在前面的“變壓器T1的設計其1”中，對下述計算步驟①～③進行了說明。本文作為“其2”來計算剩下的④～⑥，并結束變壓器T1的設計篇。

• ①反激式電壓VOR的設定
• ②一次側繞組電感值Lp、一次側的最大電流Ippk的計算
• ③變壓器尺寸的決定
• ④一次側繞組匝數Np的計算
• ⑤二次側繞組匝數Ns的計算
• ⑥VCC繞組匝數Nd的計算

在“其１”中也提到過，為了進行變壓器設計，必須推導出來的參數有：“鐵芯尺寸”、“Lp電感值”、“Np/Ns/Nd的匝數”。在“其1”中已經計算了“鐵芯尺寸”和“Lp電感值”。

另外，賦予T1的條件為：輸出24V1A，VIN(DC)＝300V～900V。

電路圖請根據需要隨時參考鏈接的電路圖。

④一次側繞組匝數Np的計算

第4步是計算一次側繞組匝數Np。一般的鐵氧體鐵芯磁通密度B(T)的最大值在100℃時為0.4T，所以Bsat＝0.3T。

需要確認AL-Value－NI特性，并在不飽和區使用，以免引起磁飽和。確認時需要使用AL-Value－NI特性曲線圖。

例如，假設Np＝50匝，則

進入飽和區。

設置一次繞組匝數，并避免進入該飽和區。

當Np＝64匝時，則

處于不飽和區。所以，確定為Np＝64匝。

⑤二次側繞組匝數Ns的計算

接下來計算二次繞組匝數Ns。在“①反激式電壓VOR的設置”中，已經求出Np/Ns＝8，所以在此使用這個數據進行計算。

⑥VCC繞組匝數Nd的計算

通過下列公式來求VCC繞組匝數Nd。設VCC＝24V、Vf_vcc＝1V。

VCC的24V是該設計中使用的IC“BD7682FJ-LB”的VCC標準要求電壓。由于需要驅動SiC-MOSFET，因此柵極電壓（OUT引腳鉗位電壓）需要18V（typ）。

至此，所需參數全部計算完畢。前表中加入數值后如下。

最后是基于這些參數的變壓器設計案例。

審核編輯：湯梓紅