MicroVac卡盤專為正在測試高功率RF放大器（通常為HEMT器件，工作頻率高達60 GHz）的客戶而設計。這些高電子遷移率晶體管在III / V化合物半導體襯底（GaAs或GaN晶片）上制造，并且用于需要高功率信號傳輸的商業和軍事的各種無線通信產品中。

薄化的晶圓測試

這些高功率RF器件在測試和封裝之前需要晶圓減薄。減薄工藝去除器件下方的多余晶片襯底材料，其充當熱絕緣體，捕獲熱量，導致低性能，損壞或破壞的器件。在薄化過程中，晶圓可以減薄到僅50-100微米，這可能導致翹曲，有時晶圓會破裂或破裂成部分晶圓。

稀釋設備的測試問題

在將器件切割并組裝到封裝/散熱器中之前，通常在探針臺晶片夾盤上利用變薄的晶片執行電測試。當薄的晶圓位于卡盤上時，由于以下原因，在整個薄的晶圓接觸區域上均勻地保持真空是至關重要的：

減少墊損壞/慢速測試。晶片上的不均勻真空壓緊導致翹曲晶片具有不同的測試墊高度（PP~50-100μm）。焊盤上的探針觸地有時會因過度過載而導致焊盤損壞。為了補償Z高度變化，必須進行耗時的晶片分析，這會增加測試時間。

盡量減少設備損壞。晶片上的不均勻真空使得一些區域對于卡盤具有低導熱性，因此當對該裝置進行電測試時，該裝置可能過熱，并且被損壞或破壞。

獲得最高精度/設備產量。與上面的第二個類似，晶片上的非均勻真空壓緊導致不均勻的散熱，這可能限制器件的最大性能。這不僅會產生不準確的數據，而且還可以通過不正確的裝箱設備來降低晶圓產量，因為其性能低于封裝時的實際性能。

MicroVac技術提高產量

獲得專利的MicroVac卡盤技術可在整個晶圓表面提供均勻的真空。改進的真空設計可最大限度地減少泄漏并提供恒定的真空 – 從而實現市場上可獲得的最佳薄晶片下拉性能。對于減薄的晶片表面，可以在任何晶片位置實現均勻的探針超程，從而產生可重復的接觸和測量結果。

此外，專用的真空設計可以輕松快速地拉下厚度翹曲的晶圓，從而縮短獲得高精度數據的時間。晶圓可以變薄，變形或破裂。甚至部分晶片（不覆蓋所有卡盤真空孔）也均勻地保持真空，以實現對卡盤的最大設備導熱性和均勻的Z高度。

專利MicroVac卡盤的主要特點包括：

整個卡盤上有495個直徑為200μm的微孔

高流量內部真空通道設計

鍍金表面處理

五個用戶可選擇的真空區域

由此產生的客戶利益是什么？

準確的測量用于橫向高功率RF器件

導熱系數均勻（更好的DUT統計數據）

改進了薄晶圓處理（統一超行）

最佳翹曲晶圓下拉（減少手動調整）

在測試高性能薄型GaAs和GaN晶圓時，MicroVac技術可實現最高精度的橫向RF功率器件性能和良率。

審核編輯 ：李倩