精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例-變壓器T1的設計(1)

唯愛萌meng ? 來源:唯愛萌meng ? 作者:唯愛萌meng ? 2023-02-17 09:25 ? 次閱讀

從本文開始進入具體的設計,比如計算相關電路常數等。首先是變壓器T1的設計。計算步驟如下。這與“隔離型反激式轉換器電路設計:變壓器設計(數值計算)”中的思路基本相同,可以參考這篇文章中的內容。

  • ①反激式電壓VOR的設定
  • ②一次側繞組電感值Lp、一次側的最大電流Ippk的計算
  • ③變壓器尺寸的決定
  • ④一次側繞組數Np的計算
  • ⑤二次側繞組數Ns的計算
  • ⑥VCC繞組數Nd的計算
poYBAGPtjGKAauAVAABTStGaRVI051.gif

為進行變壓器設計,必須推導出來的參數有:“鐵芯尺寸”、“Lp電感值”、“Np/Ns/Nd的匝數”。

另外,賦予T1的條件為:輸出24V1A,VIN(DC)=300V~900V。

電路圖請隨時參考上一篇文章給出的電路圖。

①反激式電壓VOR的設定

反激式電壓VOR是VO(二次側Vout加上二次側二極管DN1的VF)乘以變壓器的匝比Np:Ns得到的值。確定VOR后,求匝比Np:Ns和占空比。基本公式和示例如下。(電路圖中缺少DN1的描述,實際上在T1的二次側連接的2個二極管就是DN1)

pYYBAGPtjGSAOAl1AAB5uQoDneE131.gif

設置VOR值時,請考慮到MOSFET的損耗等,使Duty達到0.5以下。圖中是MOSFET的Vds波形。

②一次側繞組電感值Lp、一次側的最大電流Ippk的計算

確定最低輸入時(VIN=300V)、最大負載時的最低振蕩頻率fsw后,求一次繞組電感值Lp和一次側的最大電流Ippk。

設最低輸入時(VIN=300V)的最低振蕩頻率 fsw=92kHz。另外,其他參數如下:

  • ?根據Po=24V X 1A=24W,考慮到過負載保護等,
    設Po(max)=30W(降額:0.8)
  • ?變壓器轉換效率η=85%
  • ?諧振用電容器容值Cv=100pF
poYBAGPtjGKAauAVAABTStGaRVI051.gif

pYYBAGPtjGiAIAIeAAA3WLNFH_A814.gif

③變壓器鐵芯尺寸的決定

根據Po(max)=30W,并稍微留些余量,變壓器鐵芯尺寸選擇EFD30。下表是相對于輸出功率Po的適當的鐵芯尺寸參考標準。具體請向變壓器廠商確認。

pYYBAGPtjGmAD6ObAAA5Ix0wfPI505.gif

這樣,所需的“鐵芯尺寸”、“Lp電感值”就確定了。“Np/Ns/Nd的匝數”將在下一篇文章中進行計算。

變壓器設計所需的參數

變壓器鐵芯尺寸 EFD30(或替代產品
Np(一次側匝數) 1750μH
Np(一次側匝數) (下一篇)
Ns(二次側匝數) (下一篇)
Nd(VCC匝數) (下一篇)


審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 變壓器
    +關注

    關注

    159

    文章

    7344

    瀏覽量

    134891
  • MOSFET
    +關注

    關注

    146

    文章

    7093

    瀏覽量

    212731
  • 諧振轉換器
    +關注

    關注

    5

    文章

    43

    瀏覽量

    11387
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    SiC-MOSFET的應用實例

    隔離諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価編絕緣
    發表于 11-27 16:38

    SiC-MOSFET體二極管特性

    電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB板布局與總結使用SiC-MOSFET隔離
    發表于 11-27 16:40

    設計中使用的電源IC:專為SiC-MOSFET優化

    本文將從設計角度首先對在設計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述,本文中會涉及“諧振轉換器”的設計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此,設計中所使用的電源
    發表于 11-27 16:54

    AC/DC轉換器設計前言

    SiC功率元器件,在Tech Web基礎知識專欄中有詳細介紹,可以結合起來閱讀。在本篇章中計劃介紹以下項目。<使用SiC-MOSFET隔離
    發表于 11-27 17:03

    SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別

    Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時,還需要探討柵極驅動電路。與Si-MOSFET的區別:內部柵極電阻SiC-MOSFET
    發表于 11-30 11:34

    反激式轉換器SiC用AC/DC轉換器控制IC組合顯著提高效率

    1700V高耐壓,還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器
    發表于 12-04 10:11

    SiC-MOSFET有什么優點

    二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此,在相同的耐壓值
    發表于 04-09 04:58

    SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

    二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此,在相同的耐壓值
    發表于 05-07 06:21

    使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器的設計更容易

    裝置機器人商用空調工業用照明(路燈等)內置SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC產品陣容產品名稱封裝電源電壓范圍MOSFET工作頻率VCC OVP *^
    發表于 07-27 11:00

    SiC-MOSFET器件結構和特征

    面積小(可實現小型封裝),而且體二極管的恢復損耗非常小。  主要應用于工業機器電源、高效率功率調節的逆變器或轉換器中。  2. 標準化導通電阻  SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚
    發表于 02-07 16:40

    絕緣反激式轉換器電路設計之變壓器設計(構造設計)

    /DC轉換器、絕緣轉換器非常重要的部件,因此至少要理解其步驟和進行討論。 變壓器T1的構造設計依照以下的步驟進行。 ①骨架選定 ②有效繞線槽的確認 ③決定繞組構造 ④沿面距離和絕緣膠帶
    的頭像 發表于 05-05 17:35 ?1814次閱讀
    絕緣<b class='flag-5'>型</b>反激式<b class='flag-5'>轉換器</b>電路設計之<b class='flag-5'>變壓器</b>設計(構造設計)

    使用SiC-MOSFET隔離諧振轉換器的設計案例-設計案例電路

    上一篇文章對設計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設計案例的電路。諧振方式:上一篇文章提到,電源IC使用的是SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC“BD7682FJ-
    的頭像 發表于 02-17 09:25 ?654次閱讀
    使用<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b>的<b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>準</b><b class='flag-5'>諧振</b><b class='flag-5'>轉換器</b>的設計案例-設計案例電路

    使用SiC-MOSFET隔離諧振轉換器的設計案例-變壓器T1的設計(2)

    在前面的“變壓器T1的設計 其1”中,對下述計算步驟①~③進行了說明。本文作為“其2”來計算剩下的④~⑥,并結束變壓器T1的設計篇。①反激式
    的頭像 發表于 02-17 09:25 ?682次閱讀
    使用<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b>的<b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>準</b><b class='flag-5'>諧振</b><b class='flag-5'>轉換器</b>的設計案例-<b class='flag-5'>變壓器</b><b class='flag-5'>T1</b>的設計(2)

    使用SiC-MOSFET隔離諧振轉換器的設計案例-PCB板布局示例

    截至上一篇文章,結束了部件選型相關的內容,本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET隔離諧振
    的頭像 發表于 02-17 09:25 ?617次閱讀
    使用<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b>的<b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>準</b><b class='flag-5'>諧振</b><b class='flag-5'>轉換器</b>的設計案例-PCB板布局示例

    使用SiC-MOSFET隔離諧振轉換器的設計案例 小結

    此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET隔離諧振轉換器的設計案例”,本文將作為該
    的頭像 發表于 02-17 09:25 ?732次閱讀