在“提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)”系列中，將使用二次側(cè)同步整流控制器IC BM1R001xxF系列，介紹將二極管整流的AC/DC轉(zhuǎn)換器改為同步整流化方式的設(shè)計(jì)案例。首先介紹設(shè)計(jì)步驟。

設(shè)計(jì)步驟

這是使用二次側(cè)同步整流控制器IC BM1R001xxF系列，將二極管整流的AC/DC轉(zhuǎn)換器改為同步整流方式的設(shè)計(jì)案例。

該設(shè)計(jì)的目的是將AC/DC轉(zhuǎn)換器中二次側(cè)搭載的整流二極管和分流穩(wěn)壓器替換為二次側(cè)同步整流控制器IC BM1R001xxF系列，以提高AC/DC轉(zhuǎn)換器的效率。設(shè)計(jì)步驟大致如下：

同步整流電路部的設(shè)計(jì)
1-1. 同步整流用MOSFET的選型
1-2. 控制IC的選型
1-3. 外圍部件的選型

分流穩(wěn)壓器電路部的設(shè)計(jì)

故障排除（Trouble Shooting）

特性評(píng)估

1和2的電路設(shè)計(jì)概述如下。另外，該設(shè)計(jì)案例不包括一次側(cè)的設(shè)計(jì)。

1. 同步整流電路部的設(shè)計(jì)概述
1-1. 同步整流用MOSFET的選型

?首先，選擇取代整流二極管的同步整流用MOSFET。

?根據(jù)整流二極管產(chǎn)生的反向電壓VR、正向電流IF，來(lái)評(píng)估替換用MOSFET的最大漏源間電壓、峰值電流、Ron的損耗、封裝的最大容許損耗等并進(jìn)行選擇。

?作為必須的確認(rèn)環(huán)節(jié)，需要在整機(jī)實(shí)裝的狀態(tài)下確認(rèn)運(yùn)行情況，并根據(jù)需要來(lái)探討散熱器等的散熱情況。

1-2. 控制IC的選型

?需要了解到，BM1R001xxF系列采用了強(qiáng)制OFF時(shí)間（Compulsion OFF Time）控制，以支持各種電源應(yīng)用。

?首先通過計(jì)算已掌握的整流二極管產(chǎn)生的反向電壓VR、正向電流IF以及二次側(cè)MOSFET最大ON時(shí)間tMAX_ON，來(lái)選擇相應(yīng)的IC。

?BM1R001xxF系列即可配置低邊型同步整流用MOSFET，也可配置高邊型同步整流用MOSFET，因此需要同時(shí)探討高邊和低邊電路。

1-3. 外圍部件的選型

?為了防止MOSFET開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓導(dǎo)致的誤檢測(cè)，需要選擇用于漏極引腳的對(duì)策部件。

?設(shè)置IC電源引腳VCC的供電電路

2. 分流穩(wěn)壓器電路部的設(shè)計(jì)概述

?BM1R001xxF系列內(nèi)置有低功耗高精度分流穩(wěn)壓器，可減少分流穩(wěn)壓器部的功耗。

?由于在IC內(nèi)部分流穩(wěn)壓器與同步整流控制器是完全分離的，因此在高邊型的反激式應(yīng)用中，也需要探討基于GND的分流穩(wěn)壓器使用。

?由于也可以不使用IC內(nèi)置的分流穩(wěn)壓器，因此需要探討不使用時(shí)的電路。

下一篇文章計(jì)劃介紹設(shè)計(jì)案例和設(shè)計(jì)中使用的BM1R001xxF系列的相關(guān)內(nèi)容。

審核編輯：湯梓紅