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Wafer晶圓半導體工藝介紹

1770176343 ? 來源:半導體封裝工程師之家 ? 2023-04-06 11:06 ? 次閱讀

芯片封裝的目的(The purpose of chip packaging):


芯片上的IC管芯被切割以進行管芯間連接,通過引線鍵合連接外部引腳,然后進行成型,以保護電子封裝器件免受環境污染(水分、溫度、污染物等);保護芯片免受機械沖擊;提供結構支撐;提供電絕緣支撐保護。它可以更輕松地連接到PCB板上。

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工藝流程(Process flow):

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晶圓研磨(Wafer Grinding):

目的Purpose:

Make the wafer to suitable thickness for the package

將芯片制作成適合封裝的厚度

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Machine

Disco(DFG8540)

Material

UVTape

Control

DIWaferResistivity

VacuumPressure

Check

WaferRoughness

WaferWarpage

WaferThickness

VisualInspection

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放入晶圓 Wafer Mount:

目的Purpose:

Combine the wafer with Dicing tape onto the frame for die sawing

將晶圓片與切割帶裝在框架上進行模切

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鋸晶圓 Wafer Saw:

目的Purpose:

Make the wafer to unit can pick up by die bonder

使晶圓片單元能被粘片機拾取(吸取)

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Machine

Disco(DFD4360/DAD3350)

Material

SawBlade

Control

DIWaterResistivity(+CO2)

Sawing/CleaningParameter

Check

KerfChippingWidth

VisualInspection

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BD和SD的流程區別 Process difference between BD and SD:

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SDBG:

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質量控制 Quality Control

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上芯Die Attach:

目的Purpose:

Pick up the die and attach it on the lead frame by epoxy

吸取芯片,用環氧樹脂將其附在引線框上

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Machine

ESEC/ASM

Material

Epoxy/Leadframe

Control

BondingParameter

Collect/NeedleHeight

Check

EpoxyThickness/DieTilt

BondingPosition/DieShear

VisualInspection

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芯片連接方法 Die attach method:

Eutectic, Epoxy, soft solder, DAF

共晶,環氧,軟釬料,DAF

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粘著劑的工藝流程:

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質量控制Quality Control:

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空洞不良:焊料裝片單個空洞面積大于3%芯片面積,累計空洞面積大于8%芯片面積Solder paste 裝片單個空洞面積大于5%芯片面積,累計空洞面積大于10%芯片面積

環氧固化 Epoxy cure:

目的Purpose:

Solidify the epoxy after D/A 固化環氧樹脂后D/A

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固化烤爐箱Oven

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烤箱內Inside

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引線鍵合Wire Bonding:

目的 Purpose:

Use ultrasonic, force , temp, time to connect the bond pad with lead frame by gold/copper/Silver/Aluminium wire.

采用超聲波、力、溫度、時間等方法,將焊盤與引線框通過金/銅/銀/鋁導線連接。

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球鍵合Ball Bonding

焊線焊頭動作步驟分解:

1? 焊頭在打火高度( 復位位置 )

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2?焊頭由打火高度下降到第一焊點搜索高度

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3?第一焊點接觸階段

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4?第一焊點焊接階段

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5?完成第一點壓焊后, 焊頭上升到反向高度

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6?反向距離

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7?焊頭上升到線弧高度位置

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8?搜索延遲

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9?XYZ 移向第二壓點搜索高度

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10?第二焊點接觸階段

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11?第二壓點焊接階段

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12?焊頭在尾絲高度

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13?拉斷尾絲

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14?金球形成,開始下一個壓焊過程

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楔鍵合 Wedge Bonding

The difference between Ball Bonding and Wedge Bonding

球焊Ball Bonding和鍵合Wedge Bonding的區別

1、在一定溫度下,在超聲發生器作用下,通過焊能頭使電能轉變為機械振動,帶動金球、銅球與鋁層產生塑型形變,形成良好的牢度。(在形成球時需要用氫氮混合氣體避免銅線氧化)

2、鍵合又叫鍥形焊,是因為它的壓點象鍥形(三棱鏡)。在常溫下,鋁絲通過換能頭及劈刀的機械振動,與鋁層粘合在一起。它的優點是不會產生化合物。

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質量控制 Quality Control:

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Wire Offset 0

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Wire Offset 45

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Wire Offset 55

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Wire Offset 65

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BSOB BALL

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最佳BSOB效果

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FAB過大,BASE參數過小

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BASE參數過大

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正常

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BALL過大,STICH BASE參數過小

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BALL過小,STICH BASE參數過大

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正常

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50dc30a0-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

BSOB 2nd stich不良

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51603170-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

不好

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51df8ed4-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

不好

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球形不良:球徑大小不良,<2倍焊絲直徑或>4倍 焊絲直徑;特殊情況(壓區尺寸小于常規 情況)下,球徑<焊區單邊邊長的70%或>焊區單邊邊長為不良;

球厚度不良:壓扁變形,球厚度<30%焊線直徑或球厚度>70%焊線直徑為不良

5279f3e8-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png二焊點不良:第二焊點根部有撕裂或隱裂現象

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弧度不良:焊絲與芯片,引線框及其他焊絲的最短距離<2倍焊絲直徑

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IMC Check

成型 Molding:

目的 Purpose:

Seal the product with EMC to prevent die, gold wire from being damaged, contaminated and oxygenic.

電磁兼容性(EMC)對產品進行密封,以防止模具、金線被損壞、污染和氧化。

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5372bb18-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

EMC為黑色塊狀,低溫存儲,使用前需先回溫。其特性在高溫下先處于熔融狀態,然后會逐漸硬化,最終成型

53bad68c-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

Machine

TOWA/ASM

Material

Compound

Control

MoldTemp;Clamppressure

Transferpressure/time;Curetime

Check

BodyThickness/WireCurvature

Void/Delamination

VisualInspection

5420f084-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.pngAfter Mold

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54bf9810-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

質量控制Quality Control:

54dab6a4-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png孔洞

550f4b6c-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png內部氣泡

55333158-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png缺角

556a9a08-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png上下錯位

559acfb6-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png溢膠

55d65c8e-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png弧度不良:焊線沖歪率大于20%

碰線不良:線與線的距離小于2倍線徑、斷線、接觸芯片或外引腳

5619915c-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.pngC-SAM 檢查

后成型固化 Post Mold Cure:

57105e88-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png固化烤箱Oven

后固化目的:提高材料的交聯密度;緩釋制造應力。

后固化溫度:通常在175度左右(接近Tg溫度,分子鏈相對松弛;催化劑的活性較高。)

后固化時間:4-8H,通常恒溫6H(后固化烘箱溫度均勻性;后固化烘箱的升溫速度。)

Machine

C-Sun

Material

NA

Control

Curetemp.

Curetime

Check

Profile

激光打標Laser Marking:

目的 Purpose:

Provide a permanent identification on product body

在芯片產品的本體上刻印上永久性標識

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58476d3c-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

去除垃圾De-junk:

目的 Purpose:

Remove the dam-bar of leadframe

移除拆卸引線框的阻尼條

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去除飛邊 De-flash:

目的 Purpose:

Remove the residue of EMC around the package body and lead

清除封裝本體和引線周圍的EMC殘留物

毛刺飛邊是指封裝過程中塑封料樹脂溢出,貼帶毛邊,引線毛刺等飛邊毛刺現象

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5a12001e-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

控制項目:軟化時間,軟化液溫度;電解電流,電解液濃度;高壓水壓力,傳送速度

電鍍 Plating

Purpose:

To plating Sn on the lead which will mount on board pad.

利用金屬和化學的方法,在框架表面鍍上一層鍍層,以防止外界環境的影響(潮濕和熱),并使元器件在PCB板上容易焊接及提高導電性。

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5b1b6bda-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

電鍍兩種類型:

Pb—Free:無鉛電鍍,錫(Tin)的純度>99.95%,符合Rohs的要求;

Tin-Lead:鉛錫合金。Tin占85%,Lead占15%,由于不符合Rohs,目前基本被淘汰。

(電鍍退火)Baking after plating:

目的:讓無鉛電鍍后的產品在高溫下烘烤一段時間,以便消除電鍍層潛在的錫須生長(Whisker Growth)的問題。

條件:150+/-5C;2Hrs

5b5f5a66-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png晶須(Whisker),是指錫在長時間的潮濕環境和溫度變化的環境下生長出的一種須狀晶體,可能導致產品引腳的短路。

質量控制Quality Control:

5b94b2c4-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png外觀檢查

5bce8f62-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png鍍層厚度量測

5c13c2e4-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png可焊性測試Solderability test

Preconditioning: Steam aging 93℃+3℃/-5℃, 8 hrs

Solder dip: SnAgCu 245℃±5℃, 5±0.5s

solder coverage≥95%

修形Trim Form:

Purpose:

Remove the tie-bar and lead-frame and form products to units from strips, fill them into tubes and then pass to next process.

拆下拉桿和引線框架,將帶材成型成件,裝入管材,然后進入下一道工序。

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5cc51de6-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

質量控制 Quality Control

外觀檢查

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5d1a417c-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

外形尺寸量測:

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5d7ba37c-d40c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

包裝 Packing:

目的 Purpose:

Protect the product in the circulation process, convenient storage and transportation

保護產品在流通過程中,方便儲運

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審核編輯 :李倩


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原文標題:Wafer晶圓半導體工藝介紹

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    半導體(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正(P)型半導體或負(N)型
    發表于 07-23 08:11

    淺談制造工藝過程

    制造總的工藝流程 芯片的制造過程可概分為處理工序(Wafer Fabrication)、
    發表于 04-16 11:27 ?1.5w次閱讀

    半導體圓材料的全面解析

    wafer) 是制造半導體器件的基礎性原材料。 極高純度的半導體經過拉、切片等工序制備成
    的頭像 發表于 12-29 08:50 ?2.7w次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>晶</b>圓材料的全面解析

    半導體集成電路和有何關系?半導體制造工藝介紹

    半導體集成電路是將許多元件集成到一個芯片中以處理和存儲各種功能的電子組件。由于半導體集成電路是通過在的薄基板上制造多個相同電路而產生的,因此
    發表于 01-11 10:28 ?4986次閱讀

    智測電子 ——測溫系統,tc wafer半導體測溫熱電偶

    測溫系統,tc wafer半導體測溫熱電偶
    的頭像 發表于 10-11 16:09 ?905次閱讀

    TC WAFER 測溫系統 儀表化溫度測量

    “TC WAFER 測溫系統”似乎是一種用于測量半導體制造中的基礎材料)溫度的系統。在
    的頭像 發表于 03-08 17:58 ?944次閱讀
    TC <b class='flag-5'>WAFER</b>   <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>測溫系統 儀表化<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>溫度測量

    貼膜機在半導體Wafer領域的應用(FHX-MT系列)講解

    貼膜機的半導體應用
    的頭像 發表于 08-19 17:21 ?361次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>貼膜機在<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>Wafer</b>領域的應用(FHX-MT系列)講解