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芯片附近0.1uF電容的作用

STM32嵌入式開發 ? 來源:STM32嵌入式開發 ? 2023-02-23 10:05 ? 次閱讀

電容思維導圖如下:

5975e9d6-b2b0-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

電容有四大作用:去耦、耦合(隔直通交)、濾波、儲能。今天我們主要談論去耦作用。

電容封裝

59859728-b2b0-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

相信大家都用過這幾種電容,板子上最多的是多層陶瓷電容。 鉭電容:主要用在電源電路中,博主被它炸過很多次......

去耦電容

59980ca0-b2b0-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

這是 STM32F103 最小系統原理圖,STM32F103VET6 需要五路 3.3V 供電,他的 3.3V 一般來源于 LDO(低壓差線性穩壓器),比如 LM1117。

5V轉3.3V的電路:

59a8d580-b2b0-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

LDO 比 DC-DC 的方式(TPS5430)更能提供穩定的電壓,但對芯片來說依舊不夠,我們需要在芯片供電引腳旁邊加上 0.1uF 的去耦電容,讓電壓中的高頻交流部分從電容走到地,從而芯片可以獲得穩定的直流電壓。因此,去耦電容的擺放需要盡量靠近芯片管腳。

為什么是 0.1uF ?

分析電源完整性的時候我們常用的電容模型如下圖所示:

59cd2d72-b2b0-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

ESR 是電容的串聯等效電阻,ESL 是電容的串聯等效電感,C 才是真正的理想電容。ESR 和 ESL 是由電容的制造工藝和材料決定的,沒法消除。ESR 影響電源的紋波,ESL 影響電容的濾波頻率特性。

因此,有如下公式:

59dcf3c4-b2b0-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

59ee4638-b2b0-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

當頻率很低的時候是電容起作用,而頻率高到一定的時候電感的作用就不可忽視了,再高的時候電感就起主導作用了。電容就失去濾波的作用了。所以,高頻的時候電容就不是單純的電容了。實際電容的濾波曲線如下圖所示。

5a02b410-b2b0-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

參見上圖,我們想要的最好的濾波效果是在“谷”底,就是曲線凹進去的尖尖,在這個尖尖的時候,濾波效果做好,能夠濾除這個頻段的干擾,但是,當頻率很高的時候,這個時候0.1uF電容個濾波效果就沒有0.01uF好了,以此類推,頻率再高,選用的濾波電容的量級還要變小。

因此有時候可以采用多阻值電容并聯的方式,獲得最好的濾波效果。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:芯片附近0.1uF電容的作用

文章出處:【微信號:c-stm32,微信公眾號:STM32嵌入式開發】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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