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嵌入式系統知識和接口技術合集2

jf_78858299 ? 來源:物聯網智庫 ? 作者:EEPW、機器人2025 ? 2023-03-29 16:08 ? 次閱讀

7、總線電路及信號驅動

(1)總線是各種信號線的集合,是嵌入式系統中各部件之間傳送數據、地址和控制信息的公共通路。在同一時刻,每條通路線路上能夠傳輸一位二進制信號。按照總線所傳送的信息類型,可以分為:數據總線(DB)、地址總線(AB)和控制總線(CB)。

(2)總線的主要參數

總線帶寬:一定時間內總線上可以傳送的數據量,一般用MByte/s表示。

總線寬度:總線能同時傳送的數據位數(bit),即人們常說的32位、64位等總線寬度的概念,也叫總線位寬。總線的位寬越寬,總線每秒數據傳輸率越大,也就是總線帶寬越寬。

總線頻率:工作時鐘頻率以MHz為單位,工作頻率越高,則總線工作速度越快,也即總線帶寬越寬。

總線帶寬 = 總線位寬×總線頻率/8, 單位是MBps。

常用總線:ISA總線、PCI總線、IIC總線、SPI總線、PC104總線和CAN總線等。

(3)只有具有三態輸出的設備才能夠連接到數據總線上,常用的三態門為輸出緩沖器。

(4)當總線上所接的負載超過總線的負載能力時,必須在總線和負載之間加接緩沖器或驅動器,最常用的是三態緩沖器,其作用是驅動和隔離。

(5)采用總線復用技術可以實現數據總線和地址總線的共用。但會帶來兩個問題:

A、需要增加外部電路對總線信號進行復用解耦,例如:地址鎖存器。

B、總線速度相對非復用總線系統低。

(6)兩類總線通信協議:同步方式、異步方式。

(7)對總線仲裁問題的解決是以優先級(優先權)的概念為基礎。

8、電平轉換電路

(1)數字集成電路可以分為兩大類:雙極型集成電路(TTL)、金屬氧化物半導體(MOS)。

(2)CMOS電路由于其靜態功耗極低,工作速度較高,抗干擾能力較強,被廣泛使用。

(3)解決TTL與CMOS電路接口困難的辦法是在TTL電路輸出端與電源之間接一上拉電阻R,上拉電阻R的取值由TTL的高電平輸出漏電流IOH來決定,不同系列的TTL應選用不同的R值。

9、嵌入式系統中信息表示與運算基礎

(1)進位計數制與轉換:這樣比較簡單,也應該掌握怎么樣進行換算,有出題的可能。

(2)計算機中數的表示:源碼、反碼與補碼。

正數的反碼與源碼相同,負數的反碼為該數的源碼除符號位外按位取反。

正數的補碼與源碼相同,負數的補碼為該數的反碼加一。

例如-98的源碼:11100010B

反碼:10011101B

補碼:10011110B

(3)定點表示法:數的小數點的位置人為約定固定不變。

浮點表示法:數的小數點位置是浮動的,它由尾數部分和階數部分組成。

任意一個二進制N總可以寫成:N=2P×S。S為尾數,P為階數。

(4)漢字表示法,搞清楚GB2318-80中國標碼和機內碼的變換。

(5)語音編碼中波形量化參數(可能會出簡單的計算題目哦)

采樣頻率:一秒內采樣的次數,反映了采樣點之間的間隔大小。

人耳的聽覺上限是20kHz,因此40kHz以上的采樣頻率足以使人滿意。

CD唱片采用的采樣頻率是44.1kHz。

測量精度:樣本的量化等級,目前標準采樣量級有8位和16位兩種。

聲道數:單聲道和立體聲雙道。立體聲需要兩倍的存儲空間。

10、差錯控制編碼

(1)根據碼組的功能,可以分為檢錯碼和糾錯碼兩類。檢錯碼是指能自動發現差錯的碼,例如奇偶檢驗碼;糾錯碼是指不僅能發現差錯而且能自動糾正差錯的碼,例如循環冗余校驗碼。

(2)奇偶檢驗碼、海明碼、循環冗余校驗碼(CRC)。

11、差錯控制編碼嵌入式系統的度量項目

(1)性能指標:分為部件性能指標和綜合性能指標,主要包括:吞吐率、實時性和各種利用率。

(2)可靠性與安全性

可靠性是嵌入式系統最重要、最突出的基本要求,是一個嵌入式系統能正常工作的保證,一般用平均故障間隔時間MTBF來度量。

(3)可維護性:一般用平均修復時間MTTR表示。

(4)可用性

(5)功耗

(6)環境適應性

(7)通用性

(8)安全性

(9)保密性

(10)可擴展性

性價比中的價格,除了直接購買嵌入式系統的價格外,還應包含安裝費用、若干年的運行維修費用和軟件租用費。

嵌入式系統的評價方法:測量法和模型法

(1)測量法是最直接最基本的方法,需要解決兩個問題:

A、根據研究的目的,確定要測量的系統參數。

B、選擇測量的工具和方式。

(2)測量的方式有兩種:采樣方式和事件跟蹤方式。

(3)模型法分為分析模型法和模擬模型法。分析模型法是用一些數學方程去刻畫系統的模型,而模擬模型法是用模擬程序的運行去動態表達嵌入式系統的狀態,而進行系統統計分析,得出性能指標。

(4)分析模型法中使用最多的是排隊模型,它包括三個部分:輸入流、排隊規則和服務機構。

(5)使用模型對系統進行評價需要解決3個問題:設計模型、解模型、校準和證實模型。

12、接口技術

1、Flash存儲器

(1)Flash存儲器是一種非易失性存儲器,根據結構的不同可以將其分為NOR Flash和NAND Flash兩種。

(2)Flash存儲器的特點:

A、區塊結構:在物理上分成若干個區塊,區塊之間相互獨立。

B、先擦后寫:Flash的寫操作只能將數據位從1寫成0,不能從0寫成1,所以在對存儲器進行寫入之前必須先執行擦除操作,將預寫入的數據位初始化為1。擦除操作的最小單位是一個區塊,而不是單個字節。

C、操作指令:執行寫操作,它必須輸入一串特殊指令(NOR Flash)或者完成一段時序(NAND Flash)才能將數據寫入。

D、位反轉:由于Flash的固有特性,在讀寫過程中偶爾會產生一位或幾位的數據錯誤。位反轉無法避免,只能通過其他手段對結果進行事后處理。

E、壞塊:區塊一旦損壞,將無法進行修復。對已損壞的區塊操作其結果不可預測。

(3)NOR Flash的特點:

應用程序可以直接在閃存內運行,不需要再把代碼讀到系統RAM中運行。NOR Flash的傳輸效率很高,在1MB~4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

(4)NAND Flash的特點

能夠提高極高的密度單元,可以達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快,這也是為何所有的U盤都使用NAND Flash作為存儲介質的原因。應用NAND Flash的困難在于閃存需要特殊的系統接口

(5)NOR Flash與NAND Flash的區別:

A、NOR Flash的讀速度比NAND Flash稍快一些。

B、NAND Flash的擦除和寫入速度比NOR Flash快很多

C、NAND Flash的隨機讀取能力差,適合大量數據的連續讀取。

D、NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引進來尋址,可以很容易地存取其內部的每一個字節。NAND Flash的地址、數據和命令共用8位總線(有寫公司產品使用16位),每次讀寫都要使用復雜的I/O接口串行地存取數據。

E、NOR Flash的容量一般較小,通常在1MB~8MB之間;NAND Flash只用在8MB以上的產品中。因此,NOR Flash只要應用在代碼存儲介質中,NAND Flash適用于資料存儲。

F、NAND Flash中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次,而NOR Flash是十萬次。

G、NOR Flash可以像其他內存那樣連接,非常直接地使用,并可以在上面直接運行代碼;NAND Flash需要特殊的I/O接口,在使用的時候,必須先寫入驅動程序,才能繼續執行其他操作。因為設計師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在NAND Flash上自始至終必須進行虛擬映像。

H、NOR Flash用于對數據可靠性要求較高的代碼存儲、通信產品、網絡處理等領域,被成為代碼閃存;NAND Flash則用于對存儲容量要求較高的MP3、存儲卡、U盤等領域,被成為數據閃存。

2、RAM存儲器

(1)SRAM的特點:

SRAM表示靜態隨機存取存儲器,只要供電它就會保持一個值,它沒有刷新周期,由觸發器構成基本單元,集成度低,每個SRAM存儲單元由6個晶體管組成,因此其成本較高。它具有較高速率,常用于高速緩沖存儲器。

通常SRAM有4種引腳:

CE:片選信號,低電平有效。

R/W:讀寫控制信號。

ADDRESS:一組地址線。

DATA:用于數據傳輸的一組雙向信號線。

(2)DRAM的特點:

DRAM表示動態隨機存取存儲器。這是一種以電荷形式進行存儲的半導體存儲器。它的每個存儲單元由一個晶體管和一個電容器組成,數據存儲在電容器中。電容器會由于漏電而導致電荷丟失,因而DRAM器件是不穩定的。它必須有規律地進行刷新,從而將數據保存在存儲器中。

DRAM的接口比較復雜,通常有一下引腳:

CE:片選信號,低電平有效。

R/W:讀寫控制信號。

RAS:行地址選通信號,通常接地址的高位部分。

CAS:列地址選通信號,通常接地址的低位部分。

ADDRESS:一組地址線。

DATA:用于數據傳輸的一組雙向信號線。

(3)SDRAM的特點:

SDRAM表示同步動態隨機存取存儲器。同步是指內存工作需要同步時鐘,內部的命令發送與數據的傳輸都以它為基準;動態是指存儲器陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失。它通常只能工作在133MHz的主頻。

(4)DDRAM的特點

DDRAM表示雙倍速率同步動態隨機存取存儲器,也稱DDR。DDRAM是基于SDRAM技術的,SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據,它是在時鐘的上升期進行數據傳輸;而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據,它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據。在133MHz的主頻下,DDR內存帶寬可以達到133×64b/8×2=2.1GB/s。

3、硬盤、光盤、CF卡、SD卡

4、GPIO原理與結構

GPIO是I/O的最基本形式,它是一組輸入引腳或輸出引腳。有些GPIO引腳能夠加以編程改變工作方向,通常有兩個控制寄存器:數據寄存器和數據方向寄存器。數據方向寄存器設置端口的方向。如果將引腳設置為輸出,那么數據寄存器將控制著該引腳狀態。若將引腳設置為輸入,則此輸入引腳的狀態由引腳上的邏輯電路層來實現對它的控制。

5、A/D接口

(1)A/D轉換器是把電模擬量轉換為數字量的電路。實現A/D轉換的方法有很多,常用的方法有計數法、雙積分法和逐次逼進法。

(2)計數式A/D轉換法

其電路主要部件包括:比較器、計數器、D/A轉換器和標準電壓源。

工作原理簡單來說就是,有一個計數器,從0開始進行加1計數,每進行一次加1,該數值作為D/A轉換器的輸入,其產生一個比較電壓VO與輸入模擬電壓VIN進行比較。如果VO小于VIN則繼續進行加1計數,直到VO大于VIN,這時計數器的累加數值就是A/D轉換器的輸出值。

這種轉換方式的特點是簡單,但是速度比較慢,特別是模擬電壓較高時,轉換速度更慢。例如對于一個8位A/D轉換器,若輸入模擬量為最大值,計數器要從0開始計數到255,做255次D/A轉換和電壓比較的工作,才能完成轉換。

(3)雙積分式A/D轉換法

其電路主要部件包括:積分器、比較器、計數器和標準電壓源。

其工作原理是,首先電路對輸入待測電壓進行固定時間的積分,然后換為標準電壓進行固定斜率的反向積分,反向積分進行到一定時間,便返回起始值。由于使用固定斜率,對標準電壓進行反向積分的時間正比于輸入模擬電壓值,輸入模擬電壓越大,反向積分回到起始值的時間越長。只要用標準的高頻時鐘脈沖測定反向積分花費的時間,就可以得到相應于輸入模擬電壓的數字量,也就完成了A/D轉換。

其特點是,具有很強的抗工頻干擾能力,轉換精度高,但轉換速度慢,通常轉換頻率小于10Hz,主要用于數字式測試儀表、溫度測量等方面。

(4)逐次逼近式A/D轉換法

其電路主要部件包括:比較器、D/A轉換器、逐次逼近寄存器和基準電壓源。

其工作原理是,實質上就是對分搜索法,和平時天平的使用原理一樣。在進行A/D轉換時,由D/A轉換器從高位到低位逐位增加轉換位數,產生不同的輸出電壓,把輸入電壓與輸出電壓進行比較而實現。首先使最高位為1,這相當于取出基準電壓的1/2與輸入電壓比較,如果在輸入電壓小于1/2的基準電壓,則最高位置0,反之置1。之后,次高位置1,相當于在1/2的范圍中再作對分搜索,以此類推,逐次逼近。

其特點是,速度快,轉換精度高,對N位A/D轉換器只需要M個時鐘脈沖即可完成,一般可用于測量幾十到幾百微秒的過渡過程的變化,是目前應用最普遍的轉換方法。

(5)A/D轉換的重要指標(有可能考一些簡單的計算)

A、分辨率:反映A/D轉換器對輸入微小變化響應的能力,通常用數字輸出最低位(LSB)所對應的模擬電壓的電平值表示。n位A/D轉換器能反映1/2n滿量程的模擬輸入電平。

B、量程:所能轉換的模擬輸入電壓范圍,分為單極性和雙極性兩種類型。

C、轉換時間:完成一次A/D轉換所需要的時間,其倒數為轉換速率。

D、精度:精度與分辨率是兩個不同的概念,即使分辨率很高,也可能由于溫漂、線性度等原因使其精度不夠高。精度有絕對精度和相對精度兩種表示方法。通常用數字量的最低有效位LSB的分數值來表示絕對精度,用其模擬電壓滿量程的百分比來表示相對精度。

例如,滿量程10V,10位A/D芯片,若其絕對精度為±1/2LSB,則其最小有效位LSB的量化單位為:10/1024=9.77mv,其絕對精度為9.77mv/2=4.88mv,相對精度為:0.048%。

6、D/A接口基本

(1)D/A轉換器使將數字量轉換為模擬量。

(2)在集成電路中,通常采用T型網絡實現將數字量轉換為模擬電流,再由運算放大器將模擬電路轉換為模擬電壓。進行D/A轉換實際上需要上面的兩個環節。

(3)D/A轉換器的分類:

A、電壓輸出型:常作為高速D/A轉換器。

B、電流輸出型:一般外接運算放大器使用。

C、乘算型:可用作調制器和使輸入信號數字化地衰減。

(4)D/A轉換器的主要指標:分辨率、建立時間、線性度、轉換精度、溫度系數。

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