引言
與硅器件、電路和系統相關的研究和制造通常依賴于硅晶片的濕化學蝕刻。使用液體溶液溶解硅需要進行深度蝕刻和微加工、成型和清洗。此外,濕化學材料常用于單晶硅材料的缺陷描述。
實驗
一系列的化學反應通常被用于清潔硅晶片。這個序列最初是在RCA實驗室開發的,因此通常被稱為RCA過程。這種化學序列不會攻擊硅材料,而是選擇性地去除晶片表面的有機和無機污染。以下是典型的RCA過程;整個行業使用了序列順序和化學比率的變化。
氫氧化鉀蝕刻速率受硅晶體(各向異性)取向的強烈影響。表1將氫氧化鉀的硅取向相關的蝕刻速率(μm min-1)與蝕刻溫度為70°C時的晶體取向聯系起來。表括號中是相對于(110)的標準化值。
(110)平面是最快的蝕刻主表面。理想的(110)表面比(100)和(111)主表面具有更多的波紋原子結構。(111)平面是一個極其緩慢的蝕刻平面,它緊密排列,每個原子有一個懸浮鍵,整體原子上是平坦的。如上所示,主平面的強階梯表面和鄰近平面是典型的快速蝕刻表面。(江蘇英思特半導體科技有限公司)
表2將氫氧化鉀的硅取向相關的蝕刻速率與成分百分比、溫度和取向聯系起來。與所有的濕化學蝕刻溶液一樣,溶解速率與溫度有很強的函數。在較高的溫度下,明顯更快的蝕刻速率是典型的,但不太理想的蝕刻行為也常見于更激進的蝕刻速率。此外,重硼摻雜可以使硅硬化,顯著降低蝕刻速率。(江蘇英思特半導體科技有限公司)
TMAH蝕刻速率的取向依賴性與氫氧化鉀相似,并根據晶體平面的原子組織而變化。表3將TMAH(20.0wt%,79.8°C)的硅取向相關的蝕刻率與取向聯系起來。
與氫氧化鉀相似,TMAH的蝕刻速率隨溫度呈指數級變化。表4將TMAH的硅取向相關的蝕刻速率與成分百分比、溫度和取向聯系起來。
結論
有許多濕化學蝕刻配方以蝕刻硅。這些工藝用于各種應用,包括微加工、清洗和缺陷描述。蝕刻劑的詳細行為和速率將因實驗室環境和確切的過程而不同。(江蘇英思特半導體科技有限公司)
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