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使用HRPWM的注意事項

星星科技指導員 ? 來源:ti ? 作者:Ke, Shaoxing ? 2023-03-14 09:39 ? 次閱讀

隨著新能源領域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉換效率高。其中,整機功率密度的提升,就需要提高開關頻率, 大部分現(xiàn)有產品的開關頻率在50k~200kHz。然而, 由于SiC/GaN器件的大面積推廣與使用, 開關頻率已經提升到500kHz,甚至1MHz。當系統(tǒng)的開關頻率超過200kHz時,此時PWM脈寬的調節(jié)精度會變低, 這就需要使用高精度模式的PWM調制。我們把用于擴展傳統(tǒng)ePWM模塊的時間精度的模塊, 稱之為高精度PWM(High resolution PWM)。本文將對C2000片上HRPWM模塊的工作原理、使用方法和注意事項進行詳細討論,并以實際案例進行展示。此外,HRPWM模塊也可以作DAC輸出用來實現(xiàn)模擬信號的觀測。

1.高精度PWM的工作原理 (HRPWM)

1.1 高精度PWM的MEP技術

C2000支持占空比、相移、死區(qū)和周期的高精度控制。HRPWM是在普通PWM模塊上采用微邊沿定位 (MEP, micro-edge positioner) 技術實現(xiàn)的。簡單來說, 就是將一個計數(shù)周期再拆分為很多個小的MEP步長, 如下圖所示。 其中,MEP最小步長是150ps。

poYBAGQP0CuAQxcfAADzn64r098772.png

圖1 HRPWM的微邊沿定位MEP示意圖

計算舉例:如下圖所示(開關頻率為1MHz),控制精度是由PWM的“計數(shù)器值”和“比較值”的來決定。F280013x的CPU頻率為120MHz,假設EPWM模塊時鐘為120MHz, 此時EPWM單個計數(shù)周期為8.3 ns,MEP步長為150 ps。如此, 可將每一個計數(shù)周期再細分為8.3 ns / 150 ps = 55. 56份。如圖中單邊向上計數(shù)模式下, 開關頻率為1MHz,則三角波載波周期為1 us, 計數(shù)周期TBPRD等于120。如果想實現(xiàn)10.15%的占空比,則邊沿時間的控制應當是 10.15 * 8.3 ns = 84.245 ns。此時, 設定CMPA = 10 (83 ns),剩下的1.245ns(不足單個計數(shù)周期)應當由HRPWM模塊來實現(xiàn), 也就是CMPA上再加上1.245 ns = 1245 ps = 150 ps * 8.3 ? 8個MEP步長。

pYYBAGQP0CuAECHoAAA_7GSO8PU616.png

圖2 單邊計數(shù)模式下的載波波形

其中,PWM分辨率的計算公式,如圖3所示。

poYBAGQP0CyAEQYtAACaFLU0Leg525.png

圖3 PWM的分辨率計算公式

圖4為不同開關頻率下的PWM和HRPWM的分辨率。如下圖,當開關頻率>250k,或者所要求的PWM分辨率>(9-10 bit)時,系統(tǒng)則需要使用HRPWM模塊。

pYYBAGQP0C2AOJZHAADQMppp0Wk385.png

圖4 PWM和HRPWM的分辨率算例表

1.2 高精度PWM的相關寄存器

高精度PWM相關的寄存器,如CMPAHR/CMPBHR、TBPHSHR、TBPRDHR、DBREDHR和DBFEDHR,以及HRPWM的時鐘輸入與配置,如圖5和圖6所示。HRPWM高精度寄存器作用位置是在AQ子模塊之后,由此不會影響AQ執(zhí)行邊沿動作。

poYBAGQP0C2Aa6PfAAEugfWe2F0846.png

圖5 HRPWM的相關的寄存器

pYYBAGQP0C6APnYBAAJIvyqIqRA600.png

圖6 HRPWM的相關的寄存器作用位置

pYYBAGQP0C-ALdvzAADS1QGuGVA263.png

圖7 HRPWM的時鐘輸入與配置

其中,需要注意的是CMPAHR寄存器只會影響Channel A,它跟CMPA沒有任何必然關系;CMPBHR寄存器只會影響Channel B,它跟CMPB沒有任何必然關系。同時, CMPAHR和CMPBHR分別可以作用在上升沿、下降沿和上升/下降沿。如下圖寄存器的說明可知, 如果僅配置CMPAHR寄存器值, 而Channel B上通過死區(qū)模塊由PWMxA極性翻轉而來, Channel B 上則不會產生高精度的PWM波形。若需要Channel A和Channel B都需要高精度模式, 此時需要將CMPAHR 與CMPBHR賦予相同的值,從而產生正確的PWM波形,如圖8所示。

poYBAGQP0C-AI-onAAIrgR9Yr5Q696.png

圖8 HRPWM的CMPAHR/CMPBHR寄存器說明

1.3 高精度PWM的CMPAHR/CMPBHR寄存器計算

以F28004x/F28003x為例,CMPAHR的算例及計算過程如下圖9所示。分別針對不同CMPAHR和CMPBHR上升沿REP (Rising Edge Position) 、下降沿FEP (Falling Edge Position) 和上升/下降沿BEP (Both Edge Position) 的作用示例。

pYYBAGQP0DCANfqrAAGcM_VjiTE308.png

圖9 HRPWM的CMPAHR算例

CMPAHR和CMPBHR上升沿REP作用示例, 如圖10:

poYBAGQP0DGARWLXAAGqGkWEpAU054.png

圖10

CMPAHR和CMPBHR下降沿FEP作用示例,如圖11:

pYYBAGQP0DGAREqJAAGnNOdlr9U663.png

圖11

CMPAHR和CMPBHR上升/下降沿BEP作用示例,如圖12:

poYBAGQP0DKAZcdKAAHoKjkEWvI158.png

圖12

1.4 創(chuàng)建和配置高精度PWM的工程項目

1)創(chuàng)建Driverlib的工程項目

Step1:添加 "Include" Files: #include "sfo_v8.h" 以及所對應的庫文件SFO_lib

Step2:聲明Variable Declarations:

uint16_t status = SFO_INCOMPLETE;

uint32_t MEP_ScaleFactor = 0; //scale factor value

volatile uint32_t ePWM[(PWM_CH + 1)] = {0, EPWM1_BASE, EPWM2_BASE};

Step3:縮放因子初始化MEP_ScaleFactor Initialization:

while(status == SFO_INCOMPLETE)

{

status = SFO();

if(status == SFO_ERROR)

{

//

// SFO function returns 2 if an error occurs & # of MEP

// steps/coarse step exceeds maximum of 255.

//

error();

}

}

Step4:增加用戶代碼并配置對應的寄存器如CMPAHR

void main ()

{

int status;

// User code

// ePWM1, 2, 3, 4 are running in HRPWM mode

// The status variable returns 1 once a new MEP_ScaleFactor has been

// calculated by the MEP Calibration Module running SFO

// diagnostics.

status = SFO ();

for(;;)

{

if(test_ctr < 256)
{
HRPWM_setCounterCompareValue(ePWM[1], HRPWM_COUNTER_COMPARE_A, (0x2000 + test_ctr));
test_ctr++;

}
else
{
test_ctr = 0;
}

if(status == SFO_ERROR)

{

//

// SFO function returns 2 if an error occurs & # of

// MEP steps/coarse step exceeds maximum of 255.

//

error();

}

}

}

2)Bit-field按寄存器創(chuàng)建的工程

Step1:添加 "Include" Files: #include "sfo_v8.h"以及所對應的庫文件SFO_lib

Step2:聲明Variable Declarations:

Uint16 status = SFO_INCOMPLETE;

int MEP_ScaleFactor = 0; //scale factor value

volatile struct EPWM_REGS *ePWM[] = {0, &EPwm1Regs, &EPwm2Regs};

Step3:縮放因子初始化MEP_ScaleFactor Initialization:

同上。

Step4:增加用戶代碼并配置對應的寄存器如CMPAHR

同上。

1.5 測試工程與PWM波形

pYYBAGQP0DOAJ0jTAABLxhPwQtI247.png

poYBAGQP0DOAdl5MAACWWob43xA166.png

2. 高精度PWM的注意事項

2.1 高精度PWM的Dead Band半個TBCLK計數(shù)周期生效

如下Note提示, 死區(qū)的高精度模式控制僅在半個TBCLK計數(shù)周期生效, 如下計算公式可知, 若CPU主頻直接分頻給到EPWM時鐘,即TBCLK 為100MHz,也就是10ns, 此時DBREDHR和DBFEDHR寄存器僅在5ns計數(shù)周期生效, 這也是為了進一步保證高精度死區(qū)的生成。

pYYBAGQP0DSAAuvSAACtmt9YWVs172.png

poYBAGQP0DSALCmYAADHnEdZH44432.png

pYYBAGQP0DSAZz6mAABqxP0hFOk111.png

poYBAGQP0DWAMgwoAAEcwoVWsAE888.png

2.2 高精度PWM的Dead Band高精度僅在雙邊計數(shù)Up-Down模式生效

如下Note提示, 死區(qū)的高精度模式控制僅在Up-Down計數(shù)模式下生效, 這主要是由于HRPWM的Duty占空比高精度模式控制限制所造成的。HRPWM在前三拍和后三拍是無效的,此時若想生成0%占空比可由普通PWM生成。硬件上不允許單邊計數(shù)模式下實現(xiàn)占空比的高精度模式控制。

poYBAGQP0DaAKlm7AABd1ievDe4230.png

pYYBAGQP0DaACxLYAACWphpsKbM289.png

2.3 Up-Down模式下高精度PWM的寄存器加載時刻僅Zero-Period生效

如下Note提示, 雙邊計數(shù)Up-Down模式下高精度控制影子寄存器加載僅在ZERO AND PERIOD生效, HRPWM模塊在過周期處用于內部特殊邏輯計算而不進行加載。單邊計數(shù)Up模式無此限制要求。此外單邊Down模式下是不支持高精度HRPWM操作。

poYBAGQP0DeAF4H5AAMHGcEd5oo276.png

3.結論

高精度模式的控制實現(xiàn)與普通PWM配置有差異,總結來說有以下幾點:1.CMPAHR負責Channel A上的高精度控制, CMPBHR負責Channel B上的高精度控制;2. HRPWM寄存器的生效時刻需要注意;3. 死區(qū)和占空比高精度實現(xiàn)的模式會對計數(shù)方式有要求;4. 單獨某一個Channel A上實現(xiàn)高精度會造成另外Channel B上的影響,不過僅±1 TBCLK;5. HRPWM高精度模式控制最高分辨率150ps, 可實現(xiàn)占空比Duty、死區(qū)DBREDHR和DBFEDHR、相移TBPHSHR和周期值TBPRDHR的高精度模式控制。以上不限于為高精度模式的使用與注意事項。

審核編輯:郭婷

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