40	55	262
SCT3080KLHR	80	31	165
SCT3105KLHR	105	24	134
SCT3160KLHR	160	17	103
第2代 （平面柵結(jié)構(gòu)）	SCT2080KEHR	1200	80	40	262

領(lǐng)先業(yè)界的SiC功率元器件的開發(fā)和生產(chǎn)體制

ROHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域始終在推進(jìn)領(lǐng)先業(yè)界的產(chǎn)品開發(fā)并打造相應(yīng)的量產(chǎn)體制。針對需求不斷擴(kuò)大的車載市場，ROHM及時(shí)確立了支持AEC-Q101等的車載級品質(zhì)和可靠性，并從2012年起開始供應(yīng)車載充電器用的SiC SBD，從2017年起開始供應(yīng)車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器用的SiC MOSFET。

另外，ROHM一直秉承“質(zhì)量第一”的理念，采用從開發(fā)到制造全部在集團(tuán)內(nèi)進(jìn)行的“垂直統(tǒng)合型”體制，針對在SiC功率元器件，也建立了從晶圓到封裝全部在集團(tuán)內(nèi)部進(jìn)行的一條龍生產(chǎn)體制，實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)和高可靠性。

未來，ROHM將繼續(xù)致力于擴(kuò)充車載用SiC功率元器件的產(chǎn)品陣容。

審核編輯黃宇