開發過程中出現過模塊在空載時輸出電壓無法穩壓的現象,當時經過測試和分析,發現空載時變壓器在每一個開關周期都存在兩次短時間的能量傳遞,此部分能量會導致模塊輸出電壓飄升直至輸出過壓。
切換死區后,環路計算出的占空比為0時的發波方式(圖2)
在阮新波的《三電平直接變換器及其軟開關技術》一書中對帶載時的工作模態有很詳細的分析,但對空載時的工作模態沒有提及。實際上,由于空載時諧振電感沒有電流,無法在MOS管關斷時提供前(后)橋之間交換電荷的能量,因此在空載時工作模態和帶載時存在著很大的不同。下面通過分析模塊在切換死區后變壓器的傳能過程(t1-t4,見圖2),來尋找產生此問題的根本原因。模塊采用的三電平半橋拓撲如圖3所示,為了分析方便,已經將位號進行了標注。
采用的三電平半橋拓撲(圖3)
當環路計算結果為0時,DSP發出的驅動如圖2所示,傳能過程發生在t1到t4這段時間,下面就來分析這段時間模塊的工作狀態。t1之前的初始狀態:Q1,Q3關斷,Q2,Q4導通,Q1,Q2,Q3,Q4這4個MOS管的結電容分別為C1,C2,C3,C4,PFC母線電壓為Vin,Vc95=Vc96=Vc1=Vc3=Vin/2,Vc2=Vc4=0V。
(1) t1—t2:t1時刻,Q2關斷。由于此時諧振電感L1并沒有電流,后橋的電荷無法交換。
(2) t2—t3:t2時刻,Q4關斷。由于此時諧振電感L1并沒有電流,前橋的電荷也無法交換。
(3) t3—t4:t3時刻,Q1導通,Q1兩端的電容C1通過Q1本體放電,Vc1會很快下降到0V。這導致了整個電路的平衡被打破,會出現以下過程:
1) Q4結電容充電過程。母線電壓會通過Q1和飛跨電容C93給C4充電,直到Vc4=Vin/2,電流方向如下圖所示。
Q4結電容充電過程(不傳能)
2)Q2結電容充電過程。隨著Q1結電容通過本體放電,C96(Q1,Q2回路的電壓源)的電壓加在了變壓器的兩端,并會有電流流過Q1,C2和T1,直到Vc2= Vin/2。這個過程變壓器兩段存在高壓和電流,從而導致變壓器向副邊傳遞能量。Q1開通時刻對應著VAB上升時刻;原邊電流上升時刻對應著VAB下降時刻,如圖4所示。
Q2結電容充電過程(傳能過程1)
傳能過程1的相關波形(圖4)
3) 由于飛跨電容C93和C2,C3并聯,C2電壓的上升會導致C3電壓的下降,即Q3結電容的電荷會通過下面的回路全部釋放,這個過程和傳能過程1同時進行,電流的方向和傳能過程1也相同,因此也會導致變壓器向副邊傳遞能量。
Q3結電容放電過程(傳能過程2)
(4) t4之后:t4時刻,Q3開通,由于在t3-t4的傳能過程中,諧振電感和隔直電容上存儲了一定的能量,此能量會在下圖所示的回路中自由震蕩,變壓器的電流方向也會正負交替。在振蕩過程中,如果變壓器副邊的電壓大于輸出電壓,則傳能,如小于輸出電壓則不傳能。
振蕩的回路(可能傳能)
t4之后的振蕩波形
以上分析的是空載切換死區后t1-t4的工作狀態。如不切死區,變壓器仍然會傳遞能量:Q2和Q4同時關斷,諧振電感沒有能量,前橋和后橋的電荷不會進行交換。當Q1和Q3同時開通時,C1和C3的能量通過MOS本體放電后,傳能過程1仍然存在。因此,無論空載時切不切后橋死區,變壓器向副邊傳能都是無法避免的。
在空載時無法穩壓問題的根本原因總結如下: 對于三電平半橋拓撲,如果采用移相控制,空載時變壓器向副邊傳能的現象是必然存在(無論是否在空載時切死區),傳遞的能量就會導致模塊輸出無法穩壓的問題。能量傳遞的大小與輸入電壓和后橋結電容的大小正相關:輸入電壓越高,PFC母線電壓越高,傳能時變壓器兩端的電壓就越大,傳能越多;后橋的結電容越大,給結電容充到Vin/2所需要的電流就越多,這個電流會全部通過變壓器,造成傳能越多。
此問題的解決方案有以下幾個思路:
(1)在DCDC的輸出側增加電阻型死負載。通過死負載將這部分能量消耗掉,以實現空載時的穩壓。但為了不影響額定負載時的效率,一般需要增加MOS管進行切換控制。
(2)輔助電源增加從輸出取電的功能。此時輔助電源相當于模塊的死負載,一直加在模塊的輸出端。從目前來看,一次電源的模塊一般都具有此功能(交流斷電后模塊能夠和監控保持通訊);而電力電源的模塊沒有此功能。
(3)將移相控制改為PWM控制。在空載時,可以將一對橋臂完全關死,MOS管結電容上的電荷不會發生轉移,變壓器也沒有電流流通的回路。但PWM驅動方案的成本比較高(必須采用隔離光耦)。
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