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高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進(jìn)展

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:化學(xué)與材料科學(xué) ? 2023-03-28 11:48 ? 次閱讀

由于大氣層的強(qiáng)烈吸收,地球表面幾乎不存在波長介于200-280nm之間的紫外光,該波段的光稱為日盲紫外,針對該波段的檢測被稱為日盲紫外探測。由于不受太陽光背景的影響,日盲紫外探測具有靈敏度極高、抗干擾能量強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。日盲紫外光電探測器在導(dǎo)彈預(yù)警、電網(wǎng)電暈檢測、火焰探測、臭氧層太陽光紫外線監(jiān)視等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。

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圖1.日盲深紫外光電探測器應(yīng)用及超寬禁帶氧化鎵材料

氧化鎵(Ga2O3)是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體(禁帶寬度為4.9 eV),具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點(diǎn),是日盲紫外探測理想的半導(dǎo)體材料。基于Ga2O3的日盲紫外光電探測器已有很多的報(bào)道。其中,pn結(jié)型光電探測器因其快速響應(yīng)和自供電特性。pn結(jié)型光電探測器的優(yōu)點(diǎn)與其內(nèi)部的耗盡區(qū)密切相關(guān)。然而,目前報(bào)道的大多數(shù)pn結(jié)型光電探測器由于p區(qū)或n區(qū)的重?fù)诫s導(dǎo)致耗盡區(qū)寬度較窄,這無疑限制了光電探測器的性能。

為了解決上述問題,廈門大學(xué)張洪良、程其進(jìn)課題組基于Ga2O3研發(fā)了一種具有全耗盡有源區(qū)的pin(p-GaN/i-Ga2O3/n-Ga2O3)異質(zhì)結(jié)自供電日盲紫外光電探測器。該pin異質(zhì)結(jié)光電探測器具有優(yōu)越的日盲探測能力,在無外部電源供電的情況下器件展示出較高的響應(yīng)度(72 mA/W)、較高的探測率(3.22 × 1012Jones)、高的光暗電流比(1.88 × 104)。器件具有較快的響應(yīng)速度(上升時(shí)間為7 ms,下降時(shí)間為19 ms)以及良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性(在248 nm的脈沖激光激發(fā)下下降時(shí)間為185 μs);并且器件具有良好的穩(wěn)定性,經(jīng)過長時(shí)間的開關(guān)或者放置之后器件的響應(yīng)特性幾乎沒有變化。

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圖2.全耗盡有源區(qū)的pin(p-GaN/i-Ga2O3/n-Ga2O3)異質(zhì)結(jié)自供電日盲紫外光電探測器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和能帶結(jié)構(gòu);器件實(shí)現(xiàn)了零偏壓下的自驅(qū)動(dòng)和較快的響應(yīng)速度。

另一方面,作者也通過高分辨X射線光電子能譜對Ga2O3/GaN異質(zhì)結(jié)界面的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)的研究,如帶階、內(nèi)建電勢等,并從電子結(jié)構(gòu)和能帶的角度分析了光電探測器中優(yōu)越器件性能的來源。研究發(fā)現(xiàn),通過對耗盡區(qū)寬度的嚴(yán)格調(diào)控,使得Ga2O3/GaN pin異質(zhì)結(jié)光電探測器中作為主要光吸收區(qū)(有源區(qū))的i-Ga2O3層完全耗盡,可以顯著提升光電探測器的性能,主要原因如下:第一,在大多數(shù)的pn結(jié)型光電探測器中,由于耗盡區(qū)較窄,大部分的光生載流子處于耗盡區(qū)之外,并且在擴(kuò)散過程中容易被復(fù)合,只有一小部分光生載流子能進(jìn)入耗盡區(qū),對光電流產(chǎn)生貢獻(xiàn),導(dǎo)致光電探測器響應(yīng)度較低,而本文中制備的光電探測器具有較寬的耗盡區(qū)可以更有效的分離光生載流子,減少了光生載流子復(fù)合的幾率,提高了光吸收效率,使得光電探測器的響應(yīng)度提升;第二,由于本文中制備的光電探測器具有一個(gè)全耗盡的有源區(qū),當(dāng)光照射到光電探測器時(shí),光生載流子可以直接在耗盡區(qū)中內(nèi)建電場的作用下做高速的漂移運(yùn)動(dòng),避免了漫長的擴(kuò)散過程,從而顯著提升了光電探測器的響應(yīng)速度;第三,低載流子濃度的i-Ga2O3層使得光電探測器的暗電流被抑制,提高了光電探測器的探測率。

相關(guān)工作以“A Fast Self-Powered Solar-Blind Ultraviolet Photodetector Realized by Ga2O3/GaN PIN Heterojunction with a Fully Depleted Active Region”為題發(fā)表在國際著名期刊Advanced Optical Materials上,廈門大學(xué)碩士研究生陳文澄為論文第一作者,程其進(jìn)副教授和張洪良教授為通訊作者。本研究工作為開發(fā)自供電、快速響應(yīng)的高性能日盲紫外光電探測器提供了重要基礎(chǔ)。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進(jìn)展

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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