中國新能源汽車產銷量分別達到705.8萬輛和688.7萬輛，同比增長96.9%和93.4%，市場占有率達25.6%，新能源汽車產銷量已連續8年位居全球第一。不知道手機前的你是否也成為了電動汽車的車主

如果是的話，您是否有家用充電樁呢？每天又花多長時間來充電呢？普通的慢充充電時間要持續6-8小時，這個時間對于有家用充電樁的車主也許可以接受，白天開車，晚上充電。但是對于隨停隨走的需求顯然不能滿足，因此快充技術應運而生。

“充電五分鐘，通話兩小時”這曾是某手機廠商的廣告標語，而時代發展到現在，汽車領域也出現了“充電5分鐘，續航200公里”這樣的目標，這就是800V高壓快充平臺。

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當前主流新能源整車高壓電氣系統電壓范圍一般為230V-450V，取中間值400V，籠統稱之為400V系統；而伴隨著快充應用，整車高壓電氣系統電壓范圍達到550-930V，取中間值800V，可籠統稱之為800V系統。

那么為什么已經有了400V系統，還需要800V系統呢？

首先我們需要明確快充的關鍵是提高整車充電功率，實現的方法無非是提高電壓或者提高電流，但是加大充電電流需要更粗重的線束，這會增加汽車整體的重量，發熱量也會更高，所以提高電壓是更為可行的一個技術路線。

說了這么多前提背景介紹，那么回到標題的問題，電車快充的關鍵是什么呢？

答案就是碳化硅！

800V電子電器架構

由于整車架構由400V提高到800V，當前的OBC、DC/DC及PDU等電源產品都需要從400V等級提升至符合800V電壓平臺的應用，SiC的優異特性得以施展。相比于IGBT，SiC小體積、高效率、高開關速率及耐高溫的特點更適用于800V高壓充電平臺。

無圖無真相

正巧最近實驗室中出現SiCMOSFET一枚，

我們請出我們強有力的工具——

動態測試分析儀！

▲基礎款PD1500A

▲升級款PD1550A

他們不僅可以對傳統IGBT等功率器件進行測試，還適用于寬禁帶半導體VDS/VCE高達1360 V，ID/IC 高達1000A，同時可表征650V、1.2 kV和1.7 kV額定電壓的功率模塊。

詳細資料可點擊此處下載

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讓我們基于動態參數分析儀的實驗結果來看看SiC和IGBT的差別，尤其是動態參數方面。

測試之前，我們先來明確一下要對比哪些參數，根據之前的闡述，SiC具有更高的開關速率，更小的損耗，下面我們就從這兩個方面來進行解釋和對比：

1.開關速率——t_rt_t

從簡單理解的開關速率入手，我們只需要對器件進行開通和關斷進行控制，觀察它的開通和關斷時間即可，時間長，速率低，時間短速率高。

*Notes：本次實驗我們選用1200V,40A SiC MOSFET以及Si IGBT進行對比，要注意的是，在不同廠商與技術代別中SiC器件與Si器件某一特性的具體數值和相對比例，一定是有區別的，但SiC器件與Si器件對比結果的趨勢是不變的。

首先我們先來看一下IGBT的開關時間是多少，我們選取了某知名品牌IGBT的數據手冊中的數據。

t_r=30ns

t_t=70ns

而同樣條件下，我們測得的SiC MOSFET開關時間如下：

真實測試結果

可以從實驗結果看出，SiCMOSFET開關時間t_r=17.86ns，t_t=18.73ns，二者都小于同等條件下Si IGBT的開關時間，足以證明SiC MOSFET確實開關速率更快這一特性。

2.能量損耗——E_onE_off

接下來我們再對比一下器件損耗，根據IGBT手冊中的數據，器件開關損耗分別為：

E_on=2mJ

E_off=2.2mJ

而根據儀器測試結果，SiC的開關損耗僅為E_on=0.201mJ，E_off=0.205mJ，從測試結果對比可以看出，SiC的損耗確實遠遠小于Si IGBT。

真實測試結果

除了上述兩種參數外，我們還可以對寄生電容Qg，米勒電容Crss進行測試，來對比二者的差異，在之前我們也寫過相關的文章來解釋這些參數的含義，可以參考下列鏈接：

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芯片測試大講堂——寬禁帶半導體模塊動態參數測試

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雷軍花式安利的GaN充電器，憑啥成為充電神器？

如果想要查看測試use case和demo視頻，也可以參考下面的鏈接：

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Solution Talks | 寬禁帶半導體（WBG）雙脈沖測試方案

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