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T型三電平逆變器的工作原理及Simulink仿真

CHANBAEK ? 來源:魯班的Simulink電力電子仿真 ? 作者:公孫魯班 ? 2023-03-17 11:07 ? 次閱讀

本文對T型三電平逆變器工作原理simulink仿真建模方法進(jìn)行介紹。

01T型三電平拓?fù)涞拈_關(guān)狀態(tài)

圖1為T字型-三電平電路單相拓?fù)洌負(fù)渲泄灿?個(gè)IGBT,4個(gè)二極管,還有電容組C1和C2; 假設(shè)正負(fù)母線電壓均等,都是Vdc。 將T1,T2,T3,T4的狀態(tài)用1和0分別表示,1表示開通,0表示關(guān)斷。

wKgZomQT2HuACydPAAAQObea0DI719.jpg

圖1 T型三電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

將T1、T2、T3、T4狀態(tài)組成的二級制數(shù)用16進(jìn)制表示開關(guān)狀態(tài),如T1、T2、T3、T4分別為1、1、0、0,則將該開關(guān)狀態(tài)的二進(jìn)制數(shù)1100用十六進(jìn)制數(shù)表示為C。

穩(wěn)定模態(tài)有3種:C,6,3; 即當(dāng)T1、T2、T3、T4分別為1、1、0、0時(shí),輸出電壓為Vdc; 即當(dāng)T1、T2、T3、T4分別為0、1、1、0時(shí),輸出電壓為0; 即當(dāng)T1、T2、T3、T4分別為0、0、1、1時(shí),輸出電壓為-Vdc。

考慮死區(qū)后,還存在另外兩種狀態(tài),分別為4,2。 則T型三電平逆變器輸出電壓由Vdc → 0 → - Vdc → 0→Vdc的切換過程中,T型三電平具有如下圖的切換狀態(tài),其中死區(qū)狀態(tài)的切換用黃色部分表示,穩(wěn)態(tài)狀態(tài)用藍(lán)色表示。

wKgaomQT2HyABDaDAAAiO7hIAb4436.jpg

圖2 T字型-三電平電路狀態(tài)表

wKgaomQT2HyAXzMRAAAb5ok8hNo812.jpg

圖3 T型三電平狀態(tài)循環(huán)和電流流向

在該拓?fù)渲?,IGBT的所有開關(guān)狀態(tài)的切換是循環(huán)的過程。

02T型三電平逆變器的換流過程

2.1. 開關(guān)狀態(tài)為C時(shí)(T1、T2、T3、T4分別為1、1、0、0),開關(guān)狀態(tài),IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgZomQT2HyAF6S_AAB0N3N4ZMA028.jpg

2.2. 開關(guān)狀態(tài)由C(1100)到開關(guān)狀態(tài)4(0100)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgZomQT2HyASNEWAACbESCRaaw478.jpg

2.3. 開關(guān)狀態(tài)由4(0100)到開關(guān)狀態(tài)6(0110)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgZomQT2HyASNEWAACbESCRaaw478.jpg

2.4. 開關(guān)狀態(tài)由6(0110)到開關(guān)狀態(tài)2(0010)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgaomQT2HyAAZB3AACWJHmk8rE950.jpg

2.5. 開關(guān)狀態(tài)由2(0010)到開關(guān)狀態(tài)3(0011)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgaomQT2HyALssqAAB9uiQrQr4664.jpg

2.6. 開關(guān)狀態(tài)由3(0011)到開關(guān)狀態(tài)2(0010)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgZomQT2HyAW7brAACBRGckVlc926.jpg

2.7. 開關(guān)狀態(tài)由2(0010)到開關(guān)狀態(tài)6(0110)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgaomQT2HyAQhXJAACso-oyakw220.jpg

2.8. 開關(guān)狀態(tài)由6(0110)到開關(guān)狀態(tài)4(0100)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgaomQT2HyAB8yZAACDIk5qjNE775.jpg

2.9. 開關(guān)狀態(tài)由4(0100)到開關(guān)狀態(tài)C(1100)的過程中,IGBT的C-E電壓與輸出電壓的關(guān)系及電流路徑如下圖所示:

wKgaomQT2HyAY4UkAACrEfTwmzw097.jpg

小結(jié):經(jīng)過以上對三電平拓?fù)渲忻總€(gè)切換過程的分析,可以得出如下結(jié)論:IGBT部分:1)電流朝外流時(shí):T1(C-->4),T2(6-->2)在關(guān)斷時(shí)會有電壓尖峰。 2)電流朝內(nèi)流時(shí):T3(6-->4),T4(3-->2)在關(guān)斷時(shí)會有電壓尖峰。 3)T1~T4在關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰,都是基于半個(gè)母線電壓Vdc。 但是由于T1管和T4管的阻斷電壓高,所以T1管和T4管的關(guān)斷電壓應(yīng)力風(fēng)險(xiǎn)相對較低; 而T2管和T3管是低壓管,所以T2管和T3管的關(guān)斷電壓應(yīng)力相對較大,這點(diǎn)需要特別注意。

二極管部分:1)電流朝外流時(shí):D3,D4有續(xù)流。 D3(4-->C),D4(2-->6)反向恢復(fù)。 2)電流朝內(nèi)流時(shí):D1,D2有續(xù)流。 D1(4-->6),D2(2-->3)反向恢復(fù)。 3)高阻斷電壓D1管和D4管在反向恢復(fù)時(shí),是基于半個(gè)母線電壓Vdc,所以產(chǎn)生的峰值功率也相對較小; 但是D2管和D3管由于阻斷電壓較低,在基于半個(gè)母線電壓Vdc反向恢復(fù)時(shí),產(chǎn)生的峰值功率會相對較大,這點(diǎn)需要特別注意。

03T型三電平拓?fù)涞?a target="_blank">Simulink仿真

作者在Matlab2014/Simulink上搭建兩T型三電平的仿真模型,如下圖所示:

wKgZomQT2HyAC0QPAAFEy3PwSUc740.jpg

圖4 T型三電平仿真結(jié)構(gòu)圖

該simulink模型采用模塊封裝的方式,主要包含電路部分,控制部分以及波形顯示三個(gè)部分。 采用閉環(huán)控制,對輸出電壓的平均值進(jìn)行閉環(huán),逆變器直流側(cè)電壓為750V,輸出電壓平均值為380V。 其T型三電平的電路結(jié)構(gòu)如下圖所示:

wKgZomQT2HyAReBYAAE04tRhr68256.jpg

圖5 T型三電平逆變器電路拓?fù)?/p>

其中控制器如下圖所示,采用模塊封裝結(jié)構(gòu),分為輸出電壓平均值計(jì)算模塊,PI模塊,輸出電壓指令模塊和調(diào)制模塊。 均采用函數(shù)編寫。

wKgZomQT2HyANND3AACyyKQroGc521.jpg

圖6 T型三電平逆變器控制器

下圖為T型三電平逆變器的調(diào)制模塊,采用三次諧波注入的SPWM方式等效三電平SVPWM的調(diào)制。

wKgaomQT2HuAdRuMAACKZCWH_zw777.jpg

圖7 T型三電平逆變器調(diào)制示意圖

下圖為T型三電平逆變器simulink模型的仿真結(jié)果,分別為濾波器逆變器濾波前線電壓波形,濾波后線電壓波形和輸出電流波形。

wKgZomQT2HyATuJZAAJbE9nSX-E954.jpg

圖8 T型三電平逆變器輸出電流電壓仿真波形

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