本文以常見的4M Flash W25Q32為例。

1、Flash存儲容量

容量可以從芯片的名稱上看出來，雖然不同廠家的命名方式不一樣，但是大體類似，比如W25Q80, W25Q16, W25Q32等。

W25Q80: 8M-bit / 1M -byte (1,048,576)W25Q16: 16M-bit / 2M-byte (2,097,152)W25Q32: 32M-bit / 4M-byte (4,194,304)

2、存儲單位

Page（頁）

：256字節，編程最小單位，一次最多編程256字節。

Sector（扇區）

：擦除的最小單位，一個Sector一般包含16個Page，即4KB。

Block（塊）

：包含16個Sector，塊擦除可以32KB（半塊）、64KB（整塊）兩種擦除方式。

2、封裝和管腳

封裝類型有SOIC-8、WSON-8等。注意不一定封裝越小越貴，要看哪一款用量大，用量大產量就大，產量大價格相對就便宜。元器件選型時要注意。

3、通訊方式

W25Q32支持標準的SPI、

Dual SPI，Quad SPI

標準SPI

：DI和DO都是單向的，即一進一出。

Dual SPI

：DI和DO是雙向的，即IO0和IO1。

Quad SPI

：DI、DO、/WP、/HOLD變為IO0、IO1、IO2、IO3。

標準SPI比較常見，Dual SPI和Quad SPI用得不多，他們通訊數據線多一些，速度更快。有些單片機沒有內部Flash或者內部Flash較少，但是帶有QSPI Flash接口，可以使用Quad SPI和Flash通訊，當然這種外部Flash運行程序速率肯定要打折扣的，這是題外話了。

4、關于寫保護

為了保證數據的完整，有以下幾種寫保護措施，防止軟件誤操作和電源不穩造成的數據錯誤。

1、電源低于下限值，自動寫保護。

2、上電后寫保護，直到Delay-Time時間到。

3、通過指令的方式進行寫保護。

4、通過狀態寄存器進行寫保護。

5、硬件管腳/WP寫保護。

說實話，寫保護方法挺多，用的不多，看自己需求吧。

4、狀態寄存器介紹

狀態寄存器1

狀態寄存器2

BUSY：只讀位，可以簡單理解為芯片自己在干活，比較忙，忙完了自動清除。

WEL：只讀位，寫使能指令后置1，寫禁用后清零。

BP2, BP1, BP0：寫保護相關位，是個非易失位，可讀可寫，用于寫保護控制，保護原理下面介紹。

TB：非易失位，寫保護相關位，保護底部還是頂部。

SEC：非易失位，保護扇區還是塊。

SRP1、SRP0：也是個非易失位，可讀可寫，和/WP管腳不同組合確定保護方式。

QE：Quad使能位，啟用4個數據線通訊方式，也是個非易失位。

注意：狀態寄存器里有些位是非易失特性，大部分SPI Flash會出現越擦越慢的情況，這些位肯定是存儲在Flash里，也會出現越擦越慢的情況，改寫的越多，再次改寫時間越長，這一點要留意。

寫保護：

舉個例子：如上圖藍色區域

例1：SEC=0保護塊，TB=0保護頂端，保護60-63這4個塊共256K，占用了Flash 1/16的空間。

例子2：SEC=1保護扇區，TB=0保護頂端，保護63塊頂端8K。

5、指令：

指令就不一一解讀了，手冊中有詳細的時序圖，舉幾個常用指令。

讀指令：03H，時序圖如下

先發讀指令碼03H，然后24位地址，之后SPI返回數據。

寫指令：02H，時序圖如下

先發寫指令碼02H，然后24位地址，之后要寫入的數據，寫操作時注意地址回繞問題。

扇區擦除指令：20H，時序圖如下

先發寫指令碼20H，然后24位地址，等待擦除完成即可。