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運算放大器為高邊開關增加了短路保護

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-02-13 16:01 ? 次閱讀

顯示如何使用高邊開關連接/斷開電池與負載以降低功耗的應用程序。通過在電路中使用運算放大器,可提供短路保護。

高邊開關是延長電池壽命的基本方法。當不使用電路時,只需從外圍設備和子系統中移除電源電壓,即可消除不必要的功耗。

圖1所示的邏輯控制開關電路除了提供低阻抗開關和低靜態電流外,還提供輸出短路保護。實際開關 (Q1) 是一個 n 溝道 MOSFET,具有由穩壓電荷泵 IC1 產生的柵極驅動 (VBATT + 10V)。

通過將VBATT應用于ON/OFF輸入來打開電路。然后VOUT(引腳9和10)上升,在一毫秒左右的時間內達到VCC + 10V,并為IC2運算放大器供電。為了確保Q1保持關斷狀態,直到有足夠的柵極驅動可用,當上升輸出等于VCC +8V時,IC1內部的閾值檢測器在PR(引腳6)處觸發0V至VBATT轉換。

VBATT出現在PR端子上,在低功耗運算放大器的反相輸入端產生0.75(VBATT),在同相輸入端產生100msec脈沖。脈沖(幅度VBATT減去一個二極管壓降)啟動Q1進入導通狀態,并將電池連接到負載。然后,放大器(配置為比較器)將Q1的源電壓與反相輸入電壓進行比較。只要源電壓為正,Q1就會保持導通。

通過R4的反饋提供短路保護。如果過大的負載電流將反相輸入端的源電壓拉低至基準電平以下,柵極驅動將變為低電平并關斷Q1。然后,負載電壓崩潰,關閉開關。要休息,請將 ON/OFF 輸入拉至地(至少 100 毫秒)并拉回 VBATT。

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圖1.穩壓IC1電荷泵為高端電源開關Q1(n溝道功率MOSFET)產生VBATT + 10V柵極驅動 通過R4的反饋提供短路保護。

審核編輯:郭婷

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