6. 復位要求和復位電路
Arm Cortex-M23產品共有12或13種類型的復位。
表11. Arm Cortex-M23 MCU復位
注:RA2E1及RA2E2產品不支持。
6.1 引腳復位
當RES#引腳被拉低時,所有處理都將中止,MCU進入復位狀態。要在運行中復位MCU,應在指定的復位脈沖寬度內將RES#保持為低電平。有關時序要求的更詳細信息,請參見《硬件手冊》中“電氣特性”一章的“復位時序”部分。另請參見本系列文章的第2節“仿真器支持”,了解與調試支持相關的復位電路的詳細信息。
無需在RES#線路上使用外部電容,因為POR電路在內部將其保持為低電平以實現良好的復位,并且需要最小的復位脈沖來啟動此過程。
6.2 上電復位
有兩種情況會產生上電復位(POR):
1. 如果RES#引腳在接通電源后處于高電平狀態。
2. 如果RES#引腳在VCC低于VPOR時處于高電平狀態。
在VCC超過上電復位電壓(VPOR)并經過上電復位時間(tPOR)之后,芯片將從上電復位狀態釋放。上電復位時間是允許外部電源和MCU達到穩定狀態的時間。有關電壓大小和時序的詳細信息,請參見《硬件手冊》中“電氣特性”一章的“POR和LVD特性”部分。
由于POR電路依賴于RES#與VCC同時為高電平,因此請勿在復位引腳上放置電容。這將減慢RES#相對于VCC的上升時間,從而妨礙POR電路正確識別上電條件。
當電源(VCC)降至不超過VPOR時,如果RES#引腳為高電平,則會產生上電復位。在VCC上升到VPOR以上并且經過tPOR之后,芯片將從上電狀態釋放。
上電復位后,RSTSR0中的PORF位置1。引腳復位后,PORF清零。
這是由獨立看門狗定時器(IWDT)產生的內部復位。
當IWDT下溢時,可以選擇產生獨立看門狗定時器復位(可以改為產生NMI),并且RSTSR1中的IWDTRF位置1。短暫延遲后,將取消IWDT復位。詳情請參照《硬件手冊》。
6.4 看門狗定時器復位
這是看門狗定時器(WDT)產生的內部復位。
當WDT下溢時,可以選擇產生看門狗定時器復位(可以改為產生NMI),并且RSTSR1中的WDTRF位置1。短暫延遲后,將取消WDT復位。詳情請參照《硬件手冊》。
6.5 電壓監視復位
RA2系列包括允許MCU在欠壓期間防止不安全操作的電路。板上比較器根據三個參考電壓Vdet0、Vdet1和Vdet2檢查電源電壓。當電源下降到每個參考電壓以下時,會產生中斷或復位。檢測電壓Vdet0、Vdet1和Vdet2均可從3個不同大小的值中選擇。
當Vcc隨后上升到超過Vdet0、Vdet1或Vdet2時,經過穩定時間后,電壓監視復位釋放將繼續。
上電復位后,將禁用低電壓檢測。可以通過使用選項功能寄存器OFS1來使能電壓監視。有關更多詳細信息,請參見《硬件手冊》中的“低電壓檢測(LVD)”一章。
LVD復位后,RSTSR0中的LVDnRF(n = 0、1、2)位置1。
6.6 軟件復位
這是通過SYSRESETREQ位寫入Arm內核的AIRCR寄存器產生的內部復位。當SYSRESETREQ位設為1時,產生軟件復位,再經過內部復位時間(tRESW2)后,將取消內部復位,CPU進行復位異常處理。詳情請參照MCU硬件手冊。
有關SYSRESETREQ位的詳細信息,請參照Arm Cortex-M23的技術手冊。
6.7 其他復位
MCU內的大多數外設功能都可以在特定的故障條件下產生復位。無需硬件配置即可使能這些復位。有關將為每個外設功能產生復位的條件的詳細信息,請參見《硬件手冊》中的相關章節。
6.8 冷/熱啟動的確定
借助RA2 MCU,用戶可以確定發生復位過程的原因。RSTSR2中的CWSF標志指示是上電復位導致了復位過程(冷啟動),還是操作期間輸入的復位信號導致了復位過程(熱啟動)。
發生上電復位時,該標志置0。否則,該標志不會置0。通過軟件向該標志寫入1時會將其置1。即使在寫入0時也不會將其置0。
6.9 確定復位源
借助RA2 MCU,用戶可以確定復位信號產生源。讀取RSTSR0和RSTSR1,以確定哪個復位是復位源。有關流程圖,請參見《硬件手冊》中的“復位產生源的確定”部分。
以下代碼示例展示了如何使用Renesas FSP中基于CMSIS的寄存器結構確定復位是由軟件復位、深度軟件待機還是上電復位導致的。
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原文標題:RA2快速設計指南 [5] 復位要求和復位電路
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