2022年，集成電路半導體行業最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖，成為行業發展的關鍵詞，也是群體焦慮。在全球市場，有人比喻EDA是“芯片之母”，如果沒有了芯片，工業發展和社會進步將處處受制，EDA的重要性也上升到了戰略性高度。盡管國際封鎖形勢嚴峻，但睿智的中國科技人擅于把危機化為機會，從《加快自動研發應用，讓工業軟件不再卡脖子》，到《破解科技卡脖子要打好三張牌》，即一要打好“基礎牌”，提升基礎創新能力；二要打好“應用牌”，加強對高精尖國貨的應用；三是要打好“人才牌”，讓人才留得住、用得上、有發展……，各種政策、舉措和實際行動，處處彰顯了我們中國科技的發展韌性。

我們EDA探索頻道，今天迎來了第9期的精彩內容——控制閾值電壓，下面就跟著小編一起來開啟今天的探索之旅吧~

MOSFET的最重要參數之一便是閾值電壓，理想的閾值電壓由以下公式給出。

然而，當我們考慮到固定氧化物電荷的影響和功函數的差異時，就會出現一個平帶電壓移動。

此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當在襯底和源極之間施加反向偏壓時，耗盡區被加寬，實現反轉所需的閾值電壓也必須增加，以適應更大的Qsc。

考慮到這些因素，得到的閾值電壓表達式為：

圖：NMOS與PMOS管在不同柵極條件下的計算結果。柵氧化層為5nm, VBS=0, Qf=0

引自S.M.Sze“SemiconductorDevicesPhysicsandTechnology”

上圖是一個計算結果，對應的是不同柵極的NMOS和PMOS的閾值電壓與襯底摻雜的關系。本征的多晶硅柵極相當于4.61eV的功函數。

精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關重要。通常情況下，閾值電壓是通過向溝道區的離子注入來調整的。例如，經過表面氧化層的硼注入通常被用來調整n溝道MOSFET的閾值電壓（帶p型襯底）。通過增大溝道的摻雜濃度來提升閾值電壓。由于離子注入的能量和劑量是可以精確控制的，可以由此實現對閾值電壓的精確控制。同理，向p型溝道注入少量的硼可以減少VT。

我們還可以通過改變氧化物的厚度來控制VT。隨著氧化層厚度的增加，n溝道MOSFET的閾值電壓變得更正，p溝道MOSFET的閾值電壓變得更負。這是由于在一定的柵極電壓下，氧化物越厚，相應的場強越小。這種方法被廣泛用于隔離在芯片上的晶體管。下圖顯示了隔離氧化層(也稱為場氧化層)在n+擴散區和n阱之間的橫截面。

圖：寄生的場區晶體管橫截面示意圖

引自S.M.Sze“SemiconductorDevicesPhysicsandTechnology”

n+擴散區是n型溝道區或者MOSFET的源區或漏區。MOSFET的柵極氧化物要比場氧化物薄得多。當電力線在場氧化層上形成時，就會產生一個寄生的MOSFET，也稱為“場區晶體管”，其n+擴散區和n阱區分別作為源極和漏極。

場區晶體管的VT通常比正常的薄柵氧化物的VT大一個數量級。在電路正常運行時，場效應晶體管不會被打開。因此，場氧化層在n+擴散區和n孔區之間提供了良好的隔離。

襯底偏壓也可以用來調整閾值電壓。源極和襯底可能不在同一電位上。在器件正常工作時，源和襯底之間的p-n結必須是零或反向偏壓。如果VBS為零，襯底的表面電位為2ψB。當施加反向襯底-源極偏壓（VBS>0）時，溝道中的電子電勢則會拉高到高于源極的電勢的水平。溝道中的電子將被橫向推到源極。如果要保持在強反型條件下溝道中的電子密度保持不變，柵極電壓必須提高到2ψB+VBS。

審核編輯 ：李倩