光刻曝光是指利用紫外光源將膠片或其他透明物體上的圖像信息轉(zhuǎn)移到涂有光敏材料（光刻膠）表面以得到高精度和極細微圖案的一種制作工藝，主要用于半導體生產(chǎn)、高精密集成電路、PCB板制造、MEMS等行業(yè)。光刻技術(shù)是半導體工業(yè)和集成電路是最為核心的制造技術(shù)。

半導體光刻行業(yè)主要使用的是紫外光源，包括i線（365nm）、h線 405 nm和 g線 436 nm。傳統(tǒng)光刻技術(shù)中使用的大多數(shù)紫外光源是汞放電燈，因為這些光源結(jié)構(gòu)具有較為穩(wěn)定的輸出強度和穩(wěn)定度。但汞燈的工作壽命短，幾個月就必須進行更換，維護成本高；汞燈內(nèi)含有毒氣體，在生產(chǎn)和使用過程中對人體和環(huán)境危害大；每次使用前必須進行預熱，不能隨用隨開，并且光能轉(zhuǎn)換率低。這些技術(shù)上的缺點成為制約汞燈大規(guī)模應用的主要原因。

伴隨著十多年來半導體技術(shù)以及UVLED的熱度，性能優(yōu)異的UVLED光源為紫外曝光和光刻設(shè)備帶來了革命性的變化。

與傳統(tǒng)汞燈相比，UVLED光源能夠持續(xù)且穩(wěn)定地輸出高功率的紫外光，工作壽命達上萬小時以上，極大程度地降低了維修率和成本，并且安全性高，完全無有害重金屬，電路控制簡單且集成冷卻系統(tǒng)。因此，UVLED光源取代傳統(tǒng)的汞燈光源是一種必然的發(fā)展趨勢。

現(xiàn)在的紫外光源系統(tǒng)可以實現(xiàn)為超高功率LED輻照系統(tǒng)，可取代傳統(tǒng)的放電燈（汞燈）。 通常包含兩個系統(tǒng)來使用：控制系統(tǒng)（CSS）和曝光系統(tǒng)（ESS），將控制系統(tǒng)和光源系統(tǒng)一分為二，提供高功率和緊湊性，易于集成到機器中。

曝光系統(tǒng)可與光導管、導光板等各種光學元件結(jié)合使用。采用分布式設(shè)計方法，其中控制子系統(tǒng)（CSS）與小面積曝光子系統(tǒng)（ESS）分離，直接集成到準直曝光設(shè)備（即掩模對準器）中。

此外，先進的UVLED光引擎最多可內(nèi)置4種LED，可輸出多個波長（365 nm / 385 nm / 405 nm / 435 nm），并且可配置搭載多個相同波長的模塊，實現(xiàn)高強度i線或g線輸出。曝光光源系統(tǒng)遵循分布式設(shè)計方法，通常由一個控制子系統(tǒng) (CSS)和一個單獨的曝光子系統(tǒng) (ESS)組成，ESS可直接接入到曝光系統(tǒng)中。

高功率UV-LED光源系統(tǒng)可適用于曝光機、先進封裝投影（***、晶圓邊緣曝光、光掩模檢查等）、質(zhì)量保證和檢查（NDT），在汽車、電子、光電子、制藥和生命科學領(lǐng)域具有廣泛的應用市場。

審核編輯黃宇