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存內(nèi)計(jì)算的前景如何

半導(dǎo)體芯情 ? 來源:半導(dǎo)體芯情 ? 2023-02-09 16:27 ? 次閱讀

近日,有國內(nèi)芯片推出來了一款比較前沿的芯片產(chǎn)品,它就是存算一體化芯片。

據(jù)媒體報(bào)道,知存科技這款芯片是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC,它的功耗低至1毫安,它就是WTM2101芯片,是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC。

知存科技介紹,WTM2101可使用sub-mW級功耗完成大規(guī)模深度學(xué)習(xí)運(yùn)算,特別適合可穿戴設(shè)備中的智能語音和智能健康服務(wù)。

一、這款芯片的優(yōu)勢:

1.基于存算一體技術(shù),實(shí)現(xiàn)NN VAD和上百條語音命令詞識別

2.超低功耗實(shí)現(xiàn)NN環(huán)境降噪算法、健康監(jiān)測與分析算法

3.典型應(yīng)用場景下,工作功耗均在微瓦級別

4.采用極小封裝尺寸

據(jù)半導(dǎo)體芯情了解到,存內(nèi)計(jì)算是一種新型架構(gòu)的芯片,相比當(dāng)前的計(jì)算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同,存內(nèi)計(jì)算是計(jì)算與數(shù)據(jù)存儲一體,可以解決內(nèi)存墻的問題,該技術(shù)60年代就有提出,只是一直沒有商業(yè)化。

據(jù)該公司創(chuàng)始人、CEO王紹迪介紹,這款芯片是知存科技首次嘗試在低功耗場景下量產(chǎn)的存內(nèi)計(jì)算芯片,一般運(yùn)行功耗在1毫安至5毫安之間。

此前還有報(bào)道,除了WTM2101芯片,知存科技也針對更高性能的視頻增強(qiáng)場景正在開發(fā)WTM8系列芯片,新一代架構(gòu)可以在單核提升算力80倍,提升效率10倍,目前驗(yàn)證芯片已經(jīng)回片,預(yù)計(jì)2023年正式發(fā)布。

二、為什么需要存內(nèi)計(jì)算芯片?

芯片最核心的價(jià)值之一就是運(yùn)算,那如何讓它運(yùn)算能力更牛呢?在摩爾定律的時(shí)代,我們可以用先進(jìn)制程,更小體積,更多晶體管,算力增強(qiáng)。如果制程一樣,先進(jìn)封裝也是可以提高產(chǎn)品性能(半導(dǎo)體芯情在這里不做闡述。)

但是,隨著先進(jìn)制程逼近1nm的物理極限,摩爾定律不可避免的放緩,即便是在日常生活中,人們也能感受到手機(jī)Soc、電腦CPU的升級換代效果越來越差,從過去的每代提升40%性能迅速下降至20%甚至10%。

與之對應(yīng)的是,當(dāng)今社會對數(shù)據(jù)、算力、芯片性能的要求卻越來越高,整個(gè)下游市場既然有龐大的需求出現(xiàn),那么整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的各方都在想方設(shè)法來提高芯片的性能,既然傳統(tǒng)的在晶圓上改進(jìn)工藝的方式進(jìn)展緩慢,那么在更上層的計(jì)算機(jī)架構(gòu)上動刀或許會有意想不到的收獲。

今年以來,一些跳出傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)體系的設(shè)想正在轉(zhuǎn)為研究成果出現(xiàn)在各大頂級期刊上,它就是“存內(nèi)計(jì)算”。

存內(nèi)計(jì)算,顧名思義就是把計(jì)算單元嵌入到內(nèi)存當(dāng)中。通常計(jì)算機(jī)運(yùn)行的馮·諾依曼體系包括存儲單元和計(jì)算單元兩部分,計(jì)算機(jī)實(shí)施運(yùn)算需要先把數(shù)據(jù)存入主存儲器,再按順序從主存儲器中取出指令,一條一條的執(zhí)行,數(shù)據(jù)需要在處理器與存儲器之間進(jìn)行頻繁遷移,如果內(nèi)存的傳輸速度跟不上CPU的性能,就會導(dǎo)致計(jì)算能力受到限制,即“內(nèi)存墻”出現(xiàn),例如,CPU處理運(yùn)算一道指令的耗時(shí)假若為1ns,但內(nèi)存讀取傳輸該指令的耗時(shí)可能就已達(dá)到10ns,嚴(yán)重影響了CPU的運(yùn)行處理速度。

三、存內(nèi)計(jì)算芯片它解決了哪些問題,前景如何?

王紹迪指出,存內(nèi)計(jì)算概念實(shí)際在上世紀(jì)60年代就被很早的提出,但一直以來都沒有真正技術(shù)落地,直到最近10年間,業(yè)界開始在這條技術(shù)路徑上做更多的研究,原因正是摩爾定律的極限已經(jīng)越來越近。

在如今最先進(jìn)的5納米和3納米芯片制造工藝之間,SRAM存儲器的密度并沒有提升。王紹迪稱,從7納米到5納米演進(jìn)時(shí),其SRAM存儲器密度提升也非常有限,尚不足20%。這也意味著,與芯片制造工藝中摩爾定律逐漸失效相比,存儲器的發(fā)展速度更慢,芯片的算力越來越大、核數(shù)越來越多,但實(shí)際每個(gè)核能夠使用的存儲器資源越來越少,因?yàn)榇鎯ζ鞯拿芏?、帶寬和存儲速度都遠(yuǎn)低于計(jì)算芯片的算力提升,這便是業(yè)內(nèi)稱之為“內(nèi)存墻”的問題。

關(guān)于內(nèi)存墻,王紹迪指出:“在如今AI計(jì)算時(shí)代下,隨著數(shù)據(jù)量爆炸式增長,計(jì)算中數(shù)據(jù)的搬運(yùn)量也越來越多,而芯片計(jì)算中有超過80%的時(shí)間和95%的能耗都被消耗在數(shù)據(jù)搬運(yùn)過程中。因此,內(nèi)存墻的問題在最近十年中越來越嚴(yán)重,業(yè)內(nèi)開始重新寄希望于用存內(nèi)計(jì)算去解決內(nèi)存墻的問題?!?/p>

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原文標(biāo)題:存內(nèi)計(jì)算前景如何?能成為顛覆傳統(tǒng)芯片的爆款嗎?

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