3. MCU工作模式
復(fù)位后,RA2 MCU系列可以進(jìn)入以下兩種模式之一:單芯片模式或SCI/USB引導(dǎo)模式。引導(dǎo)模式通過MD引腳來選擇:
表4. 復(fù)位時(shí)可用的工作模式
圖4顯示了通過模式設(shè)置(MD)引腳確定的工作模式轉(zhuǎn)換。
圖4. 模式設(shè)置引腳電平和工作模式
注:USB引導(dǎo)模式僅限支持USB全速功能的產(chǎn)品(如RA2A1)使用,但32引腳的RA2A1產(chǎn)品沒有此模式。
典型的MCU引導(dǎo)模式電路包括一個(gè)跳線和一對電阻器,允許選擇將MD引腳連接到VCC或接地。
圖5. MCU引導(dǎo)模式選項(xiàng)的典型電路
4. 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器
選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。將該存儲(chǔ)器分配給閃存的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個(gè)區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。
有關(guān)寄存器的詳細(xì)介紹,請參見《硬件手冊》中的“選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器”一章。
閃存選項(xiàng)寄存器在代碼閃存映射中占用一定空間。盡管寄存器位于RA MCU上保留閃存的一部分中,但是有些用戶可能會(huì)無意中將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在這些位置。用戶必須進(jìn)行檢查,確保沒有將多余數(shù)據(jù)寫入這些位置,否則可能導(dǎo)致芯片發(fā)生意外行為。例如,閃存選項(xiàng)寄存器中的設(shè)置可能會(huì)在復(fù)位后立即使能獨(dú)立看門狗定時(shí)器(IWDT)。如果存儲(chǔ)在程序ROM中的數(shù)據(jù)無意中與選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器寄存器重疊,則有可能在不知情的情況下打開IWDT。這將導(dǎo)致調(diào)試器與電路板之間的通信出現(xiàn)問題。
圖6顯示了包含選項(xiàng)功能選擇寄存器的選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器。選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器可能會(huì)因產(chǎn)品的不同而有差異,詳細(xì)情況請參照各MCU的用戶手冊。
圖6. RA2A1的選項(xiàng)功能選擇寄存器
4.1 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器寄存器
以下是選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器寄存器的概述。在啟動(dòng)之前,請確保已對其進(jìn)行正確配置。
? OFS0寄存器
? 獨(dú)立看門狗定時(shí)器(IWDT)自動(dòng)啟動(dòng)
? IWDT超時(shí)、頻率、窗口操作、中斷類型和低功耗模式行為
? 看門狗定時(shí)器(WDT)自動(dòng)啟動(dòng)
? WDT超時(shí)、頻率、窗口操作和中斷類型
? OFS1寄存器
? 復(fù)位后LVD0使能
? 復(fù)位后HOCO啟動(dòng)
Renesas FSP配置器支持在BSP設(shè)置中設(shè)置選項(xiàng)存儲(chǔ)器,如圖7所示(以RA2A1 MCU為例)。通過FSP配置器進(jìn)行的設(shè)置會(huì)反映在編譯后的二進(jìn)制文件中。
圖7. RA2A1 MCU在FSP配置中的選項(xiàng)存儲(chǔ)器設(shè)置
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原文標(biāo)題:RA2快速設(shè)計(jì)指南 [2] MCU工作模式和選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器
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